半导体二极管及整流电路

1、半导体二极管一、本征半导体化学成分纯净的半导体。二、杂质半导体1、在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成N型半导体,也称电子型半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子；空穴是少数载流子, 由热激发形成。2、在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体中空穴是多数载流子；电子是少数载流子，由热激发形成。三、PN结在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体，对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反

2、之是高阻性，电流小。四、半导体二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线(1) 正向特性当V0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段：当0VVth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。当VVth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右，锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。(2) 反向特性当V0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当VBRV0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当VVBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。五、稳压二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极

3、管，稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。整流与滤波电路1、 半波整流电路1、电路结构2、 工作原理 当u2为正半周时，二极管D承受正向电压而导通，此时有电流流过负载，并且和二极管上的电流相等，即io= id。忽略二极管的电压降，则负载两端的输出电压等于变压器副边电压，即uo=u2 ，输出电压uo的波形与u2相同。 当u2为负半周时，二极管D承受反向电压而截止。此时负载上无电流流过，输出电压uo=0，变压器副边电压u2全部加在二极管D上。3、 单相桥式整流电路1、电路结构 由四个二极管接成电桥的形式构成的。2、工作原理 u2为正半周时，a点电位高于b点电位，二极管D1、D3承受正向电压而导通，

4、D2、D4承受反向电压而截止。此时电流的路径为：aD1RLD3b。 u2为负半周时，b点电位高于a点电位，二极管D2、D4承受正向电压而导通，D1、D3承受反向电压而截止。此时电流的路径为：bD2RLD4a。 3、负载两端电压、流过负载的电流及二极管两端最高反相电压与流过二极管的平均电流。四、桥式整流电容滤波电路1、电路组成五、稳压二极管 稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于：电流增量很大，只引起很小的电压变化。掌握例题P18半导体三极管及基本放大电路一、结构二、三极管的三个工作区域放大区：外加电压使发射结正偏，集电结反偏。截止区：外

5、加电压使发射结和集电结均为反向偏置。饱和区：外加电压使发射结和集电结均为正向偏置。三、BJT的电流分配关系1、电流IE、IC、IB之间的关系 2.集电极电流IC与基极电流IB的关系3.发射极电流IE与基极IB的关系四、共发射极放大电路的静态分析例1设：VCC12V，Rb=300k,Rc=3k, RL=3k,BJT的b =50。1、试求电路的静态工作点Q。解：2、估算电路的电压放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro。解：画微变等效电路Ri=rbe/Rbrbe=993Ro=Rc=3k 五、共集电极放大电路例： 电路如图P2.18所示，晶体管的b80，rbe=1k。 （1）求出Q点； （2）分别求出RL和RL3k时电路的和Ri； （3）求出Ro。图