静电场论文静电场 二次电子倍增效应 时间演化特性 斜入射 腔结构

1、静电场论文：基于HPM器件的二次电子倍增效应的模型建立及特性研究【中文摘要】随着近几年科学技术的不断进步,各行各业对高功能率微波的需求越来越多,因此对其性能要求也在不断提高,随着对其诸如输出功率,输出频率、能量等指标要求的不断提高,高功率微波技术的发展也会出现一些新的问题需要我们去解决。在这些问题中主要包含脉冲缩短和馈源介质窗击穿问题。研究发现二次电子倍增是引起脉冲缩短、馈源介质窗击穿的最主要原因,因此对二次电子倍增效应的研究具有很重要的理论研究和实际应用价值,通过研究,掌握其产生原因,变化规律等特性,可以很好的解决上述两个问题,突破制约高功率微波源技术向高功率、高效率发展的瓶颈,从而可以更好

2、的推动高功率微波技术的发展。在高功率微波源器件的波束相互作用腔中,一般有射频场、聚焦磁场和空间电荷,空间电荷产生的静电场与空间电荷形成自洽相互作用。在以往的研究中往往忽略了磁场的作用,并且空间静电场以常数来处理。本论文以磁绝缘传输线振荡器(MILO)的结构为例,在考虑由内部电流产生的聚焦磁场、空间电荷场和空间电荷相互作用基础上,首先计算分析了自绝缘磁场对二次电子倍增效应(multipactor)的影响；然后通过对泊松方程求解得到空间电荷的直流自洽场,在此基础上建立单边二次电子倍增效应(m.【英文摘要】Along with the of HPM source performance such a

3、s output power, output frequency, output energy continue to improve, HPM technology development also appeared in some new problems to solve. These issues included pulse shortening and feed media breakdown in main. Study found that the multipactor is the main reason to the problems, so study the mult

4、ipactor has important theoretical and practical value, through its research and grasp the causes, can solve these two problems, breakthroughs the bottleneck in high-.【关键词】静电场 二次电子倍增效应 时间演化特性 斜入射 腔结构【英文关键词】electrostatic field multipactor time evolution oblique incidence cavity structure【索购全文】联系Q1：138

5、113721 Q2：139938848【目录】基于HPM器件的二次电子倍增效应的模型建立及特性研究摘要5-6Abstract6第1章 绪论9-141.1 选题背景及其意义9-101.2 国内外研究动态101.3 课题研究内容10-121.4 研究方案、工作特色及难点12-141.4.1 研究方案121.4.2 课题难点12-131.4.3 预期成果131.4.4 创新点13-14第2章 二次电子倍增效应14-202.1 二次电子倍增效应物理机制14-152.2 二次电子激发模型15-162.3 计算方案和程序设计16-20第3章 基于自洽相互作用的空间电荷产生的静电场E_D20-233.1 空

6、间电荷势的推导及静电场的确定20-223.1.1 正弦函数分布的空间电荷势20-213.1.2 贝塞尔函数分布的空间电荷势21-223.2 本章小结22-23第4章 绝缘磁场对次级电子倍增效应的影响23-334.1 动力学模型23-244.2 磁场对次级电子倍增效应的影响分析24-274.3 敏感曲线和次级电子的时间演化曲线27-304.3.1 磁场对敏感区域的影响27-294.3.2 磁场对次级电子时间演化的影响29-304.4 斜入射对敏感区域和二次电子时间演化的影响30-324.5 本章小结32-33第5章 基于直流空间电荷自洽场的单边MULTIPACTOL33-435.1 动力学原理及

7、MULTIPACTOR模型33-345.2 敏感区域及二次电子的时间演化34-385.2.1 敏感曲线34-355.2.2 磁场对multipactor的影响35-375.2.3 随空间变化的E_d与空间恒定E_d两种情况下multipactor的对比37-385.3 不同入射角_i入射对MULTIPACTOR的影响385.4 电子壁碰撞过程中的能量交换规律38-395.5 静电场E_d的演化规律39-415.5.1 静电场E_d在不同时刻随空间的演化规律39-405.5.2 静电场E_d随时间的演化规律40-415.6 本章小结41-43第6章 参数变化对二次电子倍增的影响43-476.1 空间电荷势改变对二次电子倍增的影响43-446.2 腔半径改变对二次电子倍增的影响44-456.3 离子束半径改变对二次电子倍增的影响45-466.4 器壁表面光滑系数改变对二次电子倍增的影响466.5 本章小结46-47第7章 总结与展望47-517.1 结论47-487