半导体分立器件

1、NoImageNoImageNoImage（三）（三）. . 半导体分立器件半导体分立器件 1 .常用半导体分立器件及其分类 半导体二极管 (DIODE)双极型晶体管 (TRANSISTOR)晶闸管 场效应晶体管 (FET, FET, Field Effect Transistor )Field Effect Transistor ) 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。 N

2、oImageNoImageNoImage普通二极管普通二极管稳压二极管(ZENER DIODE)齐纳二极管zener diodes整流二极管NoImageNoImageNoImage三极管T0-226 T0-3 T0-220T0-23NoImageNoImageNoImage场效应管（MOSFET)MOSFET和三极管的主要区别和三极管的主要区别1：MOSFET是电压控制器件，三极管是电流控制器件2MOSFET输入阻抗很大，三极管输入阻抗比MOSFET小3MOSFET输出电阻比三极管小，所以驱动能力强4MOSFET截止频率比三极管截止频率高。 如果这个器件的输出参数大小和输入的电流参输出参数大

3、小和输入的电流参数大小有关数大小有关，就叫该器件是电流控制器件，简称流控器件流控器件；电流控制器件输入的是电流信号，是低阻抗输入，需要较大的驱动功率。例如：双极型晶体管(BJT)是电流控制器件、TTL电路是电流控制器件 如果这个器件的输出参数大小和输入的电压参数大小有关，就叫该器件是电压控制器件，简称压控器件；电压控制器件输入的是电压信号，是高阻抗输入，只需要较小的驱动功率；例如：场效应晶体管(FET)是电压控制器件、MOS电路是电压控制器件NoImageNoImageNoImage晶闸管NoImageNoImageNoImage晶闸管NoImage半导体二极管分类 普通二极管：整流二极管、检

4、波二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管等； 特殊二极管：微波二极管、变容二极管、雪崩二极管、SBD、TD、PIN、TVP管等； 敏感二极管：光敏二极管、热敏二极管、压敏二极管、磁敏二极管； 发光二极管按照结构工艺不同，可分为点接触型和面接触型。 按照制造材料不同，可分为锗管和硅管。点接触型结电容小，适用于高频电路。 面接触型可通过较大的电流，多用于频率较低的整流电路。 锗管正向导通电压约为0.2V，反向漏电流大，温度稳定性较差。 硅管反向漏电流小，正向导通电压约为0.7V NoImageNoImageNoImage双极型三极管 分类：按照结构工艺分类，有PNP和NPN型。 按照制造材料分

5、类，有锗管和硅管。 按照工作频率分类，有低频管（3MHz以下）和高频管（几百MHz 以上）。 按照集电极耗散的功率分类，有小功率管（1W以下）和大功率管（几十W以上 ）。 NoImageNoImageNoImage场效应晶体管 结型硅管：N沟道（外延平面型）、P沟道 （双扩散型）、隐埋栅、V沟道（微波大功率）； 结型砷化镓管：肖特基势垒栅（微波低噪声、 微波大功率）； 硅MOS耗尽型：N沟道、P沟道； 硅MOS增强型：N沟道、P沟道。 NoImageNoImageNoImage 场效应管是电压控制器件,在数字电路中起开关作用； 栅极的输入电阻非常高，一般可达几百M甚至几千M； 场效应管还具有噪

6、声低、动态范围大等优点。 场效应晶体管 特点：晶闸管普通晶闸管：双向晶闸管：特殊晶闸管：正反向阻断管、逆导管等。 NoImageNoImageNoImage2 半导体分立器件的型号命名 国产半导体分立器件的型号命名（表1、2、3） 表1NoImageNoImageNoImage第一部分 第二部分 第三部分 第四 部分 第五部分 F 发光管 Z 整流器 L 整流堆 S 隧道管 N 阻尼管 A PNP 型锗材料 X 低频小功率管，fhfb3MHz，Pc1W B NPN 型锗材料 G 高频小功率管，fhfb3MHz，Pc1W 3 三极管 C PNP 型硅材料 D 低频大功率管，fhfb 3MHz，P

7、c1W 表2NoImageNoImageNoImage第 一部分 第二部分 第三部分 第四 部分 第五部分 D NPN 型硅材料 A 高频大功率管，fhfb 3MHz，Pc1W E 化合物材料 U 光电器件 K 开关管 I 可控整流器 T 体效应器件 B 雪崩管 J 阶跃恢复管 CS 场效应器件 BT 半导体特殊器件 FH 复合管 PIN PIN 型管 3 三极管 JG 激光器件 表3NoImageNoImageNoImage注：场效应管、半导体特殊器件等的型号命名只有三、四、五部分。 例如： 三极管 NPN型硅材料 高频小功率管 产品序号 规格号 3DG6C场效应器件 产品序号 规格号 CS

8、1BNoImageNoImageNoImage 日本半导体分立器件的型号命名。 共分五部分第一部分用数字表示器件的有效电极数目或类型 符号0123 n-1含义光电二极管或三极管或包括上述器件的组合管 二极管 三极管或具有三个电极的其他器件 具有四个有效电极的器件 具有 n个有效电极的器件 第二部分注册标志 符号 S含义已经在日本电子工业协会（JEIA）注册登记的半导体器件 NoImageNoImageNoImage第三部分用字母表示器件的使用材料极性类别符号ABCDE G H JK M含义PNP高频晶体管 PNP低频晶体管 NPN高 频晶 体管 NPN低 频晶 体管 P控制极可控硅 N控制极可

9、控硅 基极单结晶体管 P沟道场效应管 N沟道场效应管 双向可控硅 第四部分用数字表示登记号 此器件在日本电子工业协会的注册登记号，不同厂家生产的性能相同的器件可以使用同一登记号 第五 部分用字母表示改进型标志 此器件是原型号产品的改进型 NoImageNoImageNoImage三极管 JEIA注册产品 NPN高频晶体管 2SC58日本半导体分立元件命名举例： JEIA登记号 NoImageNoImageNoImage 欧洲半导体分立器件的型号命名 第一部分用用字字母母表表示示材材料料 符号ABCDR意义锗材料 ，禁带0.61.0eV 硅材料 ，禁带1.01.3eV 砷化镓材料 ，禁带1.3e

10、V 锑化铟材料 ，禁带15/W） 低频大功率三极管（RTj15/W） 隧道二极管 高频小功率三极管（RTj 15/W） 复合器件及其他器件 NoImageNoImageNoImage第三部分用数字用数字或字母或字母加数字加数字表示登表示登记号记号 符号 3位数字 字母加2位数字 意义 通用半导体器件的登记序号 专用半导体器件的登记序号 第四部分用字母用字母对同一对同一型号分型号分档档 意义 同一型号的半导体器件按某个参数分档 NoImageNoImageNoImage欧洲半导体分立器件命名举例：稳压二极管 专用器件登记号 BZY88C允许误差5% 硅材料 大功率开关管 BU208硅材料 器件登

11、记号 NoImageNoImageNoImage美国半导体分立器件的型号命名美国半导体分立器件的型号命名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分第五部分用符号表示器件的类别 数字表示PN结的数目 登记标志 登记号 器件分档 JAN或J 军用品 1二极管 N 已经在美国电子工业协会（EIA）注册登记 在美国电子工业协会的注册登记号 同一型号的不同档次 -非军用品 2三极管 nn个PN结器件 NoImageNoImageNoImage美国半导体分立器件命名举例：美国半导体分立器件命名举例：EIA注册产品 1N4007二极管 EIA登记号 NoImageNoImageNoImage3 .半导体分立器

12、件的封装及管脚 NoImageNoImageNoImage塑料封装NoImageNoImageNoImageNoImageNoImageNoImage4 。选用半导体分立器件的注意事项 二极管 切勿使电压、电流超过器件手册中规定的极限值，并应根据设计原则选取一定的裕量。 允许使用小功率电烙铁进行焊接，焊接时间应该小于35秒。 玻璃封装的二极管引线的弯曲处距离管体不能太小，一般至少2mm。 安装二极管的位置尽可能不要靠近电路中的发热元件。 接入电路时要注意二极管的极性。 NoImageNoImageNoImage 大功率管的散热器与管壳的接触面应该平大功率管的散热器与管壳的接触面应该平整光滑，中间应该涂抹导热硅脂以便减小热整光滑，中间应该涂抹导热硅脂以便减小热阻并减少腐蚀；要保证固定三极管的螺