光纤温度传感器 ppt课件

1、4.14.1光纤温度传感器的原理光纤温度传感器的原理光纤温度传感器的根本任务原理是未来自光源的光经过光纤送入调制器， 待测参数温度与进入调制区的光相互作用后， 导致光的光学性质( 如光的强度、波长、频率、相位等) 发生变化， 称为被调制的信号光。 再经过光纤送入光探测器， 经解调后， 获得被测参数。光纤温度传感器种类很多 ， 但概括起来按其任务原理可分为功能型和传输型两种。 功能型光纤温度传感器是利用光纤的各种特性( 相位、偏振、强度等) 随温度变换的特点， 进展温度测定。 这类传感器虽然具有 传!、 感!合一的特点， 但也添加了增敏和去敏的困难。 传输型光纤温度传感器的光纤只是起到光信号传输

2、的作用， 以避开测温区域复杂的环境。 对待测对象的调制功能是靠其他物理性质的敏感元件来实现的。 这类传感器由于存在光纤与传感头的光耦合问题， 添加了系统的复杂性， 且对机械振动之类的干扰比较敏感。4.24.2光纤温度传感器的研讨现状光纤温度传感器的研讨现状 目前已研制成多种光纤温度传感器。 其中有代表性的有光纤Fabry- perot 干涉型温度传感器、半导体吸收型光纤温度传感器、光纤光栅温度传感器三种。我主要引见一下半导体吸收型光纤温度传感器的研讨现状。4.34.3半导体吸收型光纤温度传感器半导体吸收型光纤温度传感器 半导体吸收型光纤温度传感器是利用半导体资料的吸收光谱随温度变化而变化的特性

3、实现的。 光经过半导体资料时， 资料会吸收一部分光子能量， 当光子能量超越半导体禁带宽度能量Eg( T ) 时， 传输光的波长发生变化， 由于禁带宽度随温度的变化而变化， 因此半导体资料吸收的波长会随温度而变化，同时进入半导体资料的光强将发生变化。 当温度变化时进入半导体资料的光强将发生变化， 假设检测出穿过半导体资料的光强， 即可得出对应的温度量。 利用半导体光吸收原理设计了一种可在高压、强电磁干扰环境下运用的温度传感器。 如下图是系统的任务原理图。系统的任务原理图 由发光管稳压电源驱动AlGaAs， InGaAsP 两发光二极管发光， 控制电路控制光开关分时接纳来自信号光源( AlGaAs

4、) 与参考光源( InGaAsP) 发出的光束， 探头中的GaAs 资料对光有吸收作用， 透射光强与温度有关。 首先是让丈量光经过， 然后是参考光经过，经过的途径和前面完全一样， 只是由于探头中的GaAs资料对它来说是完全透明的。两光束经过光纤传输后经PIN 光电二极管把参考光束和信号光束转变为电信号， 经前置放大、滤波后， 经过A/ D 接口到单片机， 经除法运算和数据处置后输出显示。 光探头是由半导体资料GaAs 制造， 其厚度约100 M，两边抛光， 镀增透膜， 探头与光纤芯的衔接如下图。 传感头构造图 此传感器其温度丈量范围在- 10120 ， 准确度可达1 ， 呼应时间22 s， 特

5、别适宜超长间隔和恶劣环境下的运用。 基于半导体GaAs 对近红外光的吸收波峰值随温度升高向长波长挪动从而引起透射率随温度变化而变化这一特性设计了一种单光路的半导体吸收式光纤温度传感器。测温系统原理图如下图：传感器原理图 用7805 稳压器搭建稳压电路驱动红外发光二极管( LED) ， 使LED 获得稳定的输出功率， 经耦合安装将LED 光源部分耦合进入光纤， 经敏感测头的光能量携带温度信号经过耦合安装耦合到硅光电三极管， 采用集成运放LM324 进展电压放大处置， 最后进展标定。 敏感测头如图6 所示。敏感测头构造 采用经研磨并抛光厚度达200 m， 面积约2mm ? 2 mm 的GaAs 片

6、， 将其垂直置于直径为2。 49mm 的陶瓷套管中。 将GaAs 片粘在一边的陶瓷插芯端面， 将光纤对准并固定。实验证明: 该单光路光纤温度传感器的丈量精度可到达% 1 ， 呼应时间在20 s 之内， 有良好的长期稳定性、反复性; 在20 70 具有良好的线性， 在这个范围内对某些环境下( 如石油工业、电力工业) 可得到广泛运用。 根据传感头内的各部分资料特性， 以及光纤的热稳定性， 这种传感器可在- l0 300 内正常任务。上面2 种传感器后者比前者在呼应时间及适用温度范围方面均有提高， 但前者适宜超长间隔运用。 光纤传感器的优点 1灵敏度高 2几何外形具有多方面顺应性，可以制成恣意外形的光纤传感器 3可以制造传感各种不同物理信息如声、磁、温度、旋度等的器件 4可以用于高压、电气噪声、高温腐蚀或其他恶劣环境 5而且具有与光纤遥测技术的内在相容性 (6)丈量速度快 光的传播速度最快且能传送二维信息，因此可用