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1、    利用PowerTrench MOSFET应对更高功率密度的新挑战        飞兆半导体 时间:2011年07月14日     字 体: 大 中 小        关键词:<"cblue" " MOSFET" target='_blank'>PowerTrench MOSFET&l

2、t;"cblue" " target='_blank'>整流器<"cblue" " target='_blank'>MOSFET       <"cblue" " target='_blank'>飞兆半导体            中心议题：&

3、#183;     针对同步整流进行优化的功率MOSFET·     同步整流的功耗计算·     开关上的有害电压尖刺解决方案：·     沟槽栅结构<"cblue" " title="MOSFET">MOSFET优化同步整流方案·     减小开关上的有害电压尖刺措施从拓扑的角度来看，同步&l

4、t;"cblue" " title="整流器">整流器的传导损耗和开关损耗都更低，能够提高这些转换级的效率，因而是开关模式电源次级端的基本构建模块，在服务器电源或电信整流器等低压及大电流应用中非常流行。如图1所示，它取代了肖特基整流器，可使电压降变得更小。从器件角度来看，过去十年中，功率MOSFET晶体管的进展巨大，催生出了新颖的拓扑和高功率密度电源。20世纪早期平面技术问世之后，中低电压MOSFET迅速被开发出来，利用沟槽栅技术来大幅提高性能。沟槽栅MOSFET是中低电压电源应用的首选功率器件，其把一个栅极结构嵌入到精心蚀刻在器件结构上

5、的沟槽区域中。这种新技术可以提高沟槽密度，并无需JFET阻抗元件，因此能够使特征导通阻抗降低30%左右。当MOSFET的导通阻抗与漏极电流的乘积小于二极管正向电压降时，同步整流的能量损耗降低。                 还没注册？     现在免费注册，您即可：        · ?阅读所有技

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