电子元器件认识初步

1、舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学考试内容 考试要求考试要求电子元器件 常用电阻器、电容器、电感器的外形特征、电路符号与标称值常见二极管及电路符号、特性，正负电极的判断常用的三极管及电路符号，三极管三个电极、电流放大作用及三个工作区 b b b舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中

2、学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学基本单位：欧姆、欧，符号：，常用单位K、M。 相关知识 R=U/I 串：R=R1+R2 并：1/R=1/R1+1/R21.固定电阻2.可变电阻3.其它电阻热敏电阻(NTC、PTC)光敏电阻舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学标称阻值舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学阻值标注1. 直标法2.色标法3.数码标示法舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东

3、海中学舟山市东海中学舟山市东海中学1、最靠近电阻引线一边的色环为第一色环 2、两条色环之间距离最宽的边色环为最后一条色环 3、最宽的边色环为最后一条色环 4、四环电阻的偏差环一般是金或银5、有效数字环无金、银色。（解释：若从某端环数起第1、2环有金或银色，则另一端环是第一环。）6、偏差环无橙、黄色。（解释：若某端环是橙或黄色，则一定是第一环。）7、试读：一般成品电阻器的阻值不大于22M，若试读大于22M，说明读反。8、五色环中，大多以金色或银色为倒数第二个环 。舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学(capacitor)

4、 结构：二个靠得很近的金属片(箔)组成，中间用绝缘材料(电介质)隔开。 相对面积越大或间距越小，则电容越大，同时也与电介质有关。 作用：隔离直流，耦合变化的信号(隔直流，通交流)。基本单位：法拉(F) 常用单位 微法(F)、皮法(pF)相关知识：Z=1/(C) =1/(2fC) C=S/d 并: C=C1+C2 串:1/C=1/C1+1/C21.无极性电容2.极性电容3.可变电容舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学(inductor) 结构：用导线(铜)绕成线圈。中间有空心的、铁芯、磁芯等。基本单位：亨利(H)，常用单

5、位 mH、H相关知识 感抗 Z=L =2fL 品质因素 Q= L/R电路符号 舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学相关知识：本征半导体 N型半导体 P型半导体二极管(diode)的结构与符号舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学相关知识：本征半导体 N型半导体 P型半导体二极管(diode)的结构与符号二极管的特性：单身导电性材料开启电压举例发光二极管稳压二极管舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟

6、山市东海中学舟山市东海中学半导体三极管(transistors) 又称 晶体三极管 、三极管结构与电路符号PNPNPN发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学三极管的特性曲线共射极连接共射极连接1. 1. 输入特性曲线输入特性曲线2. 2. 输出特性曲线输出特性曲线截止区：截止区：i iB B=0=0的

7、曲线的下方。此时，的曲线的下方。此时， i iC C接近零，接近零，vBEBE小于死区电压小于死区电压。饱和区：饱和区：i iC C明显受明显受vCECE控制，不受控制，不受i iB B 的影响。此区域内，一般的影响。此区域内，一般vCECE0.7V (0.7V (硅管硅管) )。放大区：放大区：i iC C= =i iB B， i iC C基本平行于基本平行于vCECE轴的区域。此时，轴的区域。此时，发射结正偏，集电结反偏发射结正偏，集电结反偏。i ie e= = i iB B + + i iC C i iC C = = i iB B舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学晶闸管（可控硅 有单、双向）单向可控硅及应用双向可控硅及应用舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学P129舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中学舟山市东海中