Flash芯片场情况分析

1、Flash芯片市场情况分析2016年全球闪存（Flash）的增长动力主要来自终端装置平均搭载的增加和固态硬盘（SSD）需求的增长。根据ICInsights的统计，2016年全球闪存的市场NAND闪存占99%,NOR闪存占1%。由此可见，近年来NAND闪存市场规模呈现不断上升的态势，而NOR闪存市场规模日趋缩小。当前，NAND闪存正面临着先进制程转进、产品结构转换的关键时期。2016年上半年由于几乎所有的NAND闪存厂商转产3DNAND闪存，导致2DNAND闪存产生减少，而3DNAND闪存又产生有限，再加上智能手机、SSD容量大增，导致市场供不应求，从而刺激NAND闪存市场价格累积涨幅高达16%

2、,也是近两年来首次由现价格大涨。一、全球闪存的主要供应厂商全球NAND闪存的主要供应厂商有三星、东芝、SK海力士、美光、闪迪和英特尔6家，其中前4家厂商均为IDM企业，供应全球NAND闪存近90%的市场份额。其中，三星受惠于3DNAND闪存的制程技术领先于其他厂商，加上近年来高容量的eMMC/eMCP与SSD发展加速，持续在3DNAND闪存市场份额上列居第1位。目前其14nm制程的eMMC/eMCP已导入新上市的智能手机和平板电脑中，14nm制程的TLC（三层单元）产品也在2016年第一季度送样给模块厂商进行测试。其在未来的市场竞争中更具优势。东芝在2015年受供过于求的市场影响，平均销售价格

3、下滑13%14%,市场份额也由2014年占22.2%下滑到2015年仅占18.5%,居全球第2位， 由此激发了其发展3DNAND闪存技术的积极性。2016年年初，48层3DNAND闪存开始上市，并增加投资建设新厂，以期大力发展3DNAND闪存产品。闪迪在2015年第四季度15nm2DNAND闪存产生比重为75%,同时在主力发展TLC产品的情况下，TLC产品比重也达70%,它的包含SAS、SATA与PCTe接口的企业级SSD深受用户好评。从2016年起，48层3DNAND闪存开始小批量试产。二、全球闪存的技术发展当前全球NAND闪存产业正处在2DNAND闪存（平面NAND闪存）向3DNAND闪存

4、的转进期。过去10年，随着2DNAND闪存制程技术的发展， 制程技术向着12nm （1215nm）逼近，越来越接近可量产的物理极限。2DNAND闪存的存储密度也很难突破12GB容量，自然也不会给生产厂商带来更高的成本效益。另外，2D技术是平面结构，随着存储密度的增加，每个存储单元的电荷量会下降， 相邻存储单元之间的干扰也会增加， 这样会影响NAND闪存的性能。在当前发展的3DNAND闪存中，3D技术采用垂直排列的立体结构，多层环绕式栅极（GAA）结构形成了多电栅极存储器单元晶体管，可以有效降低堆栈间的干扰，使NAND闪存性能更加优异、功耗更低、容量更进迅猛。据业界估计，由于三星、东芝、美光和S

5、K海力士等厂商纷纷扩大3DNAND闪存量产，2016年全球3DNAND闪存占整体NAND闪存产能的15%左右，2017年将进一步提升到30%以上。三星和东芝的3D技术更是增加到64层堆叠。二、全球NAND闪存主要厂商的表现（一）三星自2013年8月三星率先宣布成功推由3DNAND闪存之后， 三星便一马当先发展3DNAND技术。2014年年初，三星领先业界采用24层堆叠量产3DNAND闪存，2016年扩大到48层3DNAND闪存量产。48层相较于32层堆叠的存储容量可提高40%,并在2016年年底三星的3DNAND闪存生产比重已提升至40%。 三星除了在我国西安量产3DNAND闪存，2016年韩

6、国华城Fab16的16nm2DNAND闪存芯片生产线改造成20nm48层3DNAND闪存生产线，并计划再将韩国华城的Fab17生产线用于生产3DNAND闪存， 以稳固其在3DNAND闪存市场上的地位。2016年，三星在3DNAND闪存技术上的最大进展是实现了64层堆叠。该技术单颗NAND闪存芯片容量增加到512GB,较48层堆叠的存储密度又增加了一倍，2016年年底已开始供货。三星还计划在2017年基于64层3DNAND闪存推由容量高达32TB的企业级SASSSD,并声称到2020年将提供超过100TB的SSDo（二）层堆叠3DNAND闪存开始送样给用户。 初期样品的存储密度为256GB,然后

7、再提高到512GB量产。另外，东芝在2015年开始改建的Fab2工厂已在2016年上半年投入生产。随着3DNAND闪存量产的不断增加，东芝的目标是在2017年将整体3DNAND闪存生产比重提高至50%,2018年进一步提高至90%左右的水平。（三）SK海力士目前，SK海力士的3DNAND闪存以36层MLC（多层单元）为主，良率可达90%以上。除了用于企业级SSD产品，还积极导入嵌入式产品中应用，最新的UFS2.1和eMMC5.1采用的就是SK海力士的第二代36层3DNAND闪存， 目前这些产品均已进入量产阶段。进入2016年，SK海力士的48层3DNAND闪存芯片已向用户送样， 并进一步声称在

8、2016年年底和2017年年初完成72层3DNAND闪存的研发。这是一项十分具有挑战性的工作。目前，SK海力士主要在韩国清州M11/M12工厂生产3DNAND闪存芯片，还计划将M14工厂的二楼用于生产3DNAND闪存，2017年上半年投入生产，而且计划投资15.5兆韩元新建另一座存储器工厂。 （四）美光美光的32层堆叠3DNAND闪存芯片主要在新加坡工厂量产。基于32层3DNAND闪存技术，美光面向消费类市场推由了BX300系列和1100系列的3DSSD,最大容量可达2TBo为了在技术上赶超竞争对手， 美光于2016年年初扩建的Fab10X工厂开始量产。计划下一代3DNAND闪存技术跳过48层

9、，2017年直接跳到64层。而且现在的16nm2DNAND闪存技术也将直接切换到生产3DNAND闪存，预计2017年美光3DNAND闪存的投产量将增加一倍。（五）英特尔2016年，英特尔和美光联手研发的3DNAND闪存技术进展神速。英特尔和美光的新加坡合资工厂在2016年第一季度就开始量产3DNAND闪存芯片，起点的月产量为3000片，到年底时已拉升到每月4万片。同时英特尔投资55亿美元将位于我国大连的Fab86改造为生产3DNAND闪存芯片的工程也已完成投产， 使得英特尔和美光合作在3DNAND闪存的产能上显示由相当优势。近年来，英特尔除了发展3DNAND闪存技术，还着重开发新型的3DXPo

10、int快闪存储器。英特尔的3DXPoint快闪存储器其实是PCM（相变存储器）的一种，它不但可以取代NAND闪存，而且也有可能取代DRAM。3DXPoint集合了DRAM和NAND闪存的数据存储优势， 较传统的NAND闪存速度快1000倍，读/写重复性也强1000倍，存储密度比DRAM高10倍。现在服务器数据存储与日俱增，对系统快速分析、相应数据的要求不断提升，基于3DXPoint技术的高性能优势，将其最先用于企业级、数据中心的存储。对于消费类市场而言，由于3DXPoint昂贵的生产成本，所以在短时间内还很难用在PC或笔记本电脑上。每天一句话，送给在IC、泛IC和投资圈奋斗的你我，让我们共勉一

11、一任何成功都无法一蹴而就。每一阶段的抵达，都是一步一个脚印积累由来的。不急不躁，耐心努力，保持对新事物、新领域探索的好奇，就是行进在进步的路上。慢慢来，别着急，生活终将为你备好所有的答案。2016年全球闪存（Flash）的增长动力主要来自终端装置平均搭载的增加和固态硬盘 （SSD）需求的增长。根据ICInsights的统计，2016年全球闪存的市场NAND闪存占99%,NOR闪存占1%。由此可见，近年来NAND闪存市场规模呈现不断上升的态势，而NOR闪存市场规模日趋缩小。当前，NAND闪存正面临着先进制程转进、产品结构转换的关键时期。2016年上半年由于几乎所有的NAND闪存厂商转产3DNAN

12、D闪存，导致2DNAND闪存产生减少，而3DNAND闪存又产生有限，再加上智能手机、SSD容量大增， 导致市场供不应求， 从而刺激NAND闪存市场价格累积涨幅高达16%,也是近两年来首次由现价格大涨。一、全球闪存的主要供应厂商全球NAND闪存的主要供应厂商有三星、东芝、SK海力士、美光、闪迪和英特尔6家，其中前4家厂商均为IDM企业， 供应全球NAND闪存近90%的市场份额。其中，三星受惠于3DNAND闪存的制程技术领先于其他厂商，加上近年来高容量的eMMC/eMCP与SSD发展加速，持续在3DNAND闪存市场份额上列居第1位。目前其14nm制程的eMMC/eMCP已导入新上市的智能手机和平板

13、电脑中，14nm制程的TLC（三层单元） 产品也在2016年第一季度送样给模块厂商进行测试。其在未来的市场竞争中更具优势。东芝在2015年受供过于求的市场影响，平均销售价格下滑13%14%,市场份额也由2014年占22.2%下滑到2015年仅占18.5%,居全球第2位， 由此激发了其发展3DNAND闪存技术的积极性。2016年年初，48层3DNAND闪存开始上市，并增加投资建设新厂，以期大力发展3DNAND闪存产品。闪迪在2015年第四季度15nm2DNAND闪存产生比重为75%,同时在主力发展TLC产品的情况下，TLC产品比重也达70%,它的包含SAS、SATA与PCTe接口的企业级SSD深

14、受用户好评。从2016年起，48层3DNAND闪存开始小批量试产。二、全球闪存的技术发展当前全球NAND闪存产业正处在2DNAND闪存（平面NAND闪存）向3DNAND闪存的转进期。过去10年，随着2DNAND闪存制程技术的发展， 制程技术向着12nm （1215nm）逼近，越来越接近可量产的物理极限。2DNAND闪存的存储密度也很难突破12GB容量， 自然也不会给生产厂商带来更高的成本效益。 另外，2D技术是平面结构，随着存储密度的增加，每个存储单元的电荷量会下降， 相邻存储单元之间的干扰也会增加， 这样会影响NAND闪存的性能。在当前发展的3DNAND闪存中，3D技术采用垂直排列的立体结构

15、， 多层环绕式栅极 （GAA）结构形成了多电栅极存储器单元晶体管，可以有效降低堆栈间的干扰， 使NAND闪存性能更加优异、 功耗更低、容量更大。2016年，NAND闪存供应商向3DNAND闪存技术推进迅猛。据业界估计，由于三星、东芝、美光和SK海力士等厂商纷纷扩大3DNAND闪存量产，2016年全球3DNAND闪存占整体NAND闪存产能的15%左右，2017年将进一步提升到30%以上。三星和东芝的3D技术更是增加到64层堆叠。二、全球NAND闪存主要厂商的表现（一）三星自2013年8月三星率先宣布成功推由3DNAND闪存之后， 三星便一马当先发展3DNAND技术。2014年年初，三星领先业界采

16、用24层堆叠量产3DNAND闪存，2016年扩大到48层3DNAND闪存量产。48层相较于32层堆叠的存储容量可提高40%,并在2016年年底三星的3DNAND闪存生产比重已提升至40%。三星除了在我国西安量产3DNAND闪存，2016年韩国华城Fab16的16nm2DNAND闪存芯片生产线改造成20nm48层3DNAND闪存生产线，并计划再将韩国华城的Fab17生产线用于生产3DNAND闪存，以稳固其在3DNAND闪存市场上的地位。2016年，三星在3DNAND闪存技术上的最大进展是实现了64层堆叠。该技术单颗NAND闪存芯片容量增加到512GB,较48层堆叠的存储密度又增加了一倍，2016

17、年年底已开始供货。三星还计划在2017年基于64层3DNAND闪存推由容量高达32TB的企业级SASSSD,并声称到2020年将提供超过100TB的SSDo（二）东芝随着3DNAND闪存技术的不断提升，东芝宣布其64层堆叠3DNAND闪存开始送样给用户。 初期样品的存储密度为256GB,然后再提高到512GB量产。另外，东芝在2015年开始改建的Fab2工厂已在2016年上半年投入生产。随着3DNAND闪存量产的不断增加，东芝的目标是在2017年将整体3DNAND闪存生产比重提高至50%,2018年进一步提高至90%左右的水平。（三）SK海力士目前，SK海力士的3DNAND闪存以36层MLC（

18、多层单元）为主，良率可达90%以上。除了用于企业级SSD产品，还积极导入嵌入式产品中应用，最新的UFS2.1和eMMC5.1采用的就是SK海力士的第二代36层3DNAND闪存， 目前这些产品均已进入量产阶段。进入2016年，SK海力士的48层3DNAND闪存芯片已向用户送样， 并进一步声称在2016年年底和2017年年初完成72层3DNAND闪存的研发。这是一项十分具有挑战性的工作。目前，SK海力士主要在韩国清州M11/M12工厂生产3DNAND闪存芯片，还计划将M14工厂的二楼用于生产3DNAND闪存，2017年上半年投入生产，而且计划投资15.5兆韩元新建另一座存储器工厂。 （四）美光美光的32层堆叠3DNAND闪存芯片主要在新加坡工厂量产。 基于32层3DNAND闪存技术，美光面向消费类市场推由了BX300系列和1100系列的3DSSD,最大容量可达2TBo为了在技术上赶超竞争对手，美光于2016年年初扩建的Fab10X工厂开始量产。计划下一代3DNAND闪存技术跳过48层，2017年直接跳到64层。而且现在的16nm2DNAND闪存技术也将直接切换到生产3DNAND闪存， 预计2017年美光3DNAND闪存的