（精选）量子阱红外探测器(QWIP)调研报告

1、量子阱红外探测器（量子阱红外探测器（QWIP）调研报告）调研报告信信 息息 战战 略略 中中 心（心（2007.07.122007.07.12）引言引言.21、量子阱红外探测器的原理、量子阱红外探测器的原理.31.1 量子阱红外探测器基本原理简介.31.2 QWIP 的几种跃迁模式.41.3 量子阱结构的选择.61.4 QWIP 的材料选择.71.5 入射光的耦合.91.6 QWIP 的性能参数.111.7 量子阱周期数对器件性能的影响9.121.8 QWIP 的抗辐射机理与方法.13参考文献：.172、量子阱红外探测器的制备方法、量子阱红外探测器的制备方法.192.1 直接混杂法制备红外探测

2、器焦平面阵列像元.193、量子阱红外探测器的国内外主要应用、量子阱红外探测器的国内外主要应用.223.1 红外探测器分类.223.2 红外探测器发展历程.233.3 红外探测器基本性能参数.233.4 各种焦平面阵列（FPAS）的性能比较.253.5 红外成像系统的完整结构.263.5.1 焦平面结构.273.5.2 读出电路.273.6 QWIP 探测器实例分析.293.7 QWIP 的应用领域及前景分析.31参考文献：.33引言引言半导体量子阱(Qw)、超晶格(SL)材料是当今材料科学研究的前沿课题，被比喻为实验中的建筑学， 即以原子为最小砌块的微观建筑学。它所产生的人工晶体， 其性质可人

3、为改变控制， 它比通常意义上的晶体材料具有巨大的优越性和发展前景。它的一个极有前途、极为重要的应用领域是新型红外探测器， 即第三代红外焦平面量子阱探测器。量子阱新材料是发展新型红外探测器的先导。红外焦平面探测器是从单元和线阵基础上发展起来的第三代红外探测器， 它标志着热像技术已从“光机扫描”跃进到“凝视” 这个高台阶， 从而使热像系统的灵敏度、可靠性、功能容量及实时性等都获得无以伦比的瞩目进步。众所周知， 探测器是决定红外系统属性的主要矛盾，基于红外焦平面探测器的问世， 它与信号读出处理电路一体化的成功， 以及长寿命闭环斯特林致冷器的实用化， 使红外焦平面探测器在以下重要领域得到重要应用或正在

4、考虑其应用： 空间制导武器。如用焦平面探测器导引头拦截卫星； 红外预警卫星及机载红外预警系统； 巡航导弹、地地导弹、空地导弹、防空导弹、海防导弹及反舰导弹的红外制导系统的基本组成； 地基(包括舰艇平台)红外制导站及红外搜索， 跟踪系统； 小型导弹制导及夜间瞄准； 坦克、飞机、舰艇等运载工具的夜间观测、目标瞄准、自动跟踪等。红外焦平面探测器早期实用的是Pbs， 现在的重点是碲镉汞，Si：Pt及半导体量子阱焦平面探测器。其中半导体量子阱焦平面探测器， 在五年内接近走完了碲镉汞(MCT)探测器30年的历程， 现在虽然在探测度指标上还不如MCT， 但经过进一步的攀登， 这种完全靠科学家、计算机的， 由

5、MBE或MOCND技术制造的新一代焦平面器件可能成为现代国防的复眼。无疑，今后哪个国家能抢占这个高地，这将在各国国防力量的对比方面产生重要的影响。1 1、量子阱红外探测器的原理、量子阱红外探测器的原理1.11.1 量子阱红外探测器基本原理简介量子阱红外探测器基本原理简介传统带间光吸收指电子吸收光子后，从价带跃迁到导带，从而产生一个光生电子空穴对，这些光生载流子在外加偏压的作用下，被收集形成光电流，这是传统基于带间吸收半导体光电探测器的基本原理。这种吸收要求光子的能量大于材料的禁带宽度，因此对于红外光来讲，需要材料具有很小的禁带宽度才能发生这种光吸收。比如要探测 10m 波长的红外辐射，需要材料

6、的禁带宽度小于 0.1eV。因此基于传统带间吸收的红外探测器一般采用具有窄带隙的HgCdTe 材料。对于“宽”带隙材料构成的多量子阱结构，通过量子阱结构与掺杂的设计，在量子阱内形成特定的子能级，这样在红外光的作用下，可以发生量子阱内子能级之间或者子能级到连续态之间的跃迁（图 1.1.1）1，这些受激发的载流子在偏压作用下被收集形成光电流。这就是量子阱红外探测器（QWIP）的基本原理。图 1.1.1 量子阱的能带结构与带内跃迁1量子阱红外探测器利用半导体多量子阱（超晶格）材料制成,其机理是利用量子阱导带（或价带）内子能带间或子能带到扩展态间的电子（或空穴）跃迁。根据探测波段的不同可分为：以 In

7、P 衬底上生长的 InGaAs/InAlAs QWIP 为代表的短波红外探测器；以 AlGaAs/GaAs QWIP 为代表的中长波探测器。电学结构方面，一般为 N-I-N（n 型）和 P-I-P 型（p 型）。比如，对于载流子为电子的 n型 QWIP，两端 N 型掺杂层作为接触层，中间的 I 区为低掺杂的多量子阱区域。无光照时，电子被束缚在导带阱内，I 区的电阻很高，在红外辐射下，I区的束缚电子跃迁到激发态，在偏压作用下被两端电极收集形成光电流。1.21.2 QWIPQWIP 的几种跃迁模式的几种跃迁模式在量子阱结构设计中，从减小器件暗电流，提高探测器探测率角度出发，研究人员先后提出了四种跃

8、迁模式23：束缚态到束缚态（B-B QWIP）、束缚态到连续态（B-C QWIP）、束缚态到准束缚态（B-QB QWIP）以及束缚态到微带（B-MiniB QWIP）。图 1.2.1 束缚态到束缚态跃迁的能带结构示意图2世界上第一台 QWIP 就属于 n 型掺杂的 B-B QWIP。量子结构如图 1.2.1 所示，基态和第一激发态均为束缚态。当探测器吸收红外辐射，位于基态的电子受光激发越迁到第一激发态，在偏置电场作用下隧穿出量子阱，形成光电流。由于这里存在电子遂穿过程，所需的偏置电压较大（3V），并且势垒厚度也不宜过大，因此这种遂穿模式中基态电子遂穿引起的暗电流较大。如果适当增加势垒厚度和高度

9、可以减少引起暗电流的基态电子隧穿数目，从而提高器件的探测率。通过减小阱宽，使 B-B QWIP 中的第一激发态成为连续态，即束缚态到连续态跃迁的 QWIP（B-C QWIP），如图 1.2.2 所示2。B-C QWIP 的主要优点是电子直接被激发到连续态上，不需要隧穿过程，可以降低收集光电子所需的偏置电压从而降低暗电流。另外不需要考虑势垒厚度对光电子收集效率的影响，可以通过增加势垒厚度有效地降低由基态电子隧穿引起的暗电流。Levine 等4早在1990 年就基于这两个因素，使 B-C QWIP 的探测率达到 31010cm Hz1/2/W，截至波长10m，工作温度 68K。图 1.2.2 束缚

10、态到连续态跃迁的能带结构示意图2一般认为，较低温（50K）时，暗电流基本由基态载流子的连续共振遂穿决定，在较小偏压下其值会大幅降低；较高温（77K）时，暗电流基本由载流子的热激发决定。因此为了进一步降低暗电流，提高探测率，1995 年加州理工学院的 Gunapala 等人设计了基态为束缚态，第一激发态为准束缚态的量子阱结构。通过改变阱宽、势垒宽度和高度，使第一激发态位于量子阱的顶部（图1.2.3）。如图 1.2.4 所示，在 B-C QWIP 中，对热激发而言势垒高度比光激发低，因此热激发的噪声较大；而在 B-DB QWIP 中，热激发和光激发的势垒是一样大的，因此相比于 B-C QWIP，大

11、大降低了其暗电流，也就提高了器件的探测率。图 1.2.3 束缚态到准束缚态跃迁的能带结构示意图3图 1.2.4 B-C QWIP 和 B-DB QWIP 能带结构示意图以及暗电流对比2另一中跃迁模式为束缚态到微带（B-MiniB QWIP）的跃迁，如图 1.2.5 所示。各量子阱内子能级之间的耦合产生了一定的微带，载流子从基态跃迁到这一微带中发生输运作用。图 1.2.5 束缚态到微带跃迁的能带结构示意图31.31.3 量子阱结构的选择量子阱结构的选择器件设计时，量子阱结构一般设计成对称的矩形结构，这样的优点是：量子阱中能级的计算简单，便于材料结构和器件结构的设计。但是对称的量子阱结构中，能级之

12、间的跃迁选择性强，也就导致了响应波长相对单一，另外，设计对称的量子阱结构中可变的参数也相对较少。非对称量子阱结构也被广泛用于 QWIP 器件中，它给设计带来了更多的自由度以及更多的可选跃迁波长。比如对于图 1.3.1 中的阶梯量子阱1，我们可以观测到 E1到 E2以及 E1到 E3的跃迁，而在对称量子阱中，E1到 E3的跃迁则是被跃迁禁止的。图 1.3.1 阶梯量子阱能级以及能级间跃迁11.41.4 QWIPQWIP 的材料选择的材料选择目前量子阱红外探测器的研制绝大部分基于 GaAs 基的 GaAs/AlGaAs 多量子阱或者 GaAs/InGaAs/AlGaAs 多量子阱；其中前者材料的晶

13、格相匹配，有利于生长高质量的量子阱材料，后者在材料生长时应该考虑到晶格失配带来的应力问题，但是后者在量子阱结构设计方面的自由度更大，有利于实现不同红外波段的探测。当然，在同一 GaAs 衬底上，也可以同时存在 GaAs/AlGaAs 量子阱和GaAs/InGaAs/AlGaAs 量子阱，并且通过变化其中 Al、In 的组分以实现多色探测5。GaAs 基材料生长与器件制备工艺已经相当成熟，这非常有利于制备大面积的 QWIP 焦平面阵列（FPA） 。目前，GaAs 基 FPA 已实现商品化，相对于 HgCdTe FPA，在成品率和成本控制上具有很大优势。GaAs 基 QWIP 的优点主要有：（1）

14、波长连续可调；（2）材料生长和器件制备技术成熟，可获得大面积、均匀性好、低成本、高性能的红外焦平面；（3）光谱响应带宽窄，可控制（约为 1m） ，在不同波段之间的光学串音小，可以通过不同材料结构设计获得不同波段的响应，适合制作双色、多色焦平面探测器。（4）抗辐射，适合于天基红外探测及其应用。可以说，这些 GaAs 基 QWIP 的优点基本上代表了整个 QWIP 的优点。目前，对 InP 基 QWIP 的研究也投入了相当的工作67，相对于 GaAs 基材料，InP 基材料的优势主要有：（1）In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 异质结构与 InP 衬底晶格匹配，且其导带带阶

15、为，高于 GaAs/AlGaAs 量子阱,因此550CEmeV易于制作短波长 QWIP。 （2）InP 基近红外（特别是光通信波段）探测器和激光器的发展相当成熟，In0.53Ga0.47As/InP 异质结构晶格匹配，被广泛用于光通信光源和探测器并有着高度发展的制备工艺。InP 基 QWIP 易于实现近红外、中红外、远红外波段的多色探测。 （3）与 GaAs/AlGaAs 相比，InP 基 QWIP 的响应度较高，因为电子在 AlGaAs 中的输运容易受到氧相关缺陷的影响，并且 Al 的氧化不利于某些器件制作工艺，而 InP 基 InGaAsP/InP 材料不存在这些问题，因此在 In0.53

16、Ga0.47As/InP 材料中，热电子的平均自由程要远大于 GaAs/AlxGa1-xGs材料，利于载流子输运，提高响应度。当然 InP 基材料相对于 GaAs 基材料来说，其不足也很明显。比如，InP 基材料较为昂贵，制作大面积 FPA 方面成本较高；另外 InP 材料易碎，给器件制备带来一定困难。InAs/GaInSb 超晶格结构具有型能带结构，如图 1.4.1 所示，其中分别形成了电子（E1）和空穴（HH1）的微带结构，这样整个超晶格结构的带隙基本在0250 meV 之间变化，可以实现红外光探测。当然，该材料体系被应用于红外光探测，其机理与 QWIP 完全不同。图 1.4.1 InAs

17、/GaInSb 超晶格的能带结构示意图8InAs/GaInSb 超晶格结构对正入射光有很强的吸收，因此可以得到很高的响应度，目前基本已经达到 HgCdTe 材料的水平；另外，光伏的工作模式、较高的工作温度也是其优势。这种材料在第三代红外光探测系统中具有很强的竞争力。但是这一材料体系，发展的较晚，在材料生长、器件制备工艺、衬底的选择方面都存在一定的问题8。1.51.5 入射光的耦合入射光的耦合根据量子跃迁选择定则，对于 n 型量子阱红外探测器，只有电矢量垂直于量子阱生长面的入射光才能被子带中的电子吸收由基态跃迁到激发态，所以需要进行光耦合才能使辐射被探测器吸收。一种方法是让入射光线与量子阱成 4

18、5角，即边耦合方式（图 1.5.1），就是在器件的一边刻蚀出倾角为 45的斜面，这种耦合方式只适用于线阵列和单个器件而且这种耦合方式也不够均匀。图 1.5.1 边耦合结构示意图2二维周期光栅耦合(CGW)是目前应用最广泛的耦合方式（图 1.5.2），光栅在探测器表面的 2 个垂直方向上周期性重复。红外光束在量子阱区经历 1 次衍射，2 次反射。虽然 CGW 耦合模式比边耦合模式好，但是光栅耦合依靠集合的衍射效应，光敏元台面越大耦合的量子效率和探测率越高，但为了提高器件的分辨率必须减小台面尺寸，而这样做会影响 CGW 耦合的性能参数。并且 CGW 耦合对探测波长有选择性，这是由光栅耦合固有特性决

19、定的。这些因素都制约了光栅耦合技术在宽带探测和复色探测方面的应用。图 1.5.2 二维周期光栅耦合示意图2随机反射耦合(CRR)是针对不同的探测波长设计所需要的随机反射单元（图1.5.3），通过光刻技术在顶层 GaAs 接触面上随机刻蚀出反射单元，形成粗糙的反射面，垂直于衬底入射光束遇到反射面将发生大角度反射，这些角度大部分符合全反射条件，光束被捕获在量子区域，只有晶体反射锥角内小部分辐射逃逸，从而增加了可吸收路径次数，提高了量子效率和探测率。无论对于大面积焦平面阵列还是单个器件，随机反射耦合都是一种比较优秀的耦合方式。但是由于光刻工艺的制约，在光敏元台面面积较小的情况下，在台面上刻蚀反射单元

20、比较困难，所以 CRR 耦合不太适合小面积的光敏元。图 1.5.3 随机反射耦合示意图2波纹耦合是由普林斯顿大学的科学家提出的（图 1.5.4），它是通过化学的方法，在量子阱区域刻蚀出 V 型槽，刻蚀深度达到底层 GaAs 接触层，器件表面就由一些三角线组成。如图示光路，光在 AlGaAs 和空气界面发生全反射，入射光束在量子阱区的路径几乎平行于量子阱生长面，有利于量子阱对辐射的吸收，提高器件量子效率。波纹耦合的光耦合效率与 V 型槽的数目关系不大，因此波纹耦合更适于光敏元小的探测器。在波纹耦合中全反射与探测器的波长没有关系，所以探测的波长范围可以从 3m17m，对于宽带探测和复色探测来说，波

21、纹耦合是理想的光耦合模式。图 1.5.4 波纹耦合结构示意图21.61.6 QWIPQWIP 的性能参数的性能参数图 1.6.1 QWIP 中量子阱结构示意图8QWIP 的性能一般由以下几个参数表征：QWIPQWIP 光电流：光电流：，q 为电子电量，F 为入射光子流（1/s） ，为量子piqF g效率，g 为光电流增益：（为载流子漂移速度，为上能级寿命，dLTOTvgLdvL为超晶格的总长度） 。TOTL暗电流：暗电流：较低温（1Mrad(HgCdTe)的辐照下仍能工作。这意味着混成结构的探测器的抗辐射能力不再由其敏感元列阵决定，而主要由CMOS读出电路决定。敏感元列阵和读出电路通过铟柱焊接

22、在一起，敏感元列阵必须工作在低温下，所以读出电路也在低温下工作。由于氧化层的电荷捕获作用在低温下得到加强，CMOS在低温下的总剂量效应变得比室温时更严重。敏感元列阵与未经过抗辐射加固的读出电路组成的器件在数十Krad(SiO2)的辐射下就会失效。低温下抗辐射剂量达Mrad(SiO2)的读出电路也可以生产，但这样器件的成本会很高，有生产能力的生产线也很少目前一些商用CMOS电路也有一定的抗辐射能力，这样在一些商用生产线上生产该探测器就成为可能。这样生产出来的器件就可以适应空间辐射环境。（2）量子阱红外探测器量子阱红外探测器，采用了“宽”带隙的多量子阱结构，其材料本身的抗辐照性能要大大好于HgCd

23、Te材料。但是在射线等电离辐射的轰击下，量子阱红外探测器的量子阱价带中的电子会吸收这些高能射线后跃迁到导带中，产生出电子-空穴对，即产生了辐照的电离效应。然而，量子阱红外探测器是利用导带中电子吸收红外辐射光子，发生子带跃迁而产生光电流信号。高能射线引起的电子和空穴电流，成为量子阱红外探测器中的主要噪声来源。有研究表明12，InGaAs QWIP经不同剂量的射线辐照后，器件的响应光谱和信号没有发生明显的变化，而器件的暗电流和噪声则随着辐照剂量的增大而增大，零偏阻抗逐渐减小，表明器件经射线辐照后探测率变小，性能下降（图1.8.1所以）。图1.8.1 QWIP经辐照后光电流和暗电流的变化量子阱红外探

24、测器抗辐照的方法和措施，主要有器件结构的特殊设计和采取涂覆钝化吸收层两个方面。如图1.8.1所示13，在量子阱红外探测器的顶部增加一个p-n结，其中p型接触层可以收集高能射线引起的空穴，n型接触层可以收集高能射线引起的电子。通过测量空穴电流大小，并从测得的电子电流中扣除和空穴电流一样大小的电子电流，从而消除了高能射线引起的噪声信号，可得到量子阱红外探测器吸收红外辐射产生的光电流信号。图 1.8.1 器件能带以及载流子输运示意图13对于从衬底入光的量子阱红外探测器，可以在衬底上生长 CdTe (0.5 micron), Si3N4(1 micron) 和类金刚石材料(0.2 micron)（图

25、1.8.2）。这些抗反射层可以吸收高能射线，避免了高能射线在量子阱红外探测器中产生电子-空穴噪声信号，阻挡了高能粒子和射线对量子阱红外探测器的轰击，而且对红外辐射光子几乎是完全透明的14（图 1.8.3）。图 1.8.2 几种钝化吸收材料的性质图 1.8.3 钝化结构示意图参考文献：参考文献：1 B. F. Levine, “Quantum-well infrared photodetectors”, J. Appl. Phys. 74(8): R1, (2003).2 连洁，王青圃，程兴奎，魏爱俭， “量子阱红外探测器的研究与应用” ，光电子 激光，13（10）：1092， （2002） 。

26、3 熊大元， “量子阱红外探测器及相关量子器件的研究进展” ，红外，27（12）：10， （2006） 。4 B. F. Levine, C. G. Bethea, G. Hasnain, et al., “High sensitivity low dark current 10m GaAs quantum well infrared photodetectors”, Appl. Phys. Lett., 56(9-10): 851, (1990).5 S.D. Gunapala, S.V. Bandara, J.K. Liu, et al., “Towards dualband megapi

27、xel QWIP focal plane arrays”, Infrared Physics & Technology, 50(2-3): 217, (2007). 6 S.V. Bandara, S.D. Gunapala, D.Z. Ting, et al., “Monolithically integrated near-infrared and mid-infrared detector array for spectral imaging”, Infrared Physics & Technology, 50(2-3): 211, (2007).7 L. Sun, D

28、.H. Zhang, K.H. Yuan,et al., “InGaAsP/InP long wavelength quantum well infrared photodetectors”, Thin Solid Films, 515(10): 4450, (2007).8 Janet L. Pan, Clifton G. Fonstad Jr., “Theory, fabrication and characterization of quantum well infrared photodetectors”, Materials Science and Engineering, 28:

29、65, (2000).9 刘松妍， “新型 GaAs/AlGaAs 量子阱中远红外探测器的研究与改进” ，北京工业大学硕士学位论文，2002。10 G. Hasnain, B. F. Levins, S. Gunapala, and Naresh Chand, “Large photoconductive gain in quantum well infrared photodetectors”, Appl. Phys. Lett., 57(6): 608, (1990).11 廖毅， “空间辐照环境及红外光子探测器的辐照效应” ，红外，27（5）：1， （2006） 。12 黄杨程，黄光明，

30、刘大福，龚海梅， “InGaAs 红外探测器的辐照研究” ，功能材料与器件学报，11（1）：68， （2005） 。13 C. S. WU, C. P. WEN, P. REINER, C. W. TU and H. Q. HOU, “Radiation hard blocked tunneling band GaAs/AlGaAs superlattice long wavelength infrared detectors”. Solid-State Electronics, 39(9): 1253, (1996).14 Ashok K. Sood and Yash R. Puri, et

31、 al, “Development of High Performance Radiation Hardened Antireflection Coatings for LWIR and Multicolor IR Focal Plane Arrays”, Proc. of SPIE, 6206: 620615, (2006).2 2、量子阱红外探测器的制备方法、量子阱红外探测器的制备方法2.12.1 直接混杂法制备红外探测器焦平面阵列像元直接混杂法制备红外探测器焦平面阵列像元现今大多数红外焦平面阵列（FPAs）采用混杂方法来制备，为了使得器件具有更高的稳定性和低成本， 整合了 Si 基 RO

32、IC 的 FPA 像元将会是今后红外探测器阵列的发展趋势。红外线焦平面阵列的制备工艺主要分为三类，包括直接混杂法、双边整合法和选择性外延整合法。在报告中重点介绍了用直接混杂法制备整合 Si 基 ROIC 红外探测器焦平面阵列像元的工艺过程，并简单解释了每一个工艺步骤的基本原理和必要性。单个 FPA 像元如图 1 所示，在图中包括了各个部件在像元中的分布位置以及互接情况。铟链接块填充材料Si 基底金属连接片超晶格薄层钝化层半绝缘基底UMB(Under Bump Metallury)图 1 单个 FPA 像元放大图整个像元制备过程包括 10 个步骤，下面详细介绍每个步骤的内容，工艺以及某些细节问题

33、：1. QWIP 薄膜与 FPA 像元基底生长。QWIP 薄膜的生长和 FPA 像元基底的生长可以用 MOCVD 或者 MBE 工艺同时进行，QWIP 薄膜的生长质量非常重要，其对整个器件的性能具有决定性的作用。2.FPA 像元制备。在这一步中使用紫外光刻蚀法将 QWIP 薄膜刻蚀成阵列单元像素点。对于大尺寸的 FPA，像素点之间的间距一般在 25 到 40um。3.探测器像元表面钝化像素点生成后用 PECVD 工艺在像素点和基底外表面上沉积一层钝化膜，其材料一般选用 Si3N4和 SiO2。钝化膜的作用从内在来看是为了去除表面的缺陷，改善表面特性，外在来看是为了保护器件不受外界的影响，但最终

34、的目的都是防止器件因电老化而失效。4.钝化膜刻蚀为了使像元吸收光子后激发的非平衡载流子经过 QWIP 薄膜调幅后能流出并产生电信号，因此需要将 QWIP 上的钝化膜刻蚀出开口。5.触头金属片连接过程触头金属片不做成圆片形而做成帽檐形状是因为器件工作的时候在钝化膜开口直角与 QWIP 薄膜接触处有微弱的干扰电场，这个电场会被器件极大地扩大从而使器件工作时失效，帽檐状的触头金属片可以有效地消除这种干扰电场。6.铟柱生长在生长铟柱之前需要在器件上沉积被称为 UBM (Under Bump Metallurgy)的部件，它可以用来加固铟柱与触头金属片的连接。 然后在 UMB 上用蒸镀或者电镀的方式生长

35、铟柱，铟柱首先起的是探测器像元和 ROIC 之间的电气，机械互联作用，另外它还可以增加 FPA 像元的高度，像元高度的适当提高可以减少 ROIC与 FPA 之间不平行所带来的器件性能弱化。 选择铟这种材料的原因有二，其一，铟在极低的温度（如液氦温度下）下能保持很好的延展性，机械性能好，因此可以对其进行“冷焊” 。其二，室温下，49 号元素铟有低熔点（156.6 C） ，并且十分软（室温下的屈服强度仅为 1.4MPa 布氏硬度为 0.9，甚至在室温下，铟已经处于其绝对温度下熔点的 0.698Tm） ，因此处于该材料的热加工温度范围。所有这些特性使得铟作为低熔点焊料适合于要进行低温互联的电子器件，

36、尤其是红外器件的互联。7.Si 基 ROIC 与 FPA 像元之间的焊接首先在 Si 基底上贴好与对应于 FPA 像元分布的 ROIC，然后用倒装焊接的工艺将已得到的 FPA 像元倒过来焊接于其上。Si 基 ROIC 于 FPA 像元之间的高度主要由焊接时的压力大小和铟柱本身的高度决定，由于 Si 基 ROIC 于 FPA 像元之间的不平行会降低红外焦平面器件的性能，因此倒装焊接工艺一般在倒装焊接校准台上进行以保证平行度。8. FPA 像元与 ROIC 之间的空隙填充FPA 像元与 ROIC 之间的空隙填充物质一般为环氧基树脂，环氧树脂的填充首先可以提高红外焦平面阵列器件的机械强度以抵抗外界剧

37、烈机械运动影响的能力（剧烈振动和冲击作用） ，另外还可以减小 FPA 像元与 ROIC 之间热膨胀失配以及保护器件各元件不受外界水分的侵蚀和离子污染。9.FPA 基底减薄减薄 FPA 基底的作用一方面是为了进一步减小 FPA 像元与 ROIC 之间的热膨胀失配，另外一方面主要的作用是消除像元与像元之间的光波干扰，提高器件的红外光学耦合特性。10. FPA 混杂器件封装减薄后 FPAs 器件的制作工序基本完成，但是还需要将制作好的 FPAs 器件集成到无铅的陶瓷载体芯片 LCCC(Lead-free ceramic chip carrier)上。首先要用膜片键合工艺将 FPA 混杂器件链接到 L

38、CCC 上，然后用金属线键合工艺将FPA 混杂器件的输入输出端连接到 LCCC 上的针脚以形成一个完整的回路。在器件整个制备过程中，第一步中 QWIP 薄层生长质量对器件的各项性能有决定性的作用，第六步的铟柱生长是最复杂，问题最多的一个环节，但是对于微电子器件制造来说， 所谓堤溃蚁穴，每一个环节都非常关键，都影响到大局。3 3、量子阱红外探测器的国内外主要应用、量子阱红外探测器的国内外主要应用3.13.1 红外探测器分类红外探测器分类红外探测器是一种辐射能转换器，主要用于将接收到的红外辐射能转换为便于测量或观察的电能、热能等其他形式的能量。根据能量转换方式，红外探测器可分为热探测器和光子探测器

39、两大类1。热探测器的工作机理是基于入射辐射的热效应引起探测器某一电特性的变化，而光子探测器是基于入射光子流与探测材料相互作用产生的光电效应，具体表现为探测器响应元自由载流子（即电子和/或空穴）数目的变化。由于这种变化是由入射光子数的变化引起的，光子探测器的响应正比于吸收的光子数。而热探测器的响应正比与所吸收的能量。按照具体换能方式的不同，红外探测器还可以进行更为细致的分类（如图3.1 所示） 。热探测器的换能过程包括：热阻效应、热伏效应、热气动效应和热释电效应。光子探测器的换能过程包括：光生伏特效应、光电导效应、光电磁效应和光发射效应。而量子阱红外探测器属于光子探测器的一种。图 3.13.1

40、红外探测器的分类3.23.2 红外探测器发展历程红外探测器发展历程40 年代后期到 50 年代，为提高红外探测器的灵敏度和效应速度，光子探测器得到迅速发展。PbS 是第一种实用的红外探测器，可响应至 3 微米，PbS 在二次大战中期间在德国发展起来的，并在战争中得到多种应用。从第一种实用的红外探测器出现以来，已经有半个多世纪了，而红外成像系统也已经发展到第三代，第一代是由探测器线列实现扫描成像，60 年代后期，由于硅 CCD 的发明，使得带焦平面信号读出的第二代探测器阵列的设想成为现实。第二代的典型特征是系统由焦平面阵列和 ROIC 实现。QWIP 是在第二代末期出现的技术，目前已经发展到第三

41、代。图 3.23.2 红外探测器的发展历程相比于前两代，第三代红外成像系统将具有更高的分辨率、更快的帧速和更好的热稳定性，能够实现多色输出，并具有更多的片上功能2。此外，Reagoet 在 1999 年发表的文章3中认为，第三代设备还应该在非制冷成像能力上要有所突破。3.33.3 红外探测器基本性能参数红外探测器基本性能参数虽然各种红外探测器的作用机理不同，但其基本特性都可以用以下这些参数来描述：探测率探测率：，单位： ，其物理意义*optNA fA fDSNRRPi1/21cm HzW是 1 瓦辐射功率入射到光敏面积 1cm2的探测器上，并用带宽为 1 赫电路测量所得的信噪比。是归一化的探测

42、率，称为比探测率，读作 D 星。用来比较*D*D两个探测器的优劣，可避免探测器面积或测量带宽不同对测量结果的影响。它反映的是探测器的探测能力，数值越大的探测器探测性能越好。*D响应率：响应率：，单位为，响应率等于单位辐射功率入射到ssidIIRHAPWA/探测器上产生的信号输出，因为测量响应率时是不管噪声大小的，可不注明只与噪声有关的电路带宽。响应率与探测器的响应速度有关，光子探测器的频率响应特性如同一个低通滤波器。在低频段响应较为平坦，超过转角频率后响应明显下降。一般均在低频下测量响应率，以消除调制频率的影响。表面上看，只要探测率足够高，探测器输出有足够的信噪比，信号较弱是可以用电路放大的方

43、法弥补的。实际上响应率过低，就必须提高前置放大器的放大倍率，高倍率的前置放大器会引入更多噪声，如选用探测率较低但响应率高的探测器，系统的探测性能可能更好一些。因此，对系统设计者来说，探测器的响应率和探测率是同样值得关注的。等效噪声温差（等效噪声温差（NETDNETD）：）：，他反应探测器能DAfAANEPNNEoodo2/1)(分辨的辐射源的最小温度变化。工作温度：工作温度：探测器能正常工作的温度范围。帧速：帧速：每秒钟成像的帧数，反应的是红外成像系统的整体响应速度。纠正前的非均匀性（纠正前的非均匀性（precorrectionprecorrection nonuniformitynonuni

44、formity）：）：反应的是在经过纠正以前所成像的非均匀性，值越小越好。纠正后的非均匀性（纠正后的非均匀性（postcorrectionpostcorrection nonuniformitynonuniformity）：）：反应的是在经过纠正后所成像的非均匀性，值越小越好。3.43.4 各种焦平面阵列（各种焦平面阵列（FPAsFPAs）的性能比较）的性能比较图 3.3 列出的是目前比较成熟的各种焦平面阵列的性能比较4，最后一行是 qwipfpa，从各项性能指标上来看，qwip 并没有明显的优势，甚至在有些性能指数上还落后于其它几种焦平面阵列。不过 qwip 的几个明显优点使它更适于用来制作

45、第三代红外成像系统。图 3.33.3 各种 FPAs 性能比较首先，QWIP 材料生长和器件制备成熟，可获得大面积、均匀性好成本低、高性能的器件。目前 GaAs 衬地已能做到 6 英寸以上的规模，因而 QWIP 焦平面阵列可以做到很大规模，而 HgCdTe 红外探测器由于其衬底目前只能做到 1 英寸左右，所以 HgCdTe 焦平面阵列目前只能做到 1024*1024 的规模5。图 3.43.4 QWIP 和HgCdTe其次，QWIP 的波长连续可调，通过调节量子阱宽度和势垒高度可方便的获得 320um 的响应，而且由于光谱响应带宽窄，可控制在（1um） ，特别适宜制备双色、多色焦平面探测器。图

46、 3.53.5 QWIP 的光谱响应此外，QWIP 的热稳定性好并且抗辐射性强，这一切使得 QWIP 成为第三代红外成像系统最有力的候选者。3.53.5 红外成像系统的完整结构红外成像系统的完整结构一个完整的红外成像系统除了焦平面阵列还包括以下几个部分：光学镜头、读出电路、信号处理系统、制冷器以及显示屏。具体的系统结构如图 3.6 所示6。图 3.63.6 红外成像系统结构图红外光通过光学系统照射在探测器阵列上产生电信号，之后由读出电路读出，并通过信号处理系统对信号处理后通过多路输出系统输到显示系统进行成像。接下来我们对系统中的几个关键部分做一下简要介绍。3.5.13.5.1 焦平面结构焦平面

47、结构目前，高性能的二代、三代制冷性红外探测器组件普遍采用混成式结构。其中探测芯片就是由上述的各种材料制成，读出电路芯片为硅集成电路。图3.7 是以 HgCdTe 为例的混成式焦平面结构示意图，从图中我们可以看到，探测器通过铟柱和读出电路直接连接。这种结构有较好的可生产性，高密度的凝视成像阵列探测器通常都用直接混成的焦平面结构7。图 3.63.6 HgCdTe 的混成式焦平面结构示意图3.5.23.5.2 读出电路读出电路读出集成电路（ROIC）是把焦平面的各种功能集成在单一的半导体芯片中的高集成度电路。其基本功能是进行红外探测器信号的转换、放大以及多路传输。ROIC 通常用一般的硅集成工艺制造

48、，最常用的是 CMOS（互补金属氧化物硅）工艺，可使目前传感器达到较高的分辨率和灵敏度。图 3.8 是是读出电路的一般结构，在探测器阵列产生信号以后，读出电路通过时钟控制，用行列地址作为定位，依序将每个探测单元产生的信号输出。大多数 ROIC 的前置放大器都是在一定的积分时间内对探测器的光生电流进行电荷积累，形成信号。而积分的方式有很多种，而这里列出的两种读出模式是目前工业生产中最常使用的。电容反馈跨阻放大器读出模式（Capacitive Transimpedance Amplifier Readout）是在高增益放大器的反相端引入电容反馈，使探测器电荷在反馈电容上积分。这种方式的优点是探测器

49、偏置稳定，进而可得到线性更好的信号传递函数。它的增益由 Cint决定，因此可调。缺点是所占面积较大，功耗较大。另外一种是直接注入模式（Direct Injection Readout） ，这种模式是让光生电荷在 MOSFET 的漏极电容上积分，优点是偏置稳定，增益可调，不过可调范围较小。缺点是不适合用于低光子通量的情况，因为探测器电流较低时，输入阻抗增加，导致偏置不稳。图 3.73.7 读出电路一般结构图 3.83.8 电容反馈跨阻放大器读出模式 直接注入模式积分采样之后，我们必须通过多路传输器（MUX）将来自数十至成百上千的探测元信号依次传输到读出电路的单个输出端。最常用的多路传输器形式有：

50、1CCD ,它利用一系列连续的转移势阱，将电荷传输到浮置栅或扩散区。2MOSFET 开关，利用一套顺序接通的开关，将探测元信号连接至总线。路开关的寻址方式可以直接寻址，也可扫描寻址。a)直接寻址的多路传输器需要多条地址线，可以随机寻访焦平面中的任意一元。b)扫描寻址只需要引入复位、采样保持和时钟等信号，由芯片内部地址计数，顺序接通各个单元。下面我们通过一个具体实例来说明读出电路的工作模式，图 3.9 是法国sofradir 公司出产的 ML073 红外探测器的读出电路结构图。虽然这是比较早期的产品，但是很具有代表性，它采用 CMOS 多路开关读出方式，输出的数据共240 行。每行有 320 个

51、像元数据。每一列的像元共用一个积分放大器，不同列的像元信号同时积分，但是同一列像元信号并不同时积分，逐行积分，逐行读出，任何一个像元的最大积分时间都小于行周期。图 3.93.9 ML073 红外探测器的读出电路结构图3.63.6 QWIPQWIP 探测器实例分析探测器实例分析我们以 MDA 和 JPL/NASA 联合开发的一款 1K x 1K 中红外相机作为分析实例。这款产品是为了跟踪导弹发射而设计的，通过采用 multi-coupled-quantum- well 的结构来实现，并在四英寸的 GaAs 晶片上生长而成8，9。如图 3.10 所示：图 3.103.10 器件结构、光谱响应及 G

52、aAs 晶片设计的焦平面阵列性能如图 3.11 所示：图 3.113.11 FPA 性能参数生产出的实际样品如图 3.12 所示：图 3.113.11 实际样品图它的读出电路采用 Indigo 公司生产的 ISC0404，该芯片的主要性能参数如下表所示：阵列大小10241024帧速30Hz（4output）工作温度80K功耗130mV（16-output）探测器偏置范围0 to 0.5VROIC 噪声=282e-RMS*探测器偏置的分辨率5mV Pixel rate12.5MHz3.73.7 QWIPQWIP 的应用领域及前景分析的应用领域及前景分析QWIP 是一种光子探测器，探测的波长范围在 325um，响应速度快，特别是它本身容易做成焦平面阵列，所以常用在成像系统中。由