Array工艺原理及工程检查-DE

1、1DE工程工程21.TN型工艺流程（4Mask）GSPGPRGWEGPR剥离1st SiN CVD三层CVDDSPDIPRD1WEI/PR DED2WECHDEDIPR剥离PACVDCPRCDECPR剥离PISPPIPRPIWEPIPR剥离TN型工艺流程型工艺流程(4 MASK)32.TN型平面及断面构造（15型）像素部像素部G G端子端子G G保护回路保护回路D D端子端子D D保护回路保护回路42.TN型平面及断面构造（15型）GPRGPR后后GWEGWE后后G G剥离后剥离后三层三层CVDCVD后后G工程结束15型型平面平面构造构造52.TN型平面及断面构造（15型）DSPDSP后后DP

2、RDPR后后D1WED1WE后后I/PR DEI/PR DE后后15型型平面平面构造构造62.TN型平面及断面构造（15型）D2WED2WE后后CHDECHDE后后D/ID/I剥离后剥离后PA-CVDPA-CVD后后D/I工程结束15型型平面平面构造构造72.TN型平面及断面构造（15型）C-PRC-PR后后C C剥离后剥离后PI-SPPI-SP后后PI-PRPI-PR后后C工程结束15型型平面平面构造构造82.TN型平面及断面构造（15型）PIPI剥离后剥离后PI工程结束15型型平面平面构造构造92.TN型平面及断面构造15型断面构造型断面构造Gate线G绝缘层a-Sin+ a-SiDrai

3、n线SOURCEPA保护层ITO像素电极接触孔像素AAAA玻璃基板10DE工艺一、DE工艺及装置二、DE工程检查及不良三、MSDS简介11一、DE工艺及装置1、Dry Etching目的2、Dry Etching原理概述3、Dry Etching方式4、Dry Etching装置121、DE目的成膜工程成膜工程（ 、）、）剥离剥离工程工程刻蚀工程（刻蚀工程（ 、 ）13n反应气体在高频电反应气体在高频电场作用下发生等离场作用下发生等离子体放电。子体放电。n等离子体与基板发等离子体与基板发生作用将没有被光生作用将没有被光刻胶掩蔽的非金属刻胶掩蔽的非金属薄膜刻蚀掉。薄膜刻蚀掉。ETCHING GA

4、SPLASMA2、DE原理概述：基板基板14e-e-+PlasmaPlasmaRDEDE装置采用装置采用RFRF高频电源来产生交变电场。真空中电子高频电源来产生交变电场。真空中电子在电场作用下加速，与气体分子碰撞便产生了在电场作用下加速，与气体分子碰撞便产生了PlasmaPlasmaRF放电概要15e-+Blocking condenserBlocking condenserPlasmaPlasmae-RR阴极阴极阳极阳极产生后，由于电子质量小，先到达阴极而使之带产生后，由于电子质量小，先到达阴极而使之带负电（移动速度约是离子的负电（移动速度约是离子的10001000倍）阴极的负电位将吸引正离

5、倍）阴极的负电位将吸引正离子。子。RFRF电源侧电极有电源侧电极有blocking condenserblocking condenser，因而可以抑制过，因而可以抑制过剩的电子流入（和正离子电流等量）。剩的电子流入（和正离子电流等量）。RF放电概要16侧、主要是活性基侧、主要是活性基radicalradical的化学反应以及离子冲击的的化学反应以及离子冲击的物理反应物理反应+PlasmaPlasma+Blocking condenserBlocking condenserRRe-e-RF放电概要17SiFF+SiF4F*SiF4化学反应和物理反应化学反应和物理反应 18nPE ( Plasm

6、a Etching)nRIE (Reactive Ion Etching)nICP (Inductive Couple Plasma)3、Dry Etching方式19電源基板基板放置于接地侧电极上，主要为radical的化学反应。气体气体气体抽气泵过滤装置PE (Plasma Etching)20電源基板基板放置于RF电源侧的壁板上方，主要为radical的化学反应以及ion的物理撞击反应。抽气泵过滤装置气体气体气体RIE (Reactive Ion Etching)21電源基板電源下部电极侧施加RF电源，通过控制RF电压控制离子刻蚀。抽气泵过滤装置气体气体气体线圈状电极上施加RF电源。通过

7、控制RF电压，来控制Plasma密度。ICP (Inductive Couple Plasma)22项目项目PEPERIERIEICPICPEtching粒子RadicalRadicalIonRadicalIon方向性等方性刻蚀异方性刻蚀可以控制等方性/异方性Etching形状控制困难容易容易Plasma密度(cm3)Etching Rate小中中大Plasma damage小大可控制大/小压力范围(Pa)装置价格低廉低廉昂贵三种刻蚀方式比较三种刻蚀方式比较23/CassetteCassetteCassette搬送机械手搬送机械手/4、Dry Etching装置24大气压大气压大气压大气压真空

8、真空真空真空真空真空plasmaP/C P/C 刻蚀腔刻蚀腔T/C T/C 搬送腔搬送腔L/L 受入腔受入腔机械臂传送机械臂传送Dry Etching装置25二、DE工程检查及不良n设备管理项目n功率n气体流量n压强n冷却板温度n工艺管理项目nParticlenAOI检nE/R Rate（刻蚀速度）nChannel段差（量产抽检）nDEC还有TOK检1、DE工程检查26TYPE2TYPE1TYPE1减掉3300（D层厚度）就是CH刻蚀,TYPE2是D层加上三层a-Si的厚度（还有少量被刻掉的G-SiNx）27TOK1特性管理（点分布）116162631321127174322223713862

9、8333235791929344243915102030358259282、DE工程不良介绍n点缺陷n薄明G线29点缺陷： IDE工程Particle正常部-前-后完了后30particle正常部-前-后完了后31点缺陷： 工程particle正常部-前-后完了后32黑白灰度画面：白色G线，画面中部较明显，两侧几乎看不见TN型 薄明G线 P检画面1黑白灰度画面：白色G线，画面中部较明显TN型 薄明G线 P检画面2薄明G线： C工程33发生原因及相关工程：发生原因及相关工程：DEC刻蚀时接触电阻过大产生原因： DEC刻蚀过量 DEC刻蚀形状较差改善前改善后34三 阵列化学物品MSDS3.1 MS

10、DS介绍： MSDS是化学物品安全数据表（Material Safety Data Sheet)的缩写，国际上称作化学品安全信息卡。 a. MSDS是化学品生产商和进口商用来阐明化学品的理化特性（如PH值，闪点，易燃度，反应活性等）以及对使用者的健康（如致癌，致畸等）可能产生的危害的一份文件。 b. 是一份关于危险化学品的燃、爆性能，毒性和环境危害，以及安全使用、泄漏应急救护处置、主要理化参数、法律法规等方面信息的综合性文件。 c. 是传递化学品危害信息的重要文件。353.2 MSDS的作用n提供有关化学品的危害信息，保护化学产品使用者n确保安全操作，为制订危险化学品安全操作规程提供技术信息 n提供有助于紧急救助和事故应急处理的技术信息 n指导化学品的安全生产、安全流通和安全使用 n是化学品登记管理的重要基础和信息来源363.3 MSDS数据项目解释及说明n标识：品名、化学式或构造式、 CAS号、区分等n理化性质：外观、气味、比重、分子量、蒸汽密度、沸点、熔点等n危险、有害性：引火点、着火点、爆炸限