IXYSIGBT选型参考

1、IXYS IGBT 选型参考比较（管子底板而非外挂的散热器）温度有直接关系，通用的是25，为了更近实际，很多厂商会同时给出75、90、120等温度下的一种或多种数值。温度标（集电极与管子底板相连）。识是Tc ，表示集电极的温度Vce(sat：饱和压降，IGBT 饱和导通时集电极-这个数值越小，说明IGBT 的导发射极之间的电压差，通功耗越小。t fi ：关断时间，表示IGBT 开关速度的一个参数。指的是以一定频率的脉冲信号对IGBT 的开关特性进输出脉冲的下降沿的宽度。行测试时，I f ：集成的快恢复二极管正向能承受的最大正向直流电流，属于极限参数，对非纯阻性电路的设计有参考意义。表示t r

2、：集成的快恢复二极管的反向恢复时间，也标识为trr 。IXYS 的快恢复二极管开关速度的参数，IGBT ，字母后缀包含D1的，一般表示内部集成快恢复二极管，集成有快恢复二极管的系列型号除外。例如：IXGC16N60B2中没有快恢复二极管，而IXGC 16N60B2D1中则有快恢复二极管，其他规格相同。V GE ：IGBT 饱和导通时栅极所需要的最小电压（典型值）。NPT IGBT 和PT IGBT ：NPT 是“Non “Insulated Gate Bipolar Transistor ”IGBT 是的缩写，即“绝缘栅双极晶体管”，在结构和性能上都可以把它等效成一个沟道型场效应管和一个双极性

3、晶体管的是一个高阻的VMOS ，组合，从输入端看，从输出端看，如是一个大功率的双极型。IGBT 主要用于工业控制，电机驱动、高频感应电源等。高压供电条件下，2050kHz 的硬开关是IGBT 的主要应用领域。最常见的应用是电磁炉。与VMOS 不同，IGBT 的电路原理图符号中一般并（MOS 区寄生的二极管），如果符号中的不画出二极管集电极和发射极之间并联了二极管，则表示是额外集成了快恢复二极管。这个快恢复二极管在一般电路中可以充当续流二极管使用，电路中可以不必再并联高速二极管，从而简化了电路连接。一、主要技术参数与术语Vces ：栅极与发射极等电位，集电极-发射极之间所能承受的最大直流电压，如

4、果有快恢复二极管，指的是反向电压，属于极限参数。Ic ：IGBT 处于饱和导通状态，集电极-发射极测试时不用所能承受的最大直流电流，属于极限参数，通电时间一般是10s 以内。这个参数与散热片散热片，IGBT 的等效电路和常用电路符号1 指IGBT 的芯片生产工艺中的Punch-Through ”的缩写，离子注入工艺，IXYS 的NPT 工艺已经发展到了第三即NPT 。NPT IGBT 的中文意思是“单晶非穿通型代，32、中速系列IGBT 单管(可适用15kHz-40kHz 的硬开关型号Vces /Vfi Ic(25 (90 (sat(25 封装形式“非穿通型IGBT ”IGBT ”，常简写为，

5、更常见的写法仍然是“NPT IGBT ”。NPT 工艺是90年代发展起来的，与之前主流的PT IGBT （穿通型IGBT ）相比，NPT IGBT 的开关损耗下降了20%，安全工作区(SOA、短路承受能力、可靠性都相应有所提高，已经成为600V 以上IGBT 器件的主流生产工艺。2008年，IXYS 发布了最新的用于高压、高速IGBT 制程的XPT （Xtreme light Punch Through ），中文大意是超乎想像的NPT 工艺。“co-”co-pack ：一种不同种类多管芯封装工艺，对于IGBT ，有共同，联合之意，一般是指将IGBT 和快恢复二极管两种不同的管芯封装到一个单管中

6、的方法，也写作co-packaged 。需要说明的是，co-pack 并不是唯它只是一种广泛应用的方法，尤一的多管芯封装方法，以IR 为甚。Sonic 快恢复二极管：Sonic-FRD ，IXYS 推出超快速二极管：Sonic-FRD, 主要特点：很高的di/dt能力，拖尾电流非常良好的软恢复特性，反向恢复时间极短，小，有很好的高温稳定性，比较易于并联。二、高速PT IGBT1、低饱和压降IGBT 单管型号Ic Ic Vces(25 (90 /VVce(satt fi (25 封装形式3、中速系列集成快恢复二极管的IGBT 单管(可适用15kHz-40kHz 的硬开关型号fi fVces (s

7、at 封装形式/V三、高峰值电流耐受能力的PT IGBT1、低饱和压降系列型号Vces Ic(25 Vce(satt fi (25 /V/A/V/ns封装形式2、高速系列型号封装形式4、高速系列IGBT 单管（可以适用40kHz 以上的硬开关电路）型号Vces (25 (90 (sat(25 封装形式四、集成反向阻断二极管的IGBT 单管型号Vces t r(25 (90 (sat/ st f/ns封装形式五、采用Co-Pack 封装、集成快恢复二极管的高速IGBT型号fi 封装形式型号体二fVces 封装形式 (sat/V极管（续表）八、高压NPT IGBT1、低饱和压降系列型号采用第三代N

8、PT 工艺的NPT3IGBT 六、型号fVces(25 (90 (sat(90 封装形式封装形式2、集成SONIC 快恢复二极管的低饱和压降系列型号f Vces(25 (90 (sat(90 封装形式/V七、NPT IGBT型号体二fVces (sat 封装形式/V极管3、高速系列IGBT型号Vces Ic(25 Vce(sat封装形式4集成SONIC 快恢复二极管的高速系列IGBT 4、型号fi fVces Ic (sat (90 封装形式/V九、超高压NPT IGBT 单管型号fi Vces(25° C (90° C (sat° C /V封装形式十、采用5引脚ISOPLUS i4-PAC 封装的NPT IGBT 模块Ic(90 Vc