半导体发光二极管标准

1、半导体发光二极管1 范围本标准规定了冰箱事业部半导体发光二极管的设计选用要求、试验方法、检验规则和包装、贮存。本标准适用于冰箱事业部控制器、照明指示灯等所选用的半导体发光二极管。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修改版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T 191 包装储运图示标志GB/T 2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验规程 试验Ca:恒定湿热试验方法(idt IEC 68-2

2、-3:1984)GB/T 4937-1995 半导体分立器件机械和气候试验方法(idt IEC 749:1995)GB/T 4938-1985 半导体分立器件接收和可靠性GB/T 17626.2-1998 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验(idt IEC 61000-4-2:1995)QMB-J10.010 关于规范RoHS标识的操作指引QMB-J10.011 逐批检查计数抽样程序及抽样表3 半导体发光二极管分类3.1 按颜色分类a) 红色发光二极管（lD ：620-660nm）b) 橙色发光二极管（lD ：600-620nm）c) 黄色发光二极管（lD ：580-600nm）d)

3、 绿色发光二极管（lD ：500-577nm）e) 兰色发光二极管（lD ：430-480nm）f) 紫色发光二极管（lP ：380-410nm）g) 白色发光二极管（TC：3000-25000K）3.2 按芯片材料分类a) InGaAlP/GaAsb) GaN/ Al2O3或SiC衬底c) InGaN/ Al2O3或SiC衬底4 要求4.1 静电防护工艺要求因产品易受静电破坏，生产及运输过程中应做好静电防护工作, ImGaAlP/GaAs系列及GaN基/SiC衬底系列静电等级要求控制在500V以下， GaN基/蓝宝石衬底系列静电等级要求控制在100V以下。4.2 封装形式及外观要求4.2.1

4、 封装形式采用环氧树脂全包封的封装形式。4.2.2 外观要求目测环氧表面无明显发花、划伤，出光面无明显气泡、黑点，无多缺料，无明显偏支架，外引线平整，无明显锈蚀、变色及镀层脱落现象。4.3 极限值（绝对最大额定值）极限值（绝对最大额定值）见表1。表1 极限值参 数符号条件额定值单位正向电流IFMTamb=（25±5）15amA 20b25c30d正向脉冲电流eIFPTamb=（25±5）100mA反向电压VR5V贮存温度TStg-40+100工作温度Tamb-25+85耗散功率PMTamb=（25±5）75mW焊接温度Tsd10s260 抗静电电压InGaAlPE

5、SDC=150PF，R=330±500VGaN基/Al2O3±100GaN基/SiC±1000GaN基加齐纳±5000a： IF=15mA： GaN/InGaN芯片12×12mil以下的发光二极管。b：IF=20mA： InGaAlP芯片8×8mil以下、GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil 的发光二极管（白色除外）;c：IF=25mA： GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil 的白色发光二极管；d：IF=30mA： InGaAlP芯片9×9mil

6、至12×12mil的发光二极管；e：脉冲宽度0.1ms，占空比1/10。注：除非另有规定，下表的值在整个工作温度范围内适用。4.4 光电特性4.4.1 InGaAlP系列红色发光二极管光电参数InGaAlP系列红色发光二极管光电参数应符合表2的规定。 表2 InGaAlP系列红色发光二极管光电参数表 Tamb=（25±5）参数符号测 试 条 件最小值典型值最大值单位参数类别正向电压VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向电流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP发光强度IVIF=20mAF3HFR8B3×C/T×15005000mcdJS

7、,LX,CPHFR863×××1001000HFR883×××1001000HFR803×××C/T×-××500-5000HFR803×××M×-××100-5000F5HFR8B5×C/T×400020000HFR865×××1001000HFR8E5×××××2003500HFR885××&#

8、215;1001000HFR805×××C/T×-××150-15000HFR805×××M×-××100-15000F8HFR808×C/T×1000-25000HFR808×M×10020000F10HFR8010×C/T×1000-30000HFR8010×M×100-30000HFR8B10×C/T×1500-50000 HFR84×××C

9、/T×1001000 HFR8F××C/T5004000 HVR84××C/T100-1500峰值发射波长lDIF=20mA620-660nmJS,LX,CP光谱辐射带宽DlIF=20mA-20-nmC半强度角q1/2IF=20mAF3HFR8B3×C/T×515度CHFR863×××100HFR883×××120HFR803×××C/T×-××10-120HFR803×××M

10、×-××10-180F5HFR8B5×C/T×5-15HFR865×××100HFR8E5×××××15/50-40/110HFR885×××-120-HFR805×××C/T×-××10-120HFR805×××M×-××10-180F8HFR808×C/T×10-120HFR808×M

11、×10-180F10HFR8010×C/T×10-120HFR8010×M×10-180HFR8B10×C/T×5-15 HFR84×××C/T×120 HFR8F××C/T3080 HVR84××C/T-120-注：LX例行试验最后测试参数；JS交收检验测试参数；CP成品测试参数；C参考参数。以下同。4.4.2 InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数应符合表的规定。 表 InGaAlP系列黄色发光二极管

12、光电参数表 Tamb=（25±5）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别正向电压VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向电流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP发光强度IVIF=20mAF3HFY8B3×C/T×15005000mcdJS,LX,CPHFY863×××1001000HFY883×××1001000HFY803×××C/T×-××500-5000HFY803×××M×

13、-××100-5000F5HFY8B5×C/T×400020000HFY865×××1001000HFY8E5×××××2003500HFY885×××1001000HFY805×××C/T×-××150-15000HFY805×××M×-××100-15000F8HFY808×C/T×1000-25000H

14、FY808×M×10020000F10HFY8010×C/T×1000-30000HFY8010×M×10030000HFY8B10×C/T×1500-50000 HFY84×××C/T100-1000 HFY8F××C/T5004000 HVY84××C/T100-1500峰值发射波长lDIF=20mA580600nmC光谱辐射带宽DlIF=20mA-15-nmC半强度角q1/2IF=20mAF3HFY8B3×C/T×5-1

15、5度CHFY863×××100HFY883×××120HFY803×××C/T×-××10120HFY803×××M×-××10180F5HFY8B5×C/T×515HFY865×××100HFY8E5×××××15/5040/110HFY885×××120HFY805×

16、5;×C/T×-××10120HFY805×××M×-××10180F8HFY808×C/T×10120HFY808×M×10180F10HFY8010×C/T×10120HFY8010×M×10120HFY8B10×C/T×515 HFY84×××C/T120 HFY8F××C/T3080 HVY84××C/T-120-4.4

17、.3 InGaAlP系列橙色发光二极管光电参数InGaAlP系列橙色发光二极管光电参数应符合表的规定。 表 InGaAlP系列橙色发光二极管光电参数表 Tamb=（25±5）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别正向电压VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向电流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP发光强度IVIF=20mAF3HFO8B3×C/T×15005000mcdJS,LX,CPHFO863×××1001000HFO883×××1001000HFO803×

18、15;×C/T×-××500-5000HFO803×××M×-××100-5000F5HFO8B5×C/T×400020000mcdJS,LX,CPHFO865×××1001000HFO8E5×××××2003500HFO885×××1001000HFO805×××C/T×-××150-15000HFO805

19、×××M×-××100-15000F8HFO808×C/T×1000-25000HFO808×M×10020000F10HFO8010×C/T×1000-30000HFO8010×M×10030000HFO8B10×C/T×1500-50000 HFO84×××C/T100-1000 HFO8F××C/T5004000 HVO84××C/T100-1500峰值发射波长

20、lDIF=20mA600620nmC光谱辐射带宽DlIF=20mA-20-nmC半强度角q1/2IF=20mAF3HFO8B3×C/T×5-15度CHFO863×××100HFO883×××120HFO803×××C/T×-××10120HFO803×××M×-××10180F5HFO8B5×C/T×515HFO865×××100HFO8E5

21、15;××××15/5040/110HFO885×××120HFO805×××C/T×-××10120HFO805×××M×-××10180F8HFO808×C/T×10120HFO808×M×10180F10HFO8010×C/T×10120HFO8010×M×10120HFO8B10×C/T×515 HF

22、O84×××C/T120 HFO8F××C/T3080 HVO84××C/T-120-4.4.4 InGaAlP系列绿色发光二极管光电参数InGaAlP系列绿色发光二极管光电参数应符合表的规定。 表 InGaAlP系列绿色发光二极管光电参数表 Tamb=（25±5）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别正向电压VFIF=20mA-2.02.5VJS,LX,CP反向电流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP发光强度IVIF=20mAF3HFG8B3×C/T×6002500mcdJS,LX

23、,CPHFG863×××50500HFG883×××50500HFG803×××C/T×-××200-2500HFG803×××M×-××50-2500F5HFG8B5×C/T×10008000HFG865×××50500HFG8E5×××××1002000HFG885×××50500HF

24、G805×××C/T×-××100-8000HFG805×××M×-××50-8000F8HFG808×C/T×100-10000HFG808×M×5010000F10HFG8010×C/T×100-10000HFG8010×M×5010000HFG8B10×C/T×100-10000 HFG84×××C/T50-500 HFG8F×&#

25、215;C/T2002000 HVG84××C/T50-800峰值发射波长lDIF=20mA565577nmC光谱辐射带宽DlIF=20mA-20-nmC半强度角q1/2IF=20mAF3HFG8B3×C/T×5-15度CHFG863×××100HFG883×××120HFG803×××C/T×-××10120HFG803×××M×-××10180F5HFG8B5×C

26、/T×515HFG865×××100HFG8E5×××××15/5040/110HFG885×××120HFG805×××C/T×-××10120HFG805×××M×-××10180F8HFG808×C/T×10120HFG808×M×10180F10HFG8010×C/T×10120HFG801

27、0×M×10120HFG8B10×C/T×515 HFG84×××C/T120 HFG8F××C/T3080 HVG84××C/T-120-4.4.5 GaN基系列绿色发光二极管光电参数GaN基系列绿色发光二极管光电参数应符合表6的规定。 表6 GaN系列绿色发光二极管光电参数表 Tamb=（25±5）参数符号测 试 条 件最小值典型值最大值单位参数类别正向电压VFIF=20mAGaN基/Al3O22.9-3.8VJS,LX,CPGaN基/SiC3.04.5反向电流IRVR=

28、5V-10mAJS,LX,CP发光强度IVIF=20mAF3HFG9/AB3×C/T×15005000mcdJS,LX,CPHFG9/A63×××1001000HFG9/A83×××1001000HFG9/A03×××C/T×-××500-5000HFG9/A03×××M×-××100-5000F5HFG9/A B5×C/T×400020000HFG9/A 65×&#

29、215;×1001000HFG9/A E5×××××2003500HFG9/A 85×××1001000HFG9/A 05×××C/T×-××150-15000HFG9/A 05×××M×-××100-15000F8HFG9/A 08×C/T×1000-25000HFG9/A 08×M×10020000F10HFG9/A 010×C/T&

30、#215;1000-30000HFG9/A 010×M×10030000HFG9/A B10×C/T×1500-50000 HFG9/A 4×××C/T100-1000 HFG9/A F××C/T5004000 HVG9/A 4××C/T100-1500峰值发射波长lDIF=20mA500540nmC光谱辐射带宽DlIF=20mA-30-nmC半强度角q1/2IF=20mAF3HFG9/AB3×C/T×5-15度CHFG9/A63×××

31、100HFG9/A83×××120HFG9/A03×××C/T×-××10120HFG9/A03×××M×-××10180F5HFG9/A B5×C/T×515HFG9/A 65×××100HFG9/A E5×××××15/5040/110HFG9/A 85×××120HFG9/A 05××

32、5;C/T×-××10120HFG9/A 05×××M×-××10180F8HFG9/A 08×C/T×10120HFG9/A 08×M×10180F10HFG9/A 010×C/T×10120HFG9/A 010×M×10120HFG9/A B10×C/T×515 HFG9/A 4×××C/T120 HFG9/A F××C/T3080 HVG9/A 4&#

33、215;×C/T-120-4.4.6 GaN基系列蓝色发光二极管光电参数GaN基系列蓝色发光二极管光电参数应符合表7的规定。 表7 GaN系列蓝色发光二极管光电参数表 Tamb=（25±5）参数符号测 试 条 件最小值典型值最大值单位参数类别正向电压VFIF=20mAGaN基/Al3O22.9-3.8VJS,LX,CPGaN基/SiC3.04.5反向电流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP发光强度IVIF=20mAF3HFB9/AB3×C/T×5002500mcdJS,LX,CPHFB9/A63×××20500HFB9/

34、A83×××20500HFB9/A03×××C/T×-××50-2500HFB9/A03×××M×-××10-2500F5HFB9/A B5×C/T×3008000HFB9/A 65×××20500HFB9/A E5×××××802000HFB9/A 85×××20500HFB9/A 05××

35、15;C/T×-××50-8000HFB9/A 05×××M×-××10-8000F8HFB9/A 08×C/T×50-10000HFB9/A 08×M×1010000F10HFB9/A 010×C/T×50-10000HFB9/A 010×M×1010000HFB9/A B10×C/T×50-10000 HFB9/A 4×××C/T20-500 HFB9/A F×&

36、#215;C/T503000 HVB9/A 4××C/T20-500峰值发射波长lDIF=20mA430480nmC光谱辐射带宽DlIF=20mA-30-nmC半强度角q1/2IF=20mAF3HFB9/AB3×C/T×5-15度CHFB9/A63×××100HFB9/A83×××120HFB9/A03×××C/T×-××10120HFB9/A03×××M×-××10180F5

37、HFB9/A B5×C/T×515HFB9/A 65×××100HFB9/A E5×××××15/5040/110HFB9/A 85×××120HFB9/A 05×××C/T×-××10120HFB9/A 05×××M×-××10180F8HFB9/A 08×C/T×10120HFB9/A 08×M×1018

38、0F10HFB9/A 010×C/T×10120HFB9/A 010×M×10120HFB9/A B10×C/T×515 HFB9/A 4×××C/T120 HFB9/A F××C/T3080 HVB9/A 4××C/T-120-4.4.7 GaN基系列白色发光二极管光电参数GaN基系列白色发光二极管光电参数应符合表7的规定。 表8 GaN系列白色发光二极管光电参数表 Tamb=（25±5）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别正向电压VFIF=2

39、0mAGaN基/Al3O22.9-3.8VJS,LX,CPGaN基/SiC3.04.5反向电流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP发光强度IVIF=20mAF3HFW9/AB3×C×15005000mcdJS,LX,CPHFW9/A63×××1001000HFW9/A83×××1001000HFW9/A03×××C×-××500-5000HFW9/A03×××M×-××100-5000F5HF

40、W9/A B5×C×400020000HFW9/A 65×××1001000HFW9/A E5×××××2003500HFW9/A 85×××1001000HFW9/A 05×××C×-××150-15000HFW9/A 05×××M×-××100-15000F8HFW9/A08××1000-25000F10HFW9/A010&

41、#215;C1000-25000HFW9/AB10×C1500-50000 HFW9/A 4×××C100-1000 HFW9/A F××C5004000 HVW9/A 4××C100-1500色坐标XIF=20mA0.2000.3000.400nmJS,LX,CPY0.2000.3000.400色温TcIF=20mA300025000KC半强度角q1/2IF=20mAF3HFW9/AB3×C×5-15度CHFW9/A63×××100HFW9/A83×&#

42、215;×120HFW9/A03×××C×-××10120HFW9/A03×××M×-××10180F5HFW9/A B5×C×515HFW9/A 65×××100HFW9/A E5×××××15/5040/110HFW9/A 85×××120HFW9/A 05×××C×-××1

43、0120HFW9/A 05×××M×-××10180F8HFW9/A08××10120F10HFW9/A010×C10120HFW9/AB10×C515 HFW9/A 4×××C120 HFW9/AF××C3080 HVW9/A 4××C-120-4.4.8 GaN基系列紫色发光二极管光电参数GaN基系列紫色发光二极管光电参数应符合表8的规定。 表9 GaN系列紫色发光二极管光电参数表 Tamb=（25±5）参数符号

44、测试条件最小值典型值最大值单位参数类别正向电压VFIF=20mAGaN基/Al3O2-3.53.8VJS,LX,CPGaN基/SiC-2.84.5反向电流IRVR=5V-10mAJS,LX,CP发光强度IVIF=20mAF3HFWAB3×C×10200mcdJS,LX,CPHFVA63×××5100HFVA03×××C×-××5-150F5HFVA B5×C×20300HFVA 65×××5100HFVA 05××&

45、#215;C×-××5-200峰值发射波长lPIF=20mA380-410nmC光谱辐射带宽DlIF=20mA-30-nmC半强度角q1/2IF=20mAF3HFWAB3×C×5-15度CHFVA63×××120HFVA03×××C×-××10120F5HFVA B5×C×5-15HFVA 65×××120HFVA 05×××C×-××101204

46、.4.9 HFT系列多色发光二极管光电参数HFT系列多色发光二极管光电参数应符合表9的规定。 表10 HFT系列多色发光二极管光电参数表 Tamb=（25±5）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别正向电压VFIF=20mAGaAsP/GaAlAs1.82.5VJS,LX,CPInGaAlP/GaAs1.82.5GaN基/Al3O22.9-3.8GaN基/SiC3.04.5反向电流IRVR=5VGaAsP/GaAlAs10mAJS,LX,CPInGaAlP/GaAs10GaN基/Al2O3或SiC-10发光强度IVIF=20mAF3GaAsP/GaAlAs5mcdJS,LX,

47、CPInGaAlP/GaAs20GaN基/Al2O3或SiC5F5GaAsP/GaAlAs5InGaAlP/GaAs30-GaN基/Al2O3或SiC15-F8GaAsP/GaAlAs5InGaAlP/GaAs30GaN基/Al2O3或SiC15-F10GaAsP/GaAlAs5InGaAlP/GaAs30-GaN基/Al2O3或SiC15-方形GaAsP/GaAlAs3InGaAlP/GaAs10GaN基/Al2O3或SiC5-表10 (续)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别峰值发射波长lD红色620660nmC橙色600620黄色580600绿色500577兰色430480光谱

48、辐射带宽DlGaAsP/GaAlAs30nmCInGaAlP/GaAs20GaN基/Al2O3或SiC-30-半强度角q1/2IF=20mAF3HFT503C×××-×-15-度CHFT503M×××-×30F5HFT505C×××-×-15-HFT505M×××-×30F8HFT508C×××-×15HFT508M×××-×-30-F10HFT5010C&

49、#215;××-×-15-HFT5010M×××-×-30-方形HFT54×C×××-×120HFT54×M×××-×120-4.5 型式检验要求4.5.1 引出端强度通过5.4试验后，引出端无断裂、松动，与环氧体之间无相对移动或脱落现象。4.5.2 引出端可焊性通过5.5试验后，湿润表面应覆盖一层平滑而光亮的焊料涂层，浸润面积应大于或等于浸渍面积的95%。4.5.3 耐焊接热通过5.6试验后，样品环氧体无明显溶化及变色现象，

50、光电特性参数应符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）（VFO：试验前电压测试值，以下同。）IR10uA；（VR=5V）IV0.9IVO。（IF=20mA）（IVO：试验前光强测试值，以下同。）4.5.4 快速温度变化及恒定湿热通过5.7试验后，样品无开裂及引线松动现象，环氧体无明显变色，光电特性参数应符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR20uA；（VR=5V）IV0.7IVO。（IF=20mA）4.5.5 电耐久性通过5.8试验后，光电特性参数应符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR20uA；（VR=5V）IV0.7IVO。（IF=20mA）4.5

51、.6 高温贮存通过5.9试验后，样品环氧体无明显溶化及变色现象，光电特性参数应符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR10uA；（VR=5V） IV0.8IVO。（IF=20mA）4.5.7 静电放电抗扰度通过5.10试验后，光电特性参数应符合以下要求：VF1.1VFO；（IF=20mA）IR10uA；（VR=5V）IV-IVO±5%IVO。（IF=20mA）5 试验方法5.1 外形测试用游标卡尺或显微镜测量，尺寸测量结果符合4.2.1中规定。5.2 外观测试目测及显微镜下镜检，外观符合4.2.2及4.2.3中规定。5.3 光电特性测试方法：按如下方法测试，测试结果符合

52、4.4中规定。电特性测试一般在相应的恒流恒压源供电下，利用电压电流表进行测试；光特性的测试主要包括光通量和颜色。光通量的测试可采用积分球法或变角光度计法；颜色特性测试可采用分光光度法或积分法。5.4 引出端强度试验5.4.1 拉力试验按GB/T 4937-1995第II篇1.1、试验Ua1的规定：a） 外加力：5N；b） 时间：（10±1）s。c） 样品测试符合4.5.1中规定。5.4.2 弯曲试验按GB/T 4937-1995第II篇1.2、试验Ub第3.4.2.1方法2的规定：a） 加力：2.5N；b） 次数：2次；c） 样品测试符合4.5.1中规定。5.5 引出端可焊性试验本试

53、验只针对无铅焊，按GB/T 4937-1995第II篇2.1，试验Ta方法1的规定：a） 焊锡温度：（245±5）；b） 浸锡时间：（2±0.5）s；c） 浸入到离器件本体（11.2）mm；d） 焊剂：松香25%，酒精75%；e） 样品测试符合4.5.2中规定。5.6 耐焊接热试验本试验只针对无铅焊，按GB/T 4937-1995第II篇2.2，试验Tb方法1A的规定：a） 焊锡温度：（280±5）；b） 浸锡时间：（10±1）s；c） 浸入到离器件本体（22.5）mm；d） 焊剂：松香25%，酒精75%；e） 恢复：试验样品在标准大气条件下恢复1h，然后在4h内测完光电参数，并应符合4.5.3中规定。5.7 快速温度变化及恒定湿热试验温度快速变化按GB/T 4937-1995第III篇1.1，试验Na的规定。a）TA=（-40±3），TB=（100±2）；b）暴露时间：10min；c）转移时间：（23）min；d）循环次数：5次。温度快速变化结束后，试验样品的外观颜色应无明显变化，在标准大气条件下恢复