正性光刻胶使用的一种新方法──低温显影技术解读_第1页
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文档简介

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2、加工技术当中但祖有一 个夹出的徐点是粘附性较雀.衣现在显电时mSBKM.fi法處恤討容热他惶在尢 刻小图老时迭一问他農现尢为突出.正性较对不少籾邸的結附性远不如负性对 SO的衣直帖附性更星对于沉帜的SiN“ FtA及WmttWtt也不大好./影时很 、容坊出现浮收现象.婴茯得完整的电路图影是比较困堆的.正胶的这一点给它的金广便用大的不債为了冷加正胶的帖附性.便用正收时普is配合便用轰面帖合促mtiw 侣芦気nxHi八t一圧“X icmxr丿.j >a-i.zw«.正农还有一霸之.龙馨尢前后5易常于丙农iX-WA» ««*»的逆杼81俱了

3、十分和利的条仲无无的而血啟鼻貝不誘斡炎的3K、fit 大的气样.祀用负Bt圧为用正BG不但可以鼻离必摑血工的瑁度 和审而且可以节为化学试刑.改着H作环境忙合帖州剂tr用只足解球问昭的一个迩住.能百通过改变工艺条件使疋b的杞沧性 asstt理林料税面;契鹰供约鬲片矗底;Nf r>im«xRa«w. 这些槽改正0对一分材MnttNf力.对于5口SiN.不烧解决怙附力星的问&二低退显形渣箱的品形星在*百IFiS前的可£iER在宣iHF见形詰附供卸很蔓.SSlKttM峨不会获磚完整的賀形.即*是比较大的图老.边卩处也ML的站恤. Shipiey 公旬的 AZ

4、B50 iEtt.Xttltt性Itfll好一些用此R9£ g、SiN和ttM9« 上加出®小的療図滋仍娥暑無囲堆的.低91显比宣矗低的环境中8KSK«¥ffff«£.衽低flTSB对尢H 吹在显老i«中的購解連畋科歧形氓只菱适当宅2DB尢显速废仍儘可以很快. 尢iti加2$倍已足够.ttfiffB不仪可以保证細愎条的空而fl正胶的便用簽件irtDllk竄 的war下显屯,光可以允许有比较大的畳刖.采用jKc-isjtM机任比较大的直积 内仍儘可做出2冲的他域条.由干低超显幅对堆増tn了正性龙軌胶的給訥性.左坚菱后

5、18的抗惶性也很好M法«ma的图影边話也役陡h无tetiKftftBB1为HF 0冲祓賞憧后的的】B 的 SiO,统条.g 覃度为2700A,»片放大2741 ».三、实脸和怙果实蛰用的正K»1国Shipky公5J的AZB50J.便用ttSUW#么轉"00-初00 rpm0J-0.9n厚的均匀收膜.因正胶和SO的給附性量菱所以实脸fit以英沮生长的S1O,外主同対也做了一些其他林料的实觀.SQ片子直过谢規的用洗甩胶供(80030分仲人H尢4'一朽0" (JKG-I矗光 氮机)2KS度2P以下.如影倉曲AZDIZCO- 1:2显

6、老时闾为30抄左右如果素温比较狂显豪前熒5UC片子預冷放住絞冷的灰虜子水中2分忖左右ftt 后冉用*去再子水冲洗禅at性足液目的是让处于低a«A漁洗后整用千s? an冷上外Q$ «a>n Nt. aim怖 I MiBsnattrj g尢平:方注一术5>1冷代体尽快吹干.为了快得局部的低环境实用r三个杜瓦乐內賢适当的*水,把有冷水5s. 歳欄渎水的規杯飲入社瓦的冷水中逢声隹的尢和显时阊可快嶋厲童的嫂果坚130 160P.J0分佯.eftfiXK*抗恒性好些.Mfl度过高圈影发生L 形交而且不易去BLSQb的为 HF:NILF:H.O - 3:6:10t fljt

7、巧弋舅tl連率为 20A/». iXWfi 法剧烛因为各向 Htt.W 一定的 «ajK«i>WttST F>U F-JggJ.urn I »TDJ>MfiniM访初比输拓.(片为 40° 倾兔.AAKtskM 9 £BBKHtfl*A«K«< 事0B W SQUID利用低fil且技术在It烏更片上用洌力注出了佃更为0,啊的JF建NbN S 爭桥.JBH2,蔓,为低显思尢熟敢殖序展恋费的曲02mS.fcfQ苇農子削绘悽忒巳償出丁及扎RF SQUID.魁为亀0 «> 併侨区的岚

8、片,祈区 釣为9.ZfmtefuER的怙附性程时于S0. Si4.和越31曾做迪參次实蛍.为划世正毁时达些 材科的枯荒性,采用过很务?«篙"叫 翫温烘対首片C禹込3,0P”佩卞吹冷3甩肢时尽 Z小环技JU (小于10%”畏离枚的林烘也皮(高达HOP;吏化Hitih改交翅形液的 英更及曲良对予M«Hl&的处理:用?*的HF 的NaHCOj分粥煮W分特; 畀?!池乙E敖代千张.尺达样,左宝誼条怜下融,贴怪宠左有快斤任何韵的AA.6D洙生忆的PtiQ)惠色th左主丿来伶卞倉,皑住口尬组没档曲W小于2的 佃鏡蓟.Vftft小于2i 3B宠的A1鮭鏈也不聂维料从 s

9、n* M下材科在不立说度下SL老的丈验情况X XIB)ft <«IK)縄M方建MttHCS)“4T出««««rir站cHFMc只了vnyrcMTHF "1讣r101c50” H子i*<r itrilx|kg wg2Al7«ft 小超VWl$pvrHtFQi2Nb町才代TF0 XQ«)NbN町假汕总r9tt r"Mino°«T2Mf$4咅得歩TIJT«-F2吐貝早.農e只目出了越豪有毎材和正胶有快好的钻附性不用低fi£B也能茯得较好囹老.四.结论和讨论1疋

10、戲的础附牲住芒时可以出加H認厦而曼比的盘置E低蜻解性越杆8E不 畫用粘附笊时可以色过低淤呈東快附満壊的圈形.阳制法取检也不怙占正股对不同材料的事If所不口. Jt刻不KMWM町£星迂当低的訳度显 E.低図显影技术井不很辰堆.工艺也不襲杂送用于生产.2低SKE復术童幫决SiO». Si 祚半辱他工艺材料的鮎附性间HL并町尢削出 14 的SO、$«尸AM*达财尸实现亀大规*鼻成电岭是*义的3-ftiER SO的辂附性时咛宀一敵人为SK),ttn HMDS启在二H化廷的衣Si总fiHt烷链,主航有机或分(-NHJ-CH,)的Wffffl 沟.-Hb的活性»S3

11、MffXzK性,从丽应止fQMSi r»B?S*6attfi界18的澄 电MUtife了站附力和肮悅怙g 片子聞便木切任何F«l杀视.11杠is戌綾大时用tfc用CattHKWffrttH的 納附性.參次头血农刖3左一定的lEifl下良形和剧/被休泪界出的爲巳矩很小了这5 n方廉一术5M样相时地増加丁正枚的衲魁性.从而达到和俺用帖附笊一样的效果.低 怪机理有拎进一步硏究.在实验中科学魂半导体所陈N恢同玄奥供了很好的JtMR版.丈大吴文徵利容 罚古给于了不少抬导和帘如在比一并衣承谢 巧 文 秋11 K I. Mittal. 3d g T«Mwi!o<y 

12、87;. 89 (1W).(2 J Dooald B. Ncnxxny. 3d Smc 亦,24. 8) (1981)> Cbety! A. Deckcrt. Debt. A- Ptten, SM SMt Tg 23. 76 (IMO).(4 J CB mifitt 人字1»完条只New Technology for Using Poaitive PhotoresistLow Temperature DevelopmentZhanft TaipingCDr”rw< 锣 CwB/rr fdrwrrr ZAlmtraetA new methtxilow tmperatare development (LTD) thont extra adheniTe

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