第2章 半导体三极管及基本放大电路

1、第2章 半导体三极管及基本放大电路 1温度升高时，晶体管的电流放大系数和反向饱和电流ICBO_，正向结压降VBE_；共射输入特性曲线将_，输出特性曲线将_，而且输出特性曲线之间的间隔将_。A变大，变小，左移，上移，增大B变大，变大，右移，上移，增大C变大，变小，左移，下移，增大D变小，变大，右移，上移，增大窗体顶部窗体底部2现有八种半导体器件，其型号分别是3AX22，2CZ11，3DG6，2AP9，3DJ13，2CP10，3DD1，2CW11。说明哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管，哪些是硅稳压管。A2AP9 二极管，2CZ11锗二极管，2AP9硅稳压管B2AP9硅二极管，2CP

2、10锗二极管，2CW11硅稳压管C2CW11硅二极管，2AP9锗二极管，2CP10硅稳压管D2CP10硅二极管，2AP9锗二极管，2CW11硅稳压管窗体底部3三极管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，V(BR)CEO=30V，若其工作电压VCE=10V，则工作电流不得超过_mA；若VCE=1V，则工作电流不得超过_mA；若工作电流IC=1mA，则工作电压VCE不得超过_V。A15；100；150B15；150；150C15；150；30D15；100；30窗体底部4对双极型晶体管下列说法正确的是(    )A发射极和集电极可以调换使用，因为双极型晶体

3、管发射极和集电极的结构对称B发射极和集电极可以调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的电流基本相同C发射极和集电极不能调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称，发射极掺杂浓度比集电极高D发射极和集电极不能调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称，发射极掺杂浓度比集电极低5晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数和在放大区工作时的关系是：A饱和区的电流放大系数大于放大区工作时的电流放大系数B饱和区的电流放大系数等于放大区工作时的电流放大系数C饱和区的电流放大系数小于放大区工作时的电流放大系数D饱和区的电流放大系数与放大区的电流放大系数的关系不能确定窗体底部6

4、对于晶体基区的叙述下面正确是是。A 掺杂浓度低而且做得很厚B 掺杂浓度高而且做得很厚C掺杂浓度高而且做得很薄D掺杂浓度低而且做得很薄7在晶体管放大电路中，测得晶体管的三个电极的电位如图所示。试判断：管子的类型为     （NPN、PNP），三个电极：为     ，为      ，为      。ANPN, c,e,b     BPNP, c,e,bCNPN, b,e,

5、c DPNP,b,e,c8 在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图所示。由此可知：(1)电极、分别为 _。(2)约为 _。(3)管子类型为 _。                                Ac,e,b,  40,  PNPBc,e,b, 

6、 40, NPNCb,e,c,  50, PNPD b,e,c,   50, NPN9 设所有的二、三极管均为硅管，判断 下图中各三极管的工作状态。正确答案为   。AT1截止，T2饱和，T3截止BT1截止，T2饱和，T3倒置CT1截止，T2放大，T3截止DT1放大，T2放大，T3截止   10 给下图中各场效应管填上正确的名称。               （   

7、    ）      （       ）       （       ）AP沟道增强型MOSFET；N沟道结型；N沟道耗尽型MOSFET。                 

8、0;            BP增强型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET。    CN沟道耗尽型MOSFET；P沟道结型；N沟道增强型MOSFET。DN增强型MOSFET；P沟道结型；N沟道增强型MOSFET 11下图中各特性曲线属于哪种场效应管？           （     &

9、#160; ）                             （       ）               

10、       （       ）A P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET。BP沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型。CN沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET。DN沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型。12某一晶体管的PCM=100mW、ICM=20mA、U(BR)CEO=15V，试问在下列几种情况下，哪种可能是正常工作？A.   

11、;  UCE=3V，IC=10mAB.     UCE=2V，IC=40mAC.     UCE=6V，IC=20mAD.     UCE=8V，IC=10mA   13用指针式万用表测得某处在放大状态下的三极管三个极对地电位分别为U1-7V、U2-2V、U3，试判断此三极管的类型和引脚名称。A.  1脚为集电极，2脚为发射极，3脚为基极；管子类型为PNP型硅管。B.     1脚为发射

12、极，2脚为集电极，3脚为基极；管子类型为PNP型硅管。C.     1脚为集电极，2脚为发射极，3脚为基极；管子类型为NPN型硅管。D.     1脚为集电极，2脚为发射极，3脚为基极；管子类型为NPN型硅管。14 已知甲三极管ICBO=200nA、 b =250、乙三极管ICBO=100nA、b =60，请问使用时选用哪一只管子为好。A选用甲三极管B选用乙三极管C两只都一样D两只都不可以用15 三极管既然含有两个PN结，有人认为可以用两只二极管背靠背焊接在一起构成一只三极管，则b 是多少？Ab  >

13、;1Bb  <1Cb  =1Db  =0窗体底部16 对同一晶体管，比较三种击穿电压V(BE)EBR、V(BE)CBO、V(BE)CEO的大小。AV(BE)EBR<V(BE)CBO<V(BE)CEOBV(BE)EBR>V(BE)CBO>V(BE)CEOCV(BE)CBO>V(BE)EBR>V(BE)CEOD以上都不对17放大电路的组成原则保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。以双极型三极管为例，发射结_   _偏，集电结_     偏。A发射

14、结反偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏C发射结反偏，集电结反偏D发射结正偏，集电结正偏窗体底部18 在放大电路中改变集电极电阻RC和电源电压VCC，影响放大电路的直流负载线，下面说法哪种是正确的：A只改变直流负载线的斜率B改变直流负载线与两坐标轴的交点，但不改变直流负载线的斜率C改变直流负载线与两坐标轴的交点和直流负载线的斜率D无任何影响   窗体底部19在共射基本放大电路中，当一定时，在一定范围内增大IE，电压放大倍数将如何变化?A增加B减小C不变D不能确定窗体底部20在共射基本放大电路中，适当增大RC，电压放大倍数和输出电阻将如何变化?A放大倍数变大，输出

15、电阻变大B放大倍数变大，输出电阻不变C放大倍数变小，输出电阻变大D放大倍数变小，输出电阻变小窗体底部21 通常希望放大电路的输入电阻            , 输出电阻           。A输入电阻大，输出电阻小B输入电阻小，输出电阻小C输入电阻大，输出电阻大D输入电阻大，输出电阻大窗体底部22 有两个共射基本放大电路甲和乙，它们的负载开路电压放大倍数相同，但输入电阻不同。现对同一个

16、信号源的电压进行放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。甲和乙哪个电路的输入电阻大。A甲的输入电阻小B乙的输入电阻小C甲的输入电阻大D乙的输入电阻大 窗体底部23若下图中的电路出现故障，且经测量得知UE=0、UC=VCC。故障的原因是            。ARC开路 BRC短路 CRe短路 DRb1开路窗体底部 24 有一基本放大电路如图所示，已知VCC =15V、Rc=3kW、Rb1=390kW、ReW、RL =10kW，UBE，b=99，耦合电容的容量对

17、放大电路的工作频率足够大,三极管的工作状态为           。A放大状态B截止状态C饱和状态窗体底部25共射放大电路如图(a)所示，其输出波形产生了如图(b)所示的失真，请问属于           失真？如三极管改为PNP管，若出现的仍为底部失真，上面的答案又怎样？ A 饱和失真   截止失真B截止失真  饱和失真窗体底部    

18、      (a)                                             &

19、#160;    (b) 26某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为4 V，接入3 kW负载电阻后，输出电压的有效值降为3 V，放大电路的输出电阻          。A1 kW        B1.5 kW       C2 kW       

20、   D427 有一基本放大电路如图所示，已知VCC=15V、Rc=3kW、Rb1=39kW、Rb2=11kW、Re =1.3 kW、RL =10kW，UBE，b=99，耦合电容的容量足够大。电路的中频电压放大倍数         ，输入电阻         ，输出电阻 。A 放大倍数 17.3 ， 输入电阻1.35 k，输出电阻3 kB 放大倍数 1.73 ， 输入电阻10 k，输出电阻3 kC 放大倍数

21、143，  输入电阻8.06 k ，输出电阻1.5 k               D 放大倍数 143， 输入电阻1.35 k，输出电阻3 k     28电路如图所示，元件参数已给出，三极管的b =50，三极管的UBE，求静态工作点。AIB = 30.37 mA， IC = 1.518 mA，UCE = 5.928 VBIB = 20.37 mA ，IC = 1.118 mA ，UCE = 7

22、.928 VCIB = 30.37 mA， IC = 1.518 mA，  UCE = 7.928 VDIB = 30.37 mA，IC = 1.118 mA，   UCE = 5.928 V窗体底部29 电路如图所示，VCC12 V，晶体管为硅管，UBE V,。计算放大电路的中频电压放大倍数Au           ，输入电阻R i         ，输出电阻Ro  

23、;         。A-60， k，2 k   B60， k，2 k              C-60， k，1 k    D60 ， k，1 k 窗体底部  30 放大电路如图所示，要使静态工作电流Ic减小，则Rb2应        ；从输出端

24、开路到接上RL，静态工作点将        ，交流输出电压幅度要        。A减小，不变，增大B增大，不变，增大C增大，不变，减小D增大，增大，减小 31下列说法中，正确的是：A.一个放大器，只要引入负反馈就一定能改善性能B.负反馈放大器中产生自激的根本原因在于某段频率变成了正反馈，且fc<f0C.由于射极跟随器电压增益最小，故最不易产生自激D.负反馈放大器反馈系数|越大，越易引起自激32 使某放大器的上限截止频率由fHMHz，且闭环增益不低于60dB，