常用电子元器件的使用百度文库

1、常用电子元器件的使用半导体基本知识： 半导体二极管、三极管、场效应管是电路中最常用的半导体器件，PN结是构成各种半导体器件的重要基础。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。具有热敏、光敏、掺杂特性；根据掺入的杂质不同，可分为：N型半导体、P型半导体。 PN结是采用特定的制造工艺，使一块半导体的两边分别形成P型半导体和N型半导体，它们交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性，即在P端加正电压，N端接负电压时PN结电阻很低，PN结处于导通状态；如果在P端加负电压，N端接正电压时（加反向电压时），PN结呈高阻状态，为截止状态，流过的电流很小。一、二极管 将PN结加上相应的电极引线和管壳就成为

2、半导体二极管。P结引出的电极称为阳极（正极），N结引出的电极称为阴极（负极）。二极管正向导通特性（死区电压）：硅管的死区电压大于0.5V，诸管大于0.1V。用数字式万用表的二极管档可直接测量出正极和负极。利用二极管的单向导电性可以组成整流电路。将交流电压变为单向脉动电压。分类：稳压二极管、光敏二极管、发光二极管、变容二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等。二、三极管三极管顾名思义，就是器件有三个电极，本站只做简单的介绍；三极管的物理结构是由PN结构成的，这样因PN 结有正负和方向性，所以其不同的组合就构成NPN、PNP两种类型；三极管结构上的特点是：含有两个背靠背的PN结，发射区掺杂浓度高，基区

3、很薄且掺杂浓度低，集电结面积大等。以上特点就使三极管具有电流放大的作用。三极管的主要参数：1。电流放大系数（1）共射直流放大倍数/：当三极管接成共发射电路时，在静态（无输入信号）时集电极电流Ic（输出电流）与基极电流Ib（输入电流）的比值称为共发射静态电流（直流）放大系数：=Ic/Ib(2共射交流电流放大倍数：当三极管工作在动态（有输入信号）时，基极电流的变化量为Ib,它引起集电极电流的变化量Ic. =Ic/Ib2。极间反向电流（1）Icbo为发射极开路时，集电极和基极间的反向饱和电流，小功率硅管的Icbo小于1uA,诸管的Icbo约为10uA左右。（2）Iceo为基极开路时，由集电极穿过基极

4、流入发射区的穿透电流，它是Icbo的（1+/）倍。Iceo=（1 +/）×Icbo由于Icbo受温度影响很大，故温度变化对Iceo和Ic的影响更大，选用管子时，一般希望极间反向饱和电流尽量小些。三极管在使用时其输出特性分为四个工作区：1、放大区，在放大区，Ic=×Ib，Ic和Ib成正比的关系。三极管处于放大状态的条件是发射结正偏，集电结反偏。2、截止区，硅管Ube小于0.5V时，即截止，3、饱和区，指Ic不能随Ib的增大而成比例增大，即Ic处于“饱和”状态。此时发射结和集电结都处于正向偏置。4、击穿区，当Uce大于某一值后，Ic开始剧增，这个现象称为一次击穿，三极管一次击穿

5、后，集电极电流突增，只要电路中有合适的限流电阻，击穿电流不过大，时间短时，三极管是不至于烧毁的。在集电极电压降低后，三极管仍能恢复正常工作，所以一次击穿过程是可逆的。三、电阻电阻是：导电体对电流的阻碍作用称着电阻电阻的分类与命名方法：第一部分：主称 第二部分：材料 第三部分：特征分类 第四部分 符号 意义 符号 意义 符号 意义 电阻器 电位器 R 电阻器 T 碳膜 1 普通 W 电位器 H 合成膜 2 普通S 有机实心 3 超高频 N 无机 4 高阻 J 金属膜 5 高温 Y 氧化膜 6高温C 沉积膜 7 精密 I 玻璃 8 高压 P 硼碳 9 特殊 U 硅碳 G 高功率 X 线绕 T 可调

6、 M 压敏 W 微调 G 光敏 D 多圈 R 热敏 B 温度 C P 旁热 W 稳压 Z 正温度 如：RJ7，就表示精密金属膜电阻器；WXD-表示多圈线绕电位器。电阻的阻值及精度等级一般用文字或数字印于电阻器上，现常用色环表示；现在电阻有四色环的也有精度高达1%的五色环电阻。颜色和数字对应如下：棕红橙黄绿蓝紫灰白黑金银 12345678900.10.01如：有一个电阻，是四个环色标，如图:注:一般表示等级的色环和表示阻值的色环中间有一点大的空. 四、光隔离器件光耦合器又称光电耦合器，是由发光源和受光器两部分组成。发光源常用砷化镓红外发光二极管，发光源引出的管脚为输入端。常用的受光器有光敏三极管、光敏晶闸管和光敏集成电路等。受光器引出 的管脚为输出端。光耦合器利用电-光-电两次转换的原理，通过光进行输入与输出之间的耦合。光耦合器输入与输出之间具有很高的绝缘电阻，可以达到10的10次方欧姆，