半导体芯片制造中级工找答案(最新版)

1、1、问答题什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么?2、问答题为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？3、多项选择题硅外延片的应用包括（）A.二极管和三极管B.电力电子器件C.大规模集成电路D.超大规模集成电路4、填空题光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚 膜、腐蚀、（）等步骤。 * Mil MIIIIBMIII Mill IMH MIIIHItMl OMI IMB U BIB « mi « l!MI KB IB I U K11 FBI ln IIMII MH I KB ： UM ! BMII 5、填空题 用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：颜色

2、（）、结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）6、问答题对于大尺寸的MOST版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。7、填空题白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）8、问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。9、单项选择题下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）A、单基极条图形B、双基极条图形C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构D梳状结构10、单项选择题光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A.刻制图形B.绘制图形C.制作图形11、单项选择题位错的形成原因是（）A.位错就是由弹性形变造成的B.位错就是由

3、重力造成的C.位错就是由范性形变造成的D.以上答案都不对12、单项选择题属于绝缘体的正确答案是（）。A.金属、石墨、人体、大地B.橡胶、塑料、玻璃、母、陶瓷C.硅、错、种化钱、磷化钿 D.各种酸、碱、盐的水溶液13、填空题半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。14、填空题化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅 片表面的杂质除去。15、单项选择题介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。A.多晶硅B.氮化硅C.二氧化硅16、多项选择题按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子

4、束蒸发等。A.电阻加热B.电子束C.蒸气原子17、填空题全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含（）、。、（）和。18、填空题工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记 录，做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）19、多项选择题硅外延生长工艺包括（）A.衬底制备B.原位HCl腐蚀C.生长温度，生长压力，生长速度D.尾气的处理20、问答题衬底清洗过程包括哪几个步骤?从离子源引出的是：（）21、单项选择题A、原子束B、分子束G中子束D离子束22、填空题离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。23、填空题对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）

5、、（）。24、填空题半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。26、单项选择题在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层,分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）A、干氧B、湿氧C、水汽氧化D不能确定哪个使用的时间长27、多项选择题下列材料属于N型半导体是（）A.硅中掺有元素杂质磷（P）、/（As）B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）C.神化钱掺有元素杂质硅（Si）、确（TE）D.神化钱中掺元素杂质锌、镉、镁28、问答题集成电路封装有哪些作用?25、单项选择题离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）O29、单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上

6、称为什么分 布？（）A、高斯函数B、余误差函数C、指数函数DK线性函数30、单项选择题单相3线插座接线有严格规定（）A. “左零” “右火”B. “左火” “右零”31、填空题抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载 流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。32、填空题半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。33、问答题操作人员的质量职责是什么?34、填空题 腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。35、填空题大容量可编程逻辑器件分为（）和（）36、单项选择题人们规

7、定：（）电压为安全电压A.36伏以下B.50伏以下C.24伏以下37、单项选择题离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的A.能量B.剂量38、单项选择题说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：A、逻辑设计B、物理设计G电路设计D系统设计39、单项选择题二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。A.预B.再C.选择40、填空题在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（） 等。41、填空题半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。42、单项选择题腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）A、盐酸 B、硫酸 C、硝酸D氢氟酸43、问答题集成电容主要有哪几种结构?44、填空题 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中 这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）45、单项选择题将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片 表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为