晶体三极管及其应用

1、晶体三极管及其应用晶体三极管及其应用1. 了解三极管的结构，理解其工作原理；2. 掌握三极管的伏安特性和主要参数；3. 会判断三极管的工作状态。三极管的性质及工作状态判断三极管的电流放大原理第第3 3讲讲教学目标教学目标教学重点教学重点教学难点教学难点半导体三极管单极型半导体三极管又称场效应管（FET,Field Effect Transistor），它是一种利用电场效应控制输出电流的半导体三 极管，工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称单极型半导体三极管。半导体三极管具有电流放大作用，它分为双极型和 单极型两种类型。双极型半导体三极管（BJT,Bipolar Junction Tr

2、ansistor），又称为晶体三 极管，简称三极管。因工作时有空穴和电子两种载流子参与导电而得名。一、晶体三极管的结构与原理二、晶体三极管的特性曲线三、晶体三极管的工作状态四、晶体三极管的主要参数五、晶体三极管的识别与检测六、晶体三极管的选用多子浓度高多子浓度很低，且很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个晶体管有三个极、三个区、两个PN结。结。小功率管中功率管大功率管为什么有孔？1、三极管结构、符号和分类一、晶体三极管的结构与工作原理分类：按材料分： 硅管、锗管按功率分： 小功率管 1 W中功率管 0.5 1 W二、晶体管的放大原理（集电结反偏），即（发射结正偏）放大的条件BECECBonBE

3、0uuuUu 扩散运动形成发射极电流扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极，复合运动形成基极电流电流IB，漂移运动形成集电极电流，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散实验+-bce共射极放大电路共射极放大电路UBBUCCuBEiCiB+-uCEiEiB 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10iC 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95iE Ve集电结反偏：集电结反偏：

4、VcVb 电流分配： IEIBIC IE扩散运动形成的电流 IB复合运动形成的电流 IC漂移运动形成的电流BCIIIIiiIICBOCEOBCBC)(1 穿透电流集电结反向电流直流电流放大系数交流电流放大系数晶体管的电流放大作用三、晶体管的共射输入特性和输出特性 对于小功对于小功率晶体管，率晶体管，UCE大于大于1V的一条输入的一条输入特性曲线可特性曲线可以取代以取代UCE大大于于1V的所有的所有输入特性曲输入特性曲线。线。导通电压导通电压 UBE( (on) )硅管：硅管： (0.6 0.8) V锗管：锗管： (0.2 0.3) V取取 0.7 V取取 0.2 V1、输入特性、输入特性2、输

5、出特性、输出特性常数常数 B)(CECiufiiC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321（1）截止区：）截止区： IB 0 IC = ICEO 0条件：条件：两个结两个结 均反偏均反偏截止区截止区ICEO（动画2-2）iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321（2）放大区）放大区CEOBCIII 放大区放大区截止区截止区条件：发射结正偏 集电结反偏特点： 水平等间隔ICEOiC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8

6、 4321（3） 饱和区饱和区 uCE u BE uCB = uCE u BE 0 条件：条件：两个结正偏两个结正偏 特点：特点：IC IB临界饱和时：临界饱和时：uCE = uBE深度饱和时：深度饱和时：0.3 V (硅管)UCE(SAT)=0.1 V (锗管)放大区放大区截止区截止区饱饱和和区区ICEO3、温度对特性曲线的影响、温度对特性曲线的影响（1） 温度升高，输入特性曲线向左移。温度每升高 1C，UBE (2 2.5) mV。温度每升高 10C，ICBO 约增大 1 倍。BEuBiOT2 T1（ 2） 温度升高，输出特性曲线向上移。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB

7、= 0温度每升高 1C， (0.5 1)%。输出特性曲线间距增大。O三、晶体三极管的工作状态三种工作状态状态状态电流关系电流关系 条条 件件放大放大I C = IB发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏饱和 I C IB两个结正偏两个结正偏截止IB U(th) 则导通以 NPN为 例：UBE UB UE放大UE UC UB饱和PNP 管UC UB UC U B饱和（2）电流判别法IB IBS 则饱和IB U(BR)CEO U(BR)EBO例例1 1：测量三极管三个电极对地电位如图 试判断三极管的工作状态。 放大截止饱和例2：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域

8、？ 原则：正偏反偏反偏集电结正偏正偏反偏发射结饱和放大截止解：解：对NPN管而言，放大时对PNP管而言，放大时（1）放大区）放大区（2）截止区）截止区（3）饱和区）饱和区例例3:某放大电路中某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。三个电极的电流如图所示。 IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,试判断管脚、管型。试判断管脚、管型。解：电流判断法。解：电流判断法。电流的正方向和电流的正方向和KCL。IE=IB+ ICABC IAIBICC为发射极为发射极B为基极为基极A为集电极。为集电极。管型为管型为NPN管。管。管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。管脚、管型的判断

9、法也可采用万用表电阻法。参考实验。 原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗 管。发射结正偏，集电结反偏。 NPN管UBE0， UBC0，即。 PNP管UBE0， UBC0，即。五、晶体三极管的检测1 中、小功率三极管的检测 1、中、小功率三极管的检测、中、小功率三极管的检测 测量极间电阻。 将万用表置于R100或R1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 （1）已知型号和管脚排列

10、的三极管性能好坏的判断 ICEO= ICBO。随着环境温度的升高，ICBO增加，必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管ec极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下： 万用表电阻的量程一般选用R100或R1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。ec间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千

11、欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。 测三极管的穿透电流ICEO 目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至 挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。 另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数值，其颜色和值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全

12、相同。 测量放大能力() 用万用电表判别三极管的类型和基极根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R1k挡位。假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。 测试的第一步是判断哪个管脚是基极。（三颠倒，找基极） 任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；

13、剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，那么这次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。 三极管类型的判别： 三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。 判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用万用电表R1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。（2） 检测判别三极管的电极 测试NPN型管C、E 测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。 对于NPN型三极管，由NPN型三极管穿透电流的流向原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rc

14、e和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔c极b极e极红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔e极b极c极红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。 测不出，动嘴巴 若采用上述方法，颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用

15、舌头抵住)基极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。数字式万用表辨别三极管 先用二极管档找出B极。并判断是PNP还是NPN；有没有击穿。当B极确定，极性确定，管子是好的。可以把数字表打到HFE档。按NPN或PNP把B极针插到B极孔，任意把假定的“E”、“C”脚分别插入E、C 孔。记录HFE读数。 然后对调“E”、“C”。记录HFE读数。 读数大的一次E极孔所插的为E极。 要注意，带有阻尼或互补达林顿的管容易误判断。 对于常见的进口型号的大功率塑封管，其C极基本都是在中间。中、小功率管有的B极可能在中间。比如常用的

16、9014三极管及其系列的其它型号三极管。 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。正偏反偏反偏集电结正偏正偏反偏发射结饱和放大截止2、在路电压检测判断法六、晶体三极管的选用 晶体三极管的选用要点：晶体三极管的选用要点： 1、为保证三极管工作在安全区，应是工作电流ICICM，PCPCM，UCEU（BR）CEO。当需要使用功率三极管时，要满足散热条件。如果在发射结上有反向电压时，特别要注意e，b极间的反向电压不能超过U（BR）EBO。 2、在

17、放大高频信号时，要选用高频管，以减小高频段使值不致下降太多。若用于开关电路中，应选用开关管，来保证有足够高的开关速度。因为硅管的反向电流很小，允许的结温也大于锗管，所以在温度变化大的环境中应选用硅管；而要求导通电压低或电源只有1.5V时，应选用硅管。 3、为保证放大电路工作稳定，应选用反向电流小而且值不宜太高的管子，否则工作不稳定。一些三极管的型号和主要参数可查阅手册。 4、对于三极管的电压、电流等主要参数可以适当降额使用。例如，在要求三极管的功率为70W的电路中，可使用功率为100W的三极管，在要求三极管的电流为1A的电路中，可使用电流为1.5A的三极管。降额幅度一般可按30%掌握。降额使用

18、三极管，对其安全性有利，并可有效提高整机的可靠性。 双极型半导体三极管双极型半导体三极管( (晶体三极管晶体三极管 BJT) )单极型半导体三极管单极型半导体三极管( (场效应管场效应管 FET) )两种载流子导电多数载流子导电晶体三极管晶体三极管1. 形式与结构NPNPNP三区、三极、两结三区、三极、两结2. 特点基极电流控制集电极电流并实现放大本节小结放大条件内因：发射区载流子浓度高、 基区薄、集电区面积大外因：发射结正偏、集电结反偏3. 电流关系IE = IC + IBIC = IB + ICEO IE = (1 + ) IB + ICEOIE = IC + IBIC = IB IE =

19、 (1 + ) IB 4. 特性iC / mAuCE /V100 A80 A60 A40 A20 AIB = 0O 3 6 9 124321O0.4 0.8iB / AuBE / V60402080死区电压死区电压( (Uth) )：0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管)工作电压(UBE(on) ) ：0.6 0.8 V 取 0.7 V (硅管) 0.2 0.3 V 取 0.3 V (锗管)饱和区截止区iC / mAuCE /V100 A80 A60 A40 A20 AIB = 0O 3 6 9 124321放大区饱和区截止区放大区特点：1)iB 决定 iC2)曲线水平表示恒流3)曲线间隔

20、表示受控5. 参数特性参数电流放大倍数 = /(1 ) = /(1 + )极间反向电流ICBOICEO极限参数ICMPCMU(BR)CEOuCEOICEOiCICMU(BR)CEOPCM安 全 工 作 区= (1 + ) ICBO 学完本节内容后需要掌握以下内容：学完本节内容后需要掌握以下内容：1. .三极管的结构、分类及符号；三极管的结构、分类及符号；2. .三极管的三种工作状态：放大、截止、饱和的三极管的三种工作状态：放大、截止、饱和的判断及特点判断及特点3. .三极管的主要作用三极管的主要作用-放大放大4. .三极管的输入、输出特性；三极管的输入、输出特性；5. .三极管的选用满足极限参

21、数的要求：三极管的选用满足极限参数的要求：6.会检测识别三极管会检测识别三极管掌握知识点掌握知识点)(,CEOBRBRCMCCMCUUIIPP三极管练习题三极管练习题.doc二、晶体管的放大原理（集电结反偏），即（发射结正偏）放大的条件BECECBonBE0uuuUu 扩散运动形成发射极电流扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极，复合运动形成基极电流电流IB，漂移运动形成集电极电流，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电

22、区基区空穴的扩散 电流分配： IEIBIC IE扩散运动形成的电流 IB复合运动形成的电流 IC漂移运动形成的电流BCIIIIiiIICBOCEOBCBC)(1 穿透电流集电结反向电流直流电流放大系数交流电流放大系数晶体管的电流放大作用三、晶体三极管的工作状态三种工作状态状态状态电流关系电流关系 条条 件件放大放大I C = IB发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏饱和 I C IB两个结正偏两个结正偏截止IB U(th) 则导通以 NPN为 例：UBE UB UE放大UE UC UB饱和PNP 管UC UB UC U B饱和（2）电流判别法IB IBS 则饱和IB UB UE放大UE UC UB饱和PNP 管UC UB UC U B饱和（2）电流判别法IB IBS 则饱