刻蚀工序培训

1、RENA InOx刻蚀工序培训刻蚀工序培训刻蚀工序工艺培训刻蚀工序工艺培训刻蚀工序质量培训刻蚀工序质量培训刻蚀工序设备培训刻蚀工序设备培训 培训人：庞凤英培训人：庞凤英 彭连文彭连文一、刻蚀工序工艺培训一、刻蚀工序工艺培训1.刻蚀的目的刻蚀的目的 扩散过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩扩散过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩散上磷。散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。 同

2、时，由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层二氧化同时，由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层二氧化硅，在高温下硅，在高温下POCl3与与O2形成的形成的P2O5，部分，部分P原子进入原子进入Si取代部分晶格取代部分晶格上的上的Si原子形成原子形成n型半导体，部分则留在了型半导体，部分则留在了SiO2中形成中形成PSG。 后清洗的目的就去除背面及边缘的后清洗的目的就去除背面及边缘的PN结和去除硅片表面的结和去除硅片表面的PSG（磷硅玻璃）。（磷硅玻璃）。刻蚀刻蚀清洗清洗1碱洗碱洗酸洗酸洗吹干吹干22、后清洗的工艺步骤、后清洗的工艺步骤:清洗清洗2清洗清洗3下片下片上片上片刻蚀槽：用于

3、边缘刻蚀，去除背面及边缘的刻蚀槽：用于边缘刻蚀，去除背面及边缘的PN结。结。 所用溶液为所用溶液为HF+HNO3+H2SO4，主要工艺参数：，主要工艺参数：Firstfill volume:270.0L; Firstfill volume H2SO4 :80.0L; concentrations of chemical:HF(35g/L)&HNO3 (350g/L); Quality:120.0Kg; Setpoint recirculation flow:22.0L/min; Bath processtemperature:7 2 影响因素：影响因素：温度、浓度比、时间（通过调节滚轮

4、速度来控制）温度、浓度比、时间（通过调节滚轮速度来控制） 注意扩散面须向上放置，注意扩散面须向上放置， H2SO4的作用主要是增大液体浮力，使硅的作用主要是增大液体浮力，使硅片很好的浮于反应液上（仅上边缘片很好的浮于反应液上（仅上边缘2mm左右和下表面与液体接触）。左右和下表面与液体接触）。 根据刻蚀情况，可对温度作适当的修正。越高的温度对应越快的反应根据刻蚀情况，可对温度作适当的修正。越高的温度对应越快的反应速度，故如果刻蚀不够则可适当提高反应温度，反之亦然。当药液寿速度，故如果刻蚀不够则可适当提高反应温度，反之亦然。当药液寿命（命（Quality）到后（）到后（150W片左右），需更换整槽

5、药液。片左右），需更换整槽药液。碱洗槽碱洗槽 ： 所用溶液为所用溶液为KOHKOH，主要工艺参数：，主要工艺参数：Firstfill concentration of chemical:5%;Firstfill concentration of chemical:5%; Bath Bath lifetime:250hours;lifetime:250hours;Bath processtemperature:22Bath processtemperature:224 4 当药液寿命（当药液寿命（ Bath lifetimeBath lifetime ）到后，需更换整槽药液。）到后，需更换整槽药

6、液。影响因素：影响因素：浓度、时间浓度、时间碱洗槽的作用：碱洗槽的作用：1.1.洗去硅片表面多孔硅；洗去硅片表面多孔硅；2.2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。HFHF酸槽酸槽 ： 所用溶液为所用溶液为HFHF，主要工艺参数：，主要工艺参数：Firstfill concentration of chemical: Firstfill concentration of chemical: HF(5%);HF(5%); Bath ifetime:Bath ifetime:250hours250hours; Bath ; Bath processtempera

7、ture:processtemperature:2222 4 4 当药液寿命（当药液寿命（ Bath lifetimeBath lifetime ）到后，需更换整槽药液。）到后，需更换整槽药液。影响因素：影响因素：浓度、时间浓度、时间HFHF酸槽的作用：酸槽的作用：1.1.中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液；中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液；2.2.去去PSGPSG3.后清洗的原理后清洗的原理 3.1湿法刻蚀原理湿法刻蚀原理: 利用利用HNO3和和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去去除边缘的除边缘的N型硅型硅,使得硅片的上下表面相互绝

8、缘。使得硅片的上下表面相互绝缘。边缘刻蚀原理反应方程式：边缘刻蚀原理反应方程式：4HNO3+3Si=3SiO2+4NO+2H2OSiO2+6HF=H2SiF6+2H2O刻蚀前刻蚀前刻蚀后刻蚀后n+ SiPSGu刻蚀中容易产生的问题及检测方法：刻蚀中容易产生的问题及检测方法： 1.刻蚀不足刻蚀不足：边缘漏电，：边缘漏电，Rsh下降，严重可导致失效下降，严重可导致失效 检测方法：测绝缘电阻检测方法：测绝缘电阻 2.过刻过刻：正面金属栅线与：正面金属栅线与P型硅接触，造成短路型硅接触，造成短路 检测方法：称重及目测检测方法：称重及目测 SPC控制控制：当硅片从设备中流转出来时，工艺需检查硅片表面状：

9、当硅片从设备中流转出来时，工艺需检查硅片表面状态，绒面无明显斑迹，无药液残留。态，绒面无明显斑迹，无药液残留。156多晶该工序产品要求腐蚀深多晶该工序产品要求腐蚀深度控制在度控制在0.81.2m范围之内范围之内,且硅片表面刻蚀宽度不超过且硅片表面刻蚀宽度不超过2mm, 同时同时需要保证刻蚀边缘绝缘电阻大于需要保证刻蚀边缘绝缘电阻大于1K欧姆。欧姆。3.2去除磷硅玻璃的目的：去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。低和功率的衰减。 2) 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致

10、少子寿命的降死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了低，进而降低了Voc和和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。后产生色差。去去PSG原理方程式：原理方程式： SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2SiF6 总：总： SiO2+ 6HF=H2SiF6+2H2O去去PSG工序检验方法：工序检验方法：当硅片从当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明

11、磷硅玻璃未被去除干净，可在未被去除干净，可在HF槽中适当补些槽中适当补些HF。4.后清洗工序工艺要求后清洗工序工艺要求 后清洗出来的片子，不允许用手摸片子的表面。收片员工只允许接触后清洗出来的片子，不允许用手摸片子的表面。收片员工只允许接触片子的边缘进行装片。并且要勤换手套，避免片子的边缘进行装片。并且要勤换手套，避免PECVDPECVD后出现脏片！后出现脏片！ 每批片子的腐蚀重量和绝缘电阻都要检测。每批片子的腐蚀重量和绝缘电阻都要检测。 1. 1.要求每批测量要求每批测量4 4片。片。 2. 2.每次放测量片时，把握均衡原则。如第一批把测试片放每次放测量片时，把握均衡原则。如第一批把测试片放

12、1.3.5.71.3.5.7道，道，下一批则放下一批则放2.4.6.82.4.6.8道，便于监控设备稳定性和溶液的均匀性。道，便于监控设备稳定性和溶液的均匀性。 生产没有充足的片子时，工艺要求：生产没有充足的片子时，工艺要求： 1. 1.如果有如果有1 1小时以上的停机，要将刻蚀槽的药液排到小时以上的停机，要将刻蚀槽的药液排到tanktank，减少药液的，减少药液的挥发。挥发。 2. 2.停机后停机后1515分钟用水枪冲洗碱槽喷淋及风刀，防止酸碱形成的结晶盐分钟用水枪冲洗碱槽喷淋及风刀，防止酸碱形成的结晶盐堵塞喷淋口及风刀。堵塞喷淋口及风刀。 3. 3.停机停机1 1小时以上，要在开启机器生产

13、前半小时用水枪冲洗风刀处的滚小时以上，要在开启机器生产前半小时用水枪冲洗风刀处的滚轮，杜绝做出来的片子有滚轮印！轮，杜绝做出来的片子有滚轮印！ 后清洗到后清洗到PECVDPECVD的产品时间最长不能超过的产品时间最长不能超过4 4小时小时, ,时间过长硅片会污染时间过长硅片会污染氧化，从氧化，从 而影响产品的电性能及效率而影响产品的电性能及效率. . 刻蚀槽液面的注意事项：刻蚀槽液面的注意事项： 正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立即正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立即通知工艺人员。通知工艺人员。二、二、刻蚀工序质量培训刻蚀工序质量培训刻蚀工序的质

14、量控制主要分为来料质量控制和刻蚀后的质量刻蚀工序的质量控制主要分为来料质量控制和刻蚀后的质量控制。控制。1 1 来料要求来料要求1.11.1来料硅片的方阻要求在来料硅片的方阻要求在55605560欧姆。欧姆。1.21.2来料硅片不能有黄点、污点等现象来料硅片不能有黄点、污点等现象。刻蚀工序质量控制点刻蚀工序质量控制点2 2 出片质量控制点出片质量控制点2.1 2.1 刻蚀线宽度刻蚀线宽度刻蚀线宽度的测试主要是目测，一般硅片流出来之后，观察刻蚀线宽度的测试主要是目测，一般硅片流出来之后，观察其刻蚀线宽及刻蚀线的均匀性，要求线宽其刻蚀线宽及刻蚀线的均匀性，要求线宽2mm2mm。2.2 2.2 减薄

15、量减薄量 减薄量的大小会影响到方阻的大小，减薄量过大会导致硅片方减薄量的大小会影响到方阻的大小，减薄量过大会导致硅片方阻过大，反之亦然。减薄量控制在阻过大，反之亦然。减薄量控制在0.0450.068g 0.0450.068g 。减薄量用电。减薄量用电子天平进行测定。测定方法：每批取四片，分别测刻蚀前和刻蚀子天平进行测定。测定方法：每批取四片，分别测刻蚀前和刻蚀后的重量并作记录。每次放测量片时，把握均衡原则。如第一批后的重量并作记录。每次放测量片时，把握均衡原则。如第一批把测试片放把测试片放1.3.5.71.3.5.7道，下一批则放道，下一批则放2.4.6.82.4.6.8道，便于监控设备稳道，

16、便于监控设备稳定性和溶液的均匀性。定性和溶液的均匀性。 减薄量检测步骤：减薄量检测步骤：1)1)取样时确保手套是干净的，不干净的手套或不戴手套禁止触摸硅取样时确保手套是干净的，不干净的手套或不戴手套禁止触摸硅片；确保天平已经校准好。片；确保天平已经校准好。2)2)取好样以后用盒子盛装拿到称重处，对天平去皮。取好样以后用盒子盛装拿到称重处，对天平去皮。3 3）对每片称重并记录在电脑，同时记录批号和时间。）对每片称重并记录在电脑，同时记录批号和时间。4 4）称好）称好4 4片后在片后在RENARENA上料台放片，注意每隔一道放一片。硅片从上料台放片，注意每隔一道放一片。硅片从RENARENA机出来

17、后，收齐硅片。机出来后，收齐硅片。5 5）注意称重前后的每片硅片是相对应的，不要混淆。）注意称重前后的每片硅片是相对应的，不要混淆。6 6）去）去PSGPSG工序要求的腐蚀厚度为工序要求的腐蚀厚度为0.0450.068g0.0450.068g之间，如果高于或低之间，如果高于或低于这个范围，电脑数据表会提供一个参考值。生产部组长或技术员于这个范围，电脑数据表会提供一个参考值。生产部组长或技术员根据推荐值做修改，但技术员必须知道有这个异常。根据推荐值做修改，但技术员必须知道有这个异常。2.32.3边缘电阻边缘电阻刻边后硅片各边的绝缘电阻刻边后硅片各边的绝缘电阻10001000欧姆。用万欧姆。用万用

18、表测定硅片的边缘电阻。如果小于用表测定硅片的边缘电阻。如果小于10001000欧姆，欧姆，则可能边缘的则可能边缘的P-NP-N结没有刻断。边缘漏电，并联电结没有刻断。边缘漏电，并联电阻阻(Rsh)(Rsh)下降下降, ,严重可导致失效。严重可导致失效。测定方法跟减薄量相同，要求每批测量测定方法跟减薄量相同，要求每批测量4 4片，每次放测量片时，把握均片，每次放测量片时，把握均衡原则。便于监控设备稳定性和溶液的均匀性。取样如同减薄量测定。衡原则。便于监控设备稳定性和溶液的均匀性。取样如同减薄量测定。冷热探针法的检测原理冷热探针法的检测原理 探针和探针和N N型半导体接触时，传导电流将流向温度较低

19、的区域，使得热探型半导体接触时，传导电流将流向温度较低的区域，使得热探针处的电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言是正的。同针处的电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言是正的。同样原理，样原理，P P型半导体热探针触电相对于室温触点而言是负的。型半导体热探针触电相对于室温触点而言是负的。万用表操作及判断万用表操作及判断1 1）确认万用表工作正常，量程置于）确认万用表工作正常，量程置于200mv200mv。2 ）冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连）冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。3 3）用冷热探针接触硅片的一个边沿不相连的两点，电压表显

20、示这两点间）用冷热探针接触硅片的一个边沿不相连的两点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为的电压为正值，说明导电类型为P P型，且大于型，且大于30mv30mv；如果数值为正值，但；如果数值为正值，但数值小于数值小于30mv30mv，则为刻蚀不合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类，则为刻蚀不合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为型是否为P P型以及数值的大小。型以及数值的大小。4 4）如果经过检测，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新）如果经过检测，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行返工刻蚀。装片，进行返工刻蚀。2.42.4方阻变化量方阻

21、变化量刻蚀后方阻的的上升幅度小于刻蚀后方阻的的上升幅度小于3 3欧姆。测定方法为四探针法。欧姆。测定方法为四探针法。 2.5 2.5 硅片硅片5S5S控制控制硅片表面保持干净，不允许有水珠，污点等现象。不允许手直接硅片表面保持干净，不允许有水珠，污点等现象。不允许手直接接触硅片的表面。如果有水珠没有吹干，将会影响下道镀膜工序的外接触硅片的表面。如果有水珠没有吹干，将会影响下道镀膜工序的外观，镀膜后硅片表面有白点。或出现花纹、手纹印等。观，镀膜后硅片表面有白点。或出现花纹、手纹印等。后清洗到后清洗到PECVDPECVD的产品时间最长不能超过的产品时间最长不能超过4 4小时小时, ,时间过长硅片会

22、污时间过长硅片会污染氧化，从而影响产品的电性能及效率染氧化，从而影响产品的电性能及效率. .6 6、后清洗常见异常图片分析、后清洗常见异常图片分析7 7、后清洗常见异常处理流程、后清洗常见异常处理流程三、刻蚀工序设备培训刻蚀工艺步骤：刻蚀工艺步骤： 边缘刻蚀边缘刻蚀碱洗碱洗 酸洗酸洗吹干吹干 RENA InOxSide后清洗设备的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、后清洗设备的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。Etch bathRinse1AlkalineRinseRinse2HF b

23、athRinse3Dryer2一、刻蚀设备构造一、刻蚀设备构造+“一化一水一化一水”，硅片每经过一次化学品，都会经过一次水，硅片每经过一次化学品，都会经过一次水喷淋清洗。喷淋清洗。+除刻蚀槽和第一道水喷淋之间除刻蚀槽和第一道水喷淋之间, ,其它的槽和槽之间都有吹其它的槽和槽之间都有吹液风刀液风刀+除刻蚀槽外，其它化学槽和水槽都是喷淋结构，去除刻蚀槽外，其它化学槽和水槽都是喷淋结构，去PSGPSG氢氢氟酸槽是喷淋结构，而且片子进入到溶液内部。氟酸槽是喷淋结构，而且片子进入到溶液内部。+最后一道水喷淋（第三道水喷淋）由于要将所有化学品全最后一道水喷淋（第三道水喷淋）由于要将所有化学品全部洗掉，所以

24、水压最大。相应的，最后的吹干风刀气压最部洗掉，所以水压最大。相应的，最后的吹干风刀气压最大。大。上片刻蚀槽H2SO4/HNO3/HF水喷淋碱洗槽NaOH水喷淋去PSG槽HF水喷淋下片吹干风刀RENA清洗设备清洗设备注：前、后清洗设备外观相同，内部构造和作用原理稍有不同注：前、后清洗设备外观相同，内部构造和作用原理稍有不同Etch bathEtch bath：刻蚀槽，用于边缘刻蚀。：刻蚀槽，用于边缘刻蚀。 所用溶液为所用溶液为HF+HNOHF+HNO3 3+H+H2 2SOSO4 4，作用：作用：边缘刻蚀，除去边缘边缘刻蚀，除去边缘PNPN结，使电流朝同一方向流动。结，使电流朝同一方向流动。 注

25、意注意扩散面须向上放置，扩散面须向上放置， H H2 2SOSO4 4的作用主要是增大液体浮的作用主要是增大液体浮力，使硅片很好的浮于反应液上（仅上边缘力，使硅片很好的浮于反应液上（仅上边缘2mm2mm左右和下表左右和下表面与液体接触）。面与液体接触）。Alkaline Rinse：碱洗槽：碱洗槽 。 所用溶液为所用溶液为KOH，作用作用：中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。HF Bath：HF酸槽酸槽 。 所用溶液为所用溶液为HF，作用：作用：中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液；去中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液；去PSGRinse 13Rinse 13

26、为水洗槽；水洗槽与槽之间相互联通。为水洗槽；水洗槽与槽之间相互联通。Dryer 2Dryer 2为风刀；通过调节风刀的角度和吹风的压力，为风刀；通过调节风刀的角度和吹风的压力，使硅片被迅速吹干。使硅片被迅速吹干。滚轮分三段设定速度，其中滚轮分三段设定速度，其中converyor1converyor converyor1converyor 2converyor 32converyor 3，（传送带）否则前快后慢，易在设，（传送带）否则前快后慢，易在设备中因为叠片而造成碎片。滚轮速度（即制绒时间）备中因为叠片而造成碎片。滚轮速度（即制绒时间）根据需要的腐蚀深度来进行设置，生产过程中可根据根据需要的

27、腐蚀深度来进行设置，生产过程中可根据测试结果来进行滚轮速度修正。一般滚轮速度慢，则测试结果来进行滚轮速度修正。一般滚轮速度慢，则反应时间增加，腐蚀深度加深，反之亦然。反应时间增加，腐蚀深度加深，反之亦然。 后清洗机台的操作界面，基本的工艺要求，换药后清洗机台的操作界面，基本的工艺要求，换药规程等、基本都都同于前清洗设备，在此不再累述。规程等、基本都都同于前清洗设备，在此不再累述。 需要注意的是：后清洗刻蚀槽处的排风很重要需要注意的是：后清洗刻蚀槽处的排风很重要二、二、RENARENA设备常见报警信息设备常见报警信息1 1 关于关于waferjamwaferjam（叠片）报警（叠片）报警出现此类

28、滚轮是报警时，工艺人请设备人员调整滚轮并取出现此类滚轮是报警时，工艺人请设备人员调整滚轮并取出碎片。如果是滚轮原因造成上述报警，同时上级决定暂时出碎片。如果是滚轮原因造成上述报警，同时上级决定暂时不能停机，可选择不在报警道投片，待工艺换药或设备不能停机，可选择不在报警道投片，待工艺换药或设备PMPM时时要求设备人员进行相应调整。此外可要求生产人员可适当增要求设备人员进行相应调整。此外可要求生产人员可适当增大放员需检查各段否正常工作，设备中是否出现卡片、碎片大放员需检查各段否正常工作，设备中是否出现卡片、碎片。如果出现上述异常，需及时片间距，减少叠片的发生。如果出现上述异常，需及时片间距，减少叠

29、片的发生。2 2 关于关于temperaturetemperature（温度）报警（温度）报警出现此类报警时，工艺人员需确认出现此类报警时，工艺人员需确认coolingunitcoolingunit在工作，在工作，确认有循环流量，然后等待并观察温度是否降低。如果温度确认有循环流量，然后等待并观察温度是否降低。如果温度没有下降趋势，通知设备人员进行检查。没有下降趋势，通知设备人员进行检查。3 3 关于关于pumppump（泵）报警（泵）报警 出现此类报警时，工艺人员需确认报警槽的溶液出现此类报警时，工艺人员需确认报警槽的溶液量是否达到液位要求，循环是否正常。如有异常，补加量是否达到液位要求，循环

30、是否正常。如有异常，补加药液并手动打开槽体循环。同时要求设备人员检查该槽药液并手动打开槽体循环。同时要求设备人员检查该槽喷淋滤芯是否正常。喷淋滤芯是否正常。4 4 关于关于drydry（风刀）报警（风刀）报警 出现此类报警时，工艺人员需检查外围供气压力出现此类报警时，工艺人员需检查外围供气压力是否正常，风刀有无被堵。并及时通知外围人员或设备是否正常，风刀有无被堵。并及时通知外围人员或设备人员作出相应调整。人员作出相应调整。5 5 关于刻蚀槽关于刻蚀槽flowflow（流量）报警（流量）报警出现此类报警时，工艺人员需检查是否有碎片堵住药出现此类报警时，工艺人员需检查是否有碎片堵住药液入口。如有碎

31、片需取出后，将药液打入液入口。如有碎片需取出后，将药液打入tanktank混匀溶液混匀溶液后重新将药液打入后重新将药液打入bathbath中。如果流量不稳定报警，需要中。如果流量不稳定报警，需要求设备人员检查相应传感器求设备人员检查相应传感器6 6 关于关于overfilledoverfilled（溶液过满）报警（溶液过满）报警出现此类报警时，工艺人员需要求设备检查液位传感出现此类报警时，工艺人员需要求设备检查液位传感器是否正常工作。如果确实过满，则需要手动排掉部分器是否正常工作。如果确实过满，则需要手动排掉部分药液，直到达到生产液位要求。药液，直到达到生产液位要求。7 7 关于关于 tank

32、 emptytank empty（储药罐空）报警（储药罐空）报警出现此类报警时，说明外围相应储药罐中的药品已空出现此类报警时，说明外围相应储药罐中的药品已空，需及时通知外围人员添加药液。，需及时通知外围人员添加药液。8 8 关于关于 valve blockedvalve blocked（阀门被堵）报警（阀门被堵）报警出现此类报警时，则有阀门被堵，必须立即通知设备出现此类报警时，则有阀门被堵，必须立即通知设备人员处理。人员处理。9 9 颜色突出指示的意义颜色突出指示的意义 出现报警信息时，各种颜色突出所指示的相关意出现报警信息时，各种颜色突出所指示的相关意义如下图义如下图所示所示 三、如何减小三

33、、如何减小RENARENA设备的碎片率设备的碎片率39 正确位置错误的位置 1.1. 放片方法应严格按照作业指导书，轻拿轻放在正确放片方法应严格按照作业指导书，轻拿轻放在正确位置。多晶位置。多晶156156的硅片由于面积较大，如果放置的位置不正的硅片由于面积较大，如果放置的位置不正确，很容易造成叠片卡片等，致使硅片在机器中碎裂。确，很容易造成叠片卡片等，致使硅片在机器中碎裂。40 2.2. 提高挡板的高度使得片子能够顺利的通过提高挡板的高度使得片子能够顺利的通过. . 滚轮能够碰到挡板的地方，可以选择将挡板切掉一部分滚轮能够碰到挡板的地方，可以选择将挡板切掉一部分. . 盖子容易盖子容易碰到滚

34、轮碰到滚轮41 3. 减少减少CDACDA的压力，调节上下风刀的压力，使得上下的压力，调节上下风刀的压力，使得上下压力到达均衡压力到达均衡 4.4.调整风管的方向，确保调整风管的方向，确保O-ringO-ring没有碰到风管没有碰到风管调节挡板调节挡板和滚轮之和滚轮之间的距离间的距离42 5.5. 调整喷淋管的位置，至滚轮能够光滑的运行调整喷淋管的位置，至滚轮能够光滑的运行 6.6.调整风管和水管的位置，使得片子在通过的时候，调整风管和水管的位置，使得片子在通过的时候，不会影响片子的运行不会影响片子的运行43 7.7. 检查所有滚轮和检查所有滚轮和O-ringO-ring的位置是正确的，确保上

35、下滚轮的位置是正确的，确保上下滚轮在同一条线上在同一条线上 8.8.调节滚轮的高度和水洗管的位置保证片子在传送过程中调节滚轮的高度和水洗管的位置保证片子在传送过程中无偏移如果发生偏移会产生碎片无偏移如果发生偏移会产生碎片44 9.9.调节滚轮的速度小于滚轮的速度，如果生产不调节滚轮的速度小于滚轮的速度，如果生产不赶产量，则尽量让生产人员放片子不要太急，拉大片间距，赶产量，则尽量让生产人员放片子不要太急，拉大片间距，这样片子进出设备较均匀，不易产生叠片等现象这样片子进出设备较均匀，不易产生叠片等现象片子之间距离2cm45 10.10.工艺人员在日常正常生产过程中，如果发现机器碎工艺人员在日常正常

36、生产过程中，如果发现机器碎片，一方面应该提醒产线员工注意放片规范，减少叠片和片，一方面应该提醒产线员工注意放片规范，减少叠片和歪片；另一方面，应巡查上述主要地方，及时找到并清理歪片；另一方面，应巡查上述主要地方，及时找到并清理在设备中残留的碎片，杜绝更多碎片的产生。在设备中残留的碎片，杜绝更多碎片的产生。四、前后清洗十项影响效率、四、前后清洗十项影响效率、良率良率( (或特定电参数或特定电参数) )的原因的原因A.片源不同片源不同 这里提到的片源差异包括多晶硅料的不同（锅底料、这里提到的片源差异包括多晶硅料的不同（锅底料、边皮料、金属硅、复拉料、重掺杂等等）以及晶体大小不边皮料、金属硅、复拉料

37、、重掺杂等等）以及晶体大小不同（微晶片等），对于前清洗，片源不同，腐蚀量、腐蚀同（微晶片等），对于前清洗，片源不同，腐蚀量、腐蚀速率和形成的绒面结构都会不同，短路电流将受到重大影速率和形成的绒面结构都会不同，短路电流将受到重大影响，其他电性能也会受到一定程度的影响。后清洗双向切响，其他电性能也会受到一定程度的影响。后清洗双向切割片的线痕过大会造成过刻等。割片的线痕过大会造成过刻等。 预防措施：预防措施：1集中投片配合工艺对药液的调节集中投片配合工艺对药液的调节2每批产品测量刻蚀重量是有超规范每批产品测量刻蚀重量是有超规范B.药液浓度的稳定性药液浓度的稳定性 包括药液补加量的准确程度，药液的挥发

38、，工艺参包括药液补加量的准确程度，药液的挥发，工艺参数的设置等。数的设置等。 预防措施：预防措施：1.设备带料不生产时把药液排到设备带料不生产时把药液排到TANK槽中槽中2.控制稳定的温度控制稳定的温度3.测量硅片反射率是否超规范测量硅片反射率是否超规范4.每批产品测量刻蚀重量是有超规范每批产品测量刻蚀重量是有超规范5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器C.温度的波动温度的波动 温度直接影响片子与药液反应的程度，其波动的大温度直接影响片子与药液反应的程度，其波动的大小和波动的周期直接影响批内和批次间腐蚀量和刻蚀小和波动的周期直接影响批内和批

39、次间腐蚀量和刻蚀量的不同，进而导致电性能的波动。量的不同，进而导致电性能的波动。 预防措施：预防措施：1.设备定期检查设备定期检查cool是否正常是否正常2.设备端进行温度设备端进行温度SPC监控监控3.工艺每天检查温度趋势工艺每天检查温度趋势4.测量硅片反射率是否超规范测量硅片反射率是否超规范5.每批产品测量刻蚀重量是有超规范每批产品测量刻蚀重量是有超规范D.设备喷淋的异常设备喷淋的异常 喷淋的异常会导致药液残留和一些反应不能正常进行，喷淋的异常会导致药液残留和一些反应不能正常进行，进而出现脏片。进而出现脏片。 预防措施：预防措施：1.设备每次做完设备每次做完PM时调整好喷淋角度，并用假片检

40、查硅时调整好喷淋角度，并用假片检查硅 片是否有脏片。片是否有脏片。2.生产每两小时检查设备是否有碎片卡在滚轮中，堵住喷生产每两小时检查设备是否有碎片卡在滚轮中，堵住喷 淋口淋口3.盖挡板时须轻放，避面挡板打偏喷淋口盖挡板时须轻放，避面挡板打偏喷淋口4.对于碱槽，当设备待料超过对于碱槽，当设备待料超过15分钟时必须冲洗喷淋及风刀分钟时必须冲洗喷淋及风刀E.过刻的异常过刻的异常 后清洗造成过刻，镀膜后黑边，且造成短路，从后清洗造成过刻，镀膜后黑边，且造成短路，从而影响效率及良率而影响效率及良率 预防措施：预防措施：1.调节排风或降低流量或提高速度调节排风或降低流量或提高速度2.设备端安装排风监控表

41、，并每天检查设备端安装排风监控表，并每天检查3.滚轮或槽体挡板变形，需调整滚轮或挡板滚轮或槽体挡板变形，需调整滚轮或挡板4.药液浓度异常，需调节浓度药液浓度异常，需调节浓度5.希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器希望设备端给设备安装实际测量药液补加的测量器F.设备滚轮的变形异常设备滚轮的变形异常 导致碎片、腐蚀不均、过刻、硅片沾不到液等，导致碎片、腐蚀不均、过刻、硅片沾不到液等，最终影响效率最终影响效率 预防措施：预防措施：1.设备设备PM时定期检查时定期检查2.工艺及时反馈刻蚀状况工艺及时反馈刻蚀状况G.设备设备PM彻底性和细化彻底性和细化 PM进行的彻底到位可以保证生产的正常进行，

42、如滤芯进行的彻底到位可以保证生产的正常进行，如滤芯的清洗，清洗不好，可能导致水不干净，造成水痕脏片等；的清洗，清洗不好，可能导致水不干净，造成水痕脏片等；碎片清理不彻底可能导致碎片流入药液管道造成药液流量降碎片清理不彻底可能导致碎片流入药液管道造成药液流量降低，滴定阀堵塞漏酸，造成脏片等。低，滴定阀堵塞漏酸，造成脏片等。 预防措施：预防措施：1.要求设备要求设备PM之前必须冲洗各个槽滚轮，且在之前必须冲洗各个槽滚轮，且在PM后工艺端后工艺端检查是否做到位，看碎片是否清洗干净，滚轮是否安装好等检查是否做到位，看碎片是否清洗干净，滚轮是否安装好等H.测量仪器的短缺测量仪器的短缺 测量仪器的短缺会造

43、成测量不能及时进行，产品质量不能测量仪器的短缺会造成测量不能及时进行，产品质量不能保证，甚至导致生产大量不良片后才发现。至少保证每两台保证，甚至导致生产大量不良片后才发现。至少保证每两台机器有一台测量仪器（电子天平和绝缘电阻测试仪）。机器有一台测量仪器（电子天平和绝缘电阻测试仪）。 预防措施：预防措施：1.设备定期检查测量仪器是否完好，准确设备定期检查测量仪器是否完好，准确2.校正部门应定期校正测量仪器校正部门应定期校正测量仪器3.应给每台设备配备测量仪器应给每台设备配备测量仪器I.工艺规定和要求执行的不彻底工艺规定和要求执行的不彻底1.主要包括新换药液后和待机一段时间后跑假片，假片跑不主要包

44、括新换药液后和待机一段时间后跑假片，假片跑不够，就会出现滚轮影或刻蚀量不够；够，就会出现滚轮影或刻蚀量不够；2.片源不足时集中投放，不然前清洗容易出现刻蚀量不均匀，片源不足时集中投放，不然前清洗容易出现刻蚀量不均匀，后清洗容易出现过刻；后清洗容易出现过刻；3.清洗后的片子放置时间控制，硅片表面氧化，影响后面效清洗后的片子放置时间控制，硅片表面氧化，影响后面效率良率；率良率；4.待料时滚轮不及时冲洗，容易出现碱槽喷淋风刀盐结晶堵待料时滚轮不及时冲洗，容易出现碱槽喷淋风刀盐结晶堵塞，导致出现脏片和塞，导致出现脏片和 水洗水洗1槽滤芯盐结晶堵塞，出现流量槽滤芯盐结晶堵塞，出现流量低，从而出现脏片等。

45、低，从而出现脏片等。 预防措施：预防措施：1.培训员工了解工艺规范培训员工了解工艺规范2.建立考核制度建立考核制度3.工艺设备加强检查生产的执行情况工艺设备加强检查生产的执行情况J.员工的操作不当、质量意识欠缺以及作业区员工的操作不当、质量意识欠缺以及作业区5S执行状况执行状况 主要表现为片子放反，出现不良时不能及时发现隔离主要表现为片子放反，出现不良时不能及时发现隔离并通知工艺和设备，减少不良产生等。手套，片盒，桌面，并通知工艺和设备，减少不良产生等。手套，片盒，桌面，机台等卫生状况都会影响产品质量。机台等卫生状况都会影响产品质量。预防措施：预防措施：1.培训员工了解工艺规范及培训员工了解工

46、艺规范及5S规范规范2.建立考核制度建立考核制度3.5S、工艺、设备加强检查生产的执行情况、工艺、设备加强检查生产的执行情况情况情况 一一 ：碱槽发生堵片：碱槽发生堵片 片子在碱液中浸泡时间过长，硅片会于碱液发生反应，片子在碱液中浸泡时间过长，硅片会于碱液发生反应，正面的正面的PN结很快就会受到破坏，而后会腐蚀表面的金字塔，结很快就会受到破坏，而后会腐蚀表面的金字塔，甚至达到抛光的效果。碱槽发生堵片需立即用大量清水冲甚至达到抛光的效果。碱槽发生堵片需立即用大量清水冲洗硅片，待片子取出后，手动状态下用洗硅片，待片子取出后，手动状态下用RENA清洗这些片清洗这些片子（水喷淋、酸洗、吹干），将片子上

47、残留的酸液洗净，子（水喷淋、酸洗、吹干），将片子上残留的酸液洗净，然后进行方块电阻的测量，电阻无异常的可按正常程序继然后进行方块电阻的测量，电阻无异常的可按正常程序继续生产下去（从镀膜开始往下做）；电阻异常的，扩散能续生产下去（从镀膜开始往下做）；电阻异常的，扩散能返工好的在扩散返工，扩散无法返工的从制绒开始重新做。返工好的在扩散返工，扩散无法返工的从制绒开始重新做。 情况情况 二：刻蚀槽发生堵片二：刻蚀槽发生堵片 此时片子正面一般都会沾上刻蚀液，从而破坏正此时片子正面一般都会沾上刻蚀液，从而破坏正面的面的PNPN结。为防止刻蚀液被稀释，取片时不宜用大量结。为防止刻蚀液被稀释，取片时不宜用大量

48、水冲洗。这种片子取出后，需在手动状态下用水冲洗。这种片子取出后，需在手动状态下用RENARENA清清洗这些片子（碱洗、水洗、酸洗、吹干），将片子上洗这些片子（碱洗、水洗、酸洗、吹干），将片子上残留的酸液洗净，然后进行方块电阻的测量，电阻无残留的酸液洗净，然后进行方块电阻的测量，电阻无异常的可按正常程序继续生产下去（从异常的可按正常程序继续生产下去（从RENARENA开始往下开始往下做）；电阻异常的，扩散能返工好的在扩散返工，扩做）；电阻异常的，扩散能返工好的在扩散返工，扩散无法返工的从制绒开始重新做散无法返工的从制绒开始重新做。情况情况 三三 ：酸槽发生堵片：酸槽发生堵片 片子在酸液中浸泡时间

49、过长，硅片会于酸液发生反应，在片子在酸液中浸泡时间过长，硅片会于酸液发生反应，在电池片表面形成一种黄褐色的膜。酸槽发生堵片时立即用电池片表面形成一种黄褐色的膜。酸槽发生堵片时立即用大量清水冲洗，只要冲洗及时是不会有影响的，此时只要大量清水冲洗，只要冲洗及时是不会有影响的，此时只要手动状态下用手动状态下用RENA清洗这些片子（水喷淋、酸洗、吹清洗这些片子（水喷淋、酸洗、吹干），然后从镀膜开始往下做。干），然后从镀膜开始往下做。情况情况 四四 ：设备断电或重大报警导致的机器异常停止：设备断电或重大报警导致的机器异常停止 设备断电或异常停止后，刻蚀槽溶液会自动打回储设备断电或异常停止后，刻蚀槽溶液会

50、自动打回储备槽。备槽。 1.1.若果设备立即就能恢复，此时将设备切换到手若果设备立即就能恢复，此时将设备切换到手动状态，将除刻蚀槽外的所有工序打开，然后打开滚轮，动状态，将除刻蚀槽外的所有工序打开，然后打开滚轮，让硅片及时走出。这种情况下，出现异常时已经经过碱让硅片及时走出。这种情况下，出现异常时已经经过碱槽的片子可正常往下做；而停在刻蚀槽中的片子需重新槽的片子可正常往下做；而停在刻蚀槽中的片子需重新完整的再经过一遍完整的再经过一遍RENARENA刻蚀：碱槽的片子需测一下方块刻蚀：碱槽的片子需测一下方块电阻，正常即可往下做，电阻变大需从扩散开始返工。电阻，正常即可往下做，电阻变大需从扩散开始返

51、工。 2.若果设备较长时间不能恢复，此时尽量用水枪冲洗滞留在若果设备较长时间不能恢复，此时尽量用水枪冲洗滞留在碱槽、酸槽中的片子，防止片子与溶液发生反映。待设备恢碱槽、酸槽中的片子，防止片子与溶液发生反映。待设备恢复后，切换设备到手动状态，将除刻蚀槽外的所有工序打开，复后，切换设备到手动状态，将除刻蚀槽外的所有工序打开，然后打开滚轮，让硅片及时走出。此时若硅片表面颜色、外然后打开滚轮，让硅片及时走出。此时若硅片表面颜色、外观没有变化，可以将出现异常时已经经过碱槽的片子正常往观没有变化，可以将出现异常时已经经过碱槽的片子正常往下做；停在刻蚀槽中的片子重新完整的再经过一遍下做；停在刻蚀槽中的片子重新完整的再经过一遍RENA刻蚀；刻蚀；碱槽的片子需测一下方块电阻，正常即可往下做，电阻变大碱槽的片子需测一下方块电阻，正常即可往下做，电阻变大需从扩散开始返工。若碱槽硅片已出现抛光现象或酸槽硅片需从扩散开始返工。若碱槽硅片已出现抛光现象或酸槽硅片的表面颜色已经变化，需将碱槽和酸槽的片子从制绒开始返的表面颜色已经变化，需将碱槽和酸槽的片子从制绒开始返工，其它槽