LED制造工艺流程ppt课件

1、LED制造工艺流程制造工艺流程工艺过程工艺过程例如例如GaAs、Al2O3 、Si、 SiC等等制造衬底制造衬底封状成封状成废品废品制造制造芯片芯片40000个个制造发光制造发光二极管外二极管外延片延片例如例如MOCVD一片一片2直径英寸的外直径英寸的外延片可以加工延片可以加工20000多个多个LED芯片芯片硅硅(Si)氮化镓氮化镓(GaN)50毫米200微米=0.2毫米上游产业：材料的外延与生长中游产业：芯片制造下游产业：器件封装与应用技术路线技术路线衬底制备外延材料生长外延片检测N面工艺薄膜转移P面工艺芯片点测划片芯片分选衬底制备衬底制备直拉法直拉法主要包括以下几个主要包括以下几个过程：过

2、程：加料加料熔化熔化缩颈缩颈生长生长放肩生长放肩生长等径生长等径生长尾部生尾部生长长切片磨片抛光清洗:2h光刻:刻蚀:1h一炉(8片)光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶为例)：(1) 涂光刻胶；(2) 前烘；(3) 曝光(使用光刻版掩膜)；(4) 显影；(5) 坚膜；(6) 腐蚀；(7) 去胶涂粘结剂，正胶并前烘曝光曝光后显影并坚膜腐蚀去胶等离子去胶机正胶 :腐蚀，去除被照的部分负胶:剥离，去除被挡住的部分，后烘刻蚀RIE和 ICP以CF4刻蚀SiO2为例说明 刻蚀包括化学过程和物理过程，化学过程是指反应气体与被刻蚀物质的化学反应，物理过程是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰击

3、 e* + CF4 CF3 + F + e 4F + SiO2(s) SiF4(g) + 2ORIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀反应离子刻蚀ICP (Induced Coupled Plasma)电感耦合等离子体电感耦合等离子体外延材料生长外延材料生长lMOCVD 记编号 放片子反应原理、反应方程式反应原理、反应方程式N H3H2T M G b u b b le rR e a c to r c h a m b e r(C H )G a + N H - - G a N + 3 C H3334S u b s tr a teS u s c e p to rNH3TMG氨

4、气NH3氢气H2三甲基镓源 TMG反应管衬底石墨支撑盘Ga(CH3)3(v)+NH3(v)一GaN(s)+3CH4(v)外延层结构外延层结构外延层主要结构：缓冲层、外延层主要结构：缓冲层、N型导电层、量子型导电层、量子阱发光层、阱发光层、P型导电层型导电层氮化铝(AlN)缓冲层氮化镓(GaN)缓冲层5InGaN/GaN多量子阱Si(111)Si(111)衬底衬底N型导电GaN掺Si层P型导电GaN掺Mg层430um34um2nm=0.002um8nm=0.008um200nmSilicon Substrate外延片检测外延片检测lPL机 半峰宽 主波长 l台阶仪l清洗，去除有机物等BOE外延片

5、P面工艺面工艺l反射欧姆电极蒸镀Cr/Pt73产品 (Ag) Cr不与Ag形成欧姆接触，绝缘。Cr易氧化，粘附力差，Pt保护Cr， CrPt互补l 蒸发台: 温度 厚度 压力 功率 速度l蒸发前清洗 80王水煮40min冲水10min后 l HCl:H2O=1:1 泡5minlNi/Ag蒸发 Ni粘附力好，但挡光，1埃l合金lP面电极图形P型接触层蒸发合金粘结层蒸发粘结层光刻薄膜转移薄膜转移bonding双面镀金基板压力压力/温度温度石墨石墨外延片与基板外延片与基板压头压头灌蜡 堵住沟槽，保护Ag金锡邦定金金邦定不牢，表面不干净，因在邦定前不能用H2SO4泡Ag不允许）去Si衬底522( HN

6、O3:HF:冰乙酸)N N型层型层l去沟槽，去蜡 丙酮超声去边(去GaN防止漏电)（1SiO2掩膜生长去边（2SiO2掩膜光刻去边（3去边腐蚀去边（4去Pt (P型接触层)去边（5去SiO2l剥离？LLON面工艺面工艺l表面粗化(AFM观察) 尖的高度和大小l钝化蓝光SiON 2800埃 SiO2lN电极蒸发Al/Ti/Aul电极光刻钝化（1SiN生长钝化（2SiN光刻N电极蒸发Al）N电极光刻Al）芯片点测芯片点测划片划片芯片分选芯片分选自动分选扫描手选l崩膜，扩膜l贴标签l计数封装封装l LED的封装的任务l 是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率

7、的作用。关键工序有装架、压焊、封装。l封装形式有Lamp-LED、 TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。LAMP食人鱼TOP LED大功率LED封装工艺说明封装工艺说明l芯片检验 l 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 l扩片l 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 l点胶l 在LED支架的相应位置点上银胶或

8、绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。l 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。l备胶l 和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在背面电极上，然后把背部带银胶的D安装在支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。l手工刺片l 将扩张后LED芯片备胶或未备胶安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位

9、置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。l 自动装架l 自动装架其实是结合了粘胶点胶和安装芯片两大步骤，先后在LED支架点上银胶绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。l 自动装架在工艺上主要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。l烧结 l 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。l 银胶烧结的温度一般控制在150，烧结时间2小时。根据实际

10、情况可以调整到170，1小时。l 绝缘胶一般150，1小时。银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时或1小时打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。l压焊 l 压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作。l LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程在在压第一点前先烧个球，其余过程类似。l 压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的压焊金丝铝丝拱丝形状，焊点形状，拉力。l 对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金铝丝材料、超声功率、压焊压力、劈力钢嘴选用、劈刀钢嘴运动轨迹等等。（下图是同等条件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在微观结构上存在差别，从而影响着产品质量。）l 灌胶封装 l Lamp-LED的封装采用灌胶的形式。灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的LED支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED从模腔中脱出即成型。l固化与固化后l 固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在135，1小时。模压封装一般在150，4分钟。 l后固化 l 后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老化。后固化对于提高环氧与支架PCB的粘结强度非常