第4章《自测题、习题》参考答案

1、模拟电子技术基础 39第4章 多级放大电路与频率响应自测题4.1填空题1在三级放大电路中，已知，则其总电压放大倍数 ，折合为 。2一个三级放大电路，若第一级和第二级的电压增益为，第三级的电压增益为，则其总电压增益为 ，折合为 倍。3在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 。4在多级直接耦合放大电路中，对电路零点漂移影响最严重的一级是 ，零点漂移最大的一级是 。5集成运放的两个输入端分别为 和 输入端，前者输入信号的极性与输出端极性 ，后者输入信号的极性与输出端极性 。6某单级共射放大电路的对数幅频响应如题4.1.6图所示，则该放大电路的频率响应表达式为 ，

2、频率响应表达式为 。 7在题4.1.7图所示放大电路中，空载时，若增大电容的容量，则中频电压放大倍数将 ，将 ，将 ；当减小时，将 。当带上负载后，将 。8多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都 ；级数越多则上限频率越 。9已知RC耦合放大电路在处放大倍数为100，则在处放大倍数为 ，中频区放大倍数为 。答案：1105，100。280，104。3负载电阻，信号源内阻。4输入级，输出级。5同相，反相，相同，相反。6；。7不变，下降，不变，增大，增大。 8窄，低。9100，141。4.2选择题1一个由相同类型管子组成的两级阻容耦合共射放大电路，前级和后级的静态工作点均偏低，

3、当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将 。A削顶失真； B削底失真； C双向失真。2两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级联后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数 。A等于60； B等于900； C小于900； D大于900。3阻容耦合与直接耦合多级放大电路之间的主要不同是 。A所放大的信号不同； B交流通路不同； C直流通路不同。4一个放大电路的对数幅频响应如题4.1.6图所示。（1）中频放大倍数为 dB。A20； B40； C100。（2）上限频率为 。A<100 kHz； B>100 kHz； C100 kHz。（3）下限频率为 。A&

4、lt;100 Hz； B>100 Hz； C100 Hz。（4）当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为 。A40； B37； C3。5在题4.1.7图所示阻容耦合共射放大电路中，已知晶体管的，负载开路。试求：（1）若，且信号频率 ，则的数值约为 。A1V； B2V； C1.4V； D700mV。（2）当时，与的相位关系为 。A； B； C； D。（3）高频信号输入时放大倍数下降，主要的原因是 。A和； B晶体管的非线性； C晶体管的极间电容和分布电容。6在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号为正弦波，则输出信号 。A会产生线性失真； B会产生非线性失真； C为非正弦波；

5、D为正弦波。7如图2.4.4（a）所示的分压式工作点稳定共射基本放大电路，当射极旁路电容为47µF，晶体管的结电容为12pF时，测得下限频率为50Hz，上限频率为20kHz。现将射极旁路电容换为100µF，管子换为结电容为5pF的晶体管，此时的下限频率将 50Hz，上限频率将 20kHz。A大于； B等于； C小于。8具有相同参数的两级放大电路，在组成其各个单管的截止频率处，幅值下降 。A； B； C； D。9多级放大电路放大倍数的波特图是 。 A各级波特图的叠加； B各级波特图的乘积； C各级波特图中通频带最窄者； D各级波特图中通频带最宽者。答案：1C。2C。3A、C。

6、4（1）B；（2）C；（3）C；（4）B。5（1）C；（2）D；（3）C。6D。7C、A。8B。9A。4.3判断题1在多级直流放大电路中，减小每一级的零点漂移都具有同等的意义。（ ）2阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。（ ）3直接耦合放大电路的温漂很小，所以应用很广泛。（ ）4晶体管的共射截止频率、特征频率、共基截止频率三者满足。（ ）5在集成电路中制造大电容很困难，因此阻容耦合方式在线性集成电路中几乎无法采用。（ ）6阻容耦合放大电路中的耦合电容、旁路电容越多，低频特性越差，下限频率越高。（ ）7阻容耦合放大电路的电路参数确定后，其电压放大倍数是不随频率变化的固定值。（ ）

7、8在要求很低的场合，可以采用直接耦合方式。（ ）9对题4.1.7图所示的基本放大电路，增大电容C1、C2将有利于高频信号通过，即可提高上限频率。（ ）答案：2、5、6、8对；1、3、4、7、9错。习题4.1在题4.1图所示的两级放大电路中，已知，。（1）求两级的静态工作点；（2）计算输入电阻和输出电阻；（3）计算中频电压放大倍数。解：（1）第一级共基放大电路的Q点参数为：，。 第二级共集放大电路的Q点参数为：，。（2），（3）4.2在题4.2图所示的两级放大电路中，已知场效应管的跨导，；晶体管的，；并且，。试求（1）两级的静态工作点；（2）中频电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。解：（1）因为T

8、1管的，所以 （2） 4.3 两级放大电路如题4.3图所示，已知管的，管的，；，。试求（1）电路的和；（2）中频电压放大倍数及源电压放大倍数 。解：（1）；（2）4.4两级放大电路如题4.4图所示，已知两只晶体的，；，。试求（1）两级的、；（2）中频及其分贝数；（3）和。解：（1） （2） （3）4.5两级放大电路如题4.5图所示，已知晶体管的，；，。试求（1）各级静态工作点；（2）中频、和。解：（1） （2）4.6 电路如题4.6图所示，已知两只晶体管参数相同，；，。试求（1）两管的静态工作点；（2）电路为何组态？画出微变等效电路；（3）中频、和。 解：（1）（2）电路为共射共基组态。微变等

9、效电路如题4.6图解所示。（3）因为，所以4.7某放大电路的电压放大倍数复数表达式为，的单位为。（1）求中频电压放大倍数及增益；（2）求上、下限截止频率；（3）画出波特图。解：（1）则，（2）， （3）参见图4.2.16。4.8假设两个单管共射放大电路的对数幅频特性曲线分别如题4.8图（a）、（b）所示。（1）分别说明两个放大电路的中频电压放大倍数各等于多少？下限频率和上限频率各等于多少？（2）试判断两个放大电路分别采用的是什么耦合方式（阻容耦合、直接耦合）；（3）分别画出两个放大电路相应的对数相频特性曲线。（a） （b）题4.8图 解：（1）由图看出，求的，；，求的，（2）第一个电路采用的是阻容耦合，第二个电路采用的是直接耦合。（3）相频特性曲线如图所示。 （a） （b）题4.8图解4.9固定偏置共射电路如图2.2.1（b）所示。已知，。并且，。（1）求中频电压放大倍数；（2）求上、下限截止频率；（3）画出波特图。解：（1） （2） 故 （3）参见图4.2.16。4.10在图2.4.4（a）中，已知，。并且，。（1）计算静态工作点；（2）求、和；（3）求上、下限截止频率；（4）画出波特图。解：（1） （2） （3）故 故（4）参见图4.2.16。4.11多级阻容耦合放大电路如题4.11图所示。已知T1管的，T2、T3管的，；，。试计算（1）第一级中频电压放大倍