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文档简介

1、会计学1畴壁结构畴壁结构(jigu)和畴壁能和畴壁能第一页,共32页。 理论和实验都证明,在两个相邻磁畴之间原子层的自旋取向由于交换作用的缘故,不可能发生(fshng)突变,而是逐渐的变化,从而形成一个有一定厚度的过渡层,称为畴壁。 按畴壁两边磁化矢量的夹角来分类,可以把畴壁分成1800壁和900壁两种类型。在具有单轴各向异性的理想晶体中,只有1800壁。在 K10 的理想立方晶体中有1800壁和900壁两种类型。在 K10 的理想立方晶体中除去1800和900壁外,还可能有1090和710壁,实际晶体中,由于不均匀性,情况要复杂得多,但理论上仍常以1800和900壁为例进行讨论。第1页/共3

2、1页第二页,共32页。立方立方(lfng)(lfng)晶系,易磁向晶系,易磁向100100 180 180壁壁和和9090壁壁180畴壁畴壁畴畴90壁第2页/共31页第三页,共32页。立方立方(lfng)晶系晶系,易磁向易磁向111,有,有180壁壁 ,71壁和壁和109壁壁71109第3页/共31页第四页,共32页。第4页/共31页第五页,共32页。 畴壁的概念最早是Bloch提出(t ch)的,Neel 分析了它的结构:在大块晶体中,当磁化矢量从一个磁畴内的方向过渡到相邻磁畴内的方向时,转动的仅仅是平行于畴壁的分量,垂直于畴壁的分量保持不变,这样就避免了在畴壁的两侧产生磁荷,防止了退磁能的

3、产生。这种结构的畴壁称作Bloch壁。 Bloch1800壁的结构:为保证自发磁化强度在畴壁法线方向的分量连续,畴壁应取(yn q)如图方式。第5页/共31页第六页,共32页。 Bloch1800畴壁中原子(yunz)层电子自旋方向的转变形式:第6页/共31页第七页,共32页。 为满足没有内部磁极因而没有退磁场这一要求, 900畴壁取向应为相邻(xin ln)两畴自发磁化强度夹角的平分面。第7页/共31页第八页,共32页。 Bloch型90壁中的自旋(z xun)取向沿锥面旋转,以保持垂直于畴壁平面的分量不变,避免了在畴壁两侧产生退磁能。即:畴壁中的原子(yunz)磁矩取向始终保持与畴壁法线夹

4、角不变。第8页/共31页第九页,共32页。 畴壁厚度主要取决于交换能与各向异性能的平衡。交换作用能畴壁厚度主要取决于交换能与各向异性能的平衡。交换作用能要求相邻原子层间转角越小越好,以致畴壁厚度无限大,然而要求相邻原子层间转角越小越好,以致畴壁厚度无限大,然而(rn r)畴壁中磁化强度对易磁化方向的偏离又带来各向异性能的增加,畴壁中磁化强度对易磁化方向的偏离又带来各向异性能的增加,后者要求畴壁越窄越好,两者的综合考虑决定了畴壁的厚度。后者要求畴壁越窄越好,两者的综合考虑决定了畴壁的厚度。 畴壁能的讨论一般使用单位面积畴壁能的概念,即单位畴壁面畴壁能的讨论一般使用单位面积畴壁能的概念,即单位畴壁

5、面积的能量,它和单位体积能量不同,与畴壁厚度密切相关。积的能量,它和单位体积能量不同,与畴壁厚度密切相关。第9页/共31页第十页,共32页。 设畴壁厚度为N个原子间距 a。假定单层单位(dnwi)畴壁面积上有1/a2个原子,原子自旋均匀转向,则单位(dnwi)畴壁面积的交换能的面密度为: (A为交换积分 )2222221exASNASNaNa磁晶各向异性能平均密度可以近似(jn s)表示为:1kK Na2212exkASK NaNaNa 为畴壁厚度(hud),畴壁能密度为求能量极小值的条件221220ASK aNa N 得到:1222311S ASANK aaK a第10页/共31页第十一页,

6、共32页。1112K AK AK ASSSaaa带回表达式中,有:1ANaSK a畴壁厚度稳定(wndng)值处交换能和磁晶各向异性能数值相等。 以上半定量分析中可以看出:畴壁能处于极小值的条件是交换能密度等于磁晶各向异性能密度。在畴壁各处都应满足(mnz)此要求,因而磁晶各向异性能小的区域,相邻层电子自旋的转角小,磁晶各向异性能大的区域,相邻层电子自旋的转角大,显然均匀转角的假定是不对的。第11页/共31页第十二页,共32页。代入铁之数据,估算( sun)数值:21104318322.16 10J, 1, 2.86 10m, 4.81 10 J m 135, 3.87 10 m, 3.785

7、 10 J mwASaKNNa 上面的估算只考虑了磁晶各向异性,如果存在其它各向异性,则必须也在考虑之内。 显然,估算是过分简单了,但更加严格的计算(j sun)也只是给出了相同的量级,所以从简单估算结果中给出的定性分析是正确的。wexk 参照:如果在垂直于畴壁的方向(fngxing)上有磁荷,则产生的退磁能密度要大得多:2320130 10 J m2SNM第12页/共31页第十三页,共32页。比较严格(yng)的采用变分法给出1800Bloch壁计算结果是:六角六角(li jio)晶系单轴各晶系单轴各向异性:向异性:转角曲线(qxin),中间快这里:10212d( )2( )dzAfAf(

8、)kFf21ASAa21sinkFK11114AKAK见姜书见姜书P244第13页/共31页第十四页,共32页。立方立方(lfng)晶系:晶系: K10 时,时, (以上(yshng)详见姜书p242-250) 按照变分理论计算,畴壁厚度不是一个收敛解,当900时,厚度趋于无穷,1800壁不能存在,而要分为相隔(xingg)无限远的两个900壁,但理论上的这个困难并不是真实的,考虑到磁致伸缩能的影响后,两个分离的90壁必然连成一片,成为一个180壁。(180)112 AK第14页/共31页第十五页,共32页。 从物理学的观点(gundin)看,畴壁宽度是难以准确表示的,因此常把下式称作畴壁宽度

9、参量(或说单位) . 而把 称作畴壁能密度单位101AK011AK 在只考虑磁晶各向异性和交换作用(zuyng)的情况下,畴壁厚度和单位面积畴壁能量可以一般表示为:111AcK211cAK其中c1,c2 是与晶体结构(jigu)和磁畴结构(jigu)有关的常数。90(100)1190(110)111.73AKAK第15页/共31页第十六页,共32页。摘自见宛书摘自见宛书p243该表与姜书p249表47相同,但已经(y jing)换算为SI单位制Jm-3第16页/共31页第十七页,共32页。附录:Fe 的相关(xinggun)数据之估算231B211043K, 1.38 10J K , bcc,

10、 =1 = 0.152.16 10JCBCTkSAk T211111.5 10J m2,1ASASa8101320111.77 10 m0.85 10 J mAKAK4314.81 10 J mK各文献各文献(wnxin)所取数值不所取数值不尽相同。尽相同。4314.2 10 J mK该值和前面表中数值该值和前面表中数值(shz)有别,但量级是相同的有别,但量级是相同的。803201.9 10 m0.8 10 J m差别并不大。差别并不大。32180021.7 10 J m这是一个下面常用的数值。这是一个下面常用的数值。第17页/共31页第十八页,共32页。 畴壁内原子自旋取向变化的方式(fn

11、gsh)除去Bloch方式(fngsh)以外,还在薄膜样品中发现了另一种 Neel 壁的变化形式,前者壁内的自旋取向始终平行于畴壁面转向,多发生在大块材料中,后者壁内的自旋取向始终平行于薄膜表面转向,在畴壁面内产生了磁荷和退磁场,但在样品表面没有了退磁场。第18页/共31页第十九页,共32页。Neel 壁Bloch 壁SMSMSMSMSMSM 从图可以(ky)看出:随着材料厚度的变薄,Bloch壁在样品表面产生的退磁场能会变得很大,相反,Neel壁的退磁场能会变得比较小,所以薄膜中会出现Neel壁。具体计算如下:第19页/共31页第二十页,共32页。 在薄膜厚度为D的两面(lingmin)有露

12、出的磁极,产生退磁能。畴壁可以看成是椭圆截面的柱体,长轴为D ,短轴为畴壁宽度 ,产生的单位畴壁面积退磁能近似等于222002122sdMNMD 其中N为长轴方向(fngxing)的退磁因子M要取平均值ND2sinssMMMBloch畴壁单位(dnwi)面积的总能量为:222101222() 0SexkdKMAD 给出平衡值。显然有:, D该表达式和姜书该表达式和姜书p251有区别,但有区别,但结论是一致的。结论是一致的。第20页/共31页第二十一页,共32页。 仍然把畴壁当作一个椭圆截面的柱体,但长轴为,短轴为D,长轴方向的退磁因子(ynz)为Neel壁单位面积畴壁内的退磁场能为:DND22

13、002122()SdD MNMD2sinssMMM这里(zhl)同样要考虑平均值 Neel壁单位面积畴壁的总能量可以(ky)写作: 22101222()0SexkdKD MAD给出平衡值。, D第21页/共31页第二十二页,共32页。 从上述结果可以看出,厚度对两种畴壁能的影响是不同的。当大块材料的尺度减小时,Bloch形式的壁在材料表面的退磁能将变得十分(shfn)突出,相反,如采用 Neel壁形式退磁能反而会比较低。DD第22页/共31页第二十三页,共32页。Neel 1955 年计算结果Dietze等1961计算结果见姜书见姜书p252第23页/共31页第二十四页,共32页。 上图给出二

14、种畴壁能与厚度的关系,交叉点即为畴壁由布洛赫型向涅耳型转化的临界(ln ji)厚度。Neel 给出的临界(ln ji)厚度和狄切和托马斯给出的有所不同。后者给出的临界(ln ji)厚度是:代入Fe的相关数据估算出的临界(ln ji)厚度为:32510-10m. 实际在该临界(ln ji)厚度附近有一过渡区,会出现一种十字壁(cross-tie wall)的形式。例如实验表明Fe-Ni 合金薄膜的情形如下13.9cSADMD20 nm100 nmNeel wallBloch wallcross-tie wall第24页/共31页第二十五页,共32页。 在薄膜厚度300900 1010m的80Fe

15、Ni合金中发现了一种十字壁。这是因为出现Neel壁后引发了体磁荷,它的退磁场又影响了原子磁距的取向(q xin),因此出现了十字壁以减小Neel壁两侧面上磁荷的影响,使Neel壁又分成许多磁荷正负相间的小段,而小段和小段之间由Bloch壁分开。第25页/共31页第二十六页,共32页。 十字壁也称横结壁(cross-tie wall),主畴壁是极性相间(xingjin)的Neel壁,两个Neel壁之间是很窄的Bloch壁(线)。第26页/共31页第二十七页,共32页。D210-8m 为Neel 壁,D10-7m 为Bloch壁,中间区域(qy)出现十字壁第27页/共31页第二十八页,共32页。 畴壁在运动过程中的能量要比静止时候大,增加的这部分能量与畴壁运动速度的平方成正比,从比例常数中可以引出畴壁有效(yuxio)质量的概念。畴壁运动中还会受到各种阻尼作用,产生损耗,也具有一定的劲度,在一定情况下,可以和弹性膜相似,因此在磁场

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