元器件二次筛选试验指南

1、附录D元器件二次筛选试验指南D1筛选与二次筛选试验的基本概念D1.1筛选试验的定义与目的筛选试验是指为选择具有一定特性的产胡或剔除早期失效的产胡而进行的试验。木指 南提出的筛选试验主耍是指剔除早期失效的产品而进行的试验。它是一种对产品进行全数 检验的非破坏性试验，通过按照一定的程序施加环境应力，激发出产品潜在的设计和制造缺 陷，以便剔除早期失效产品，降低失效率。元益件的筛选一般应由元器件生产方按腮军用电 子元器件规范或供盂双方签定的介同进行。般将尤器件生产方进行的筛选称为“ -次筛选”, 如果当“一次筛选”的技术条件不能完全满足使用方対元器件的质彊耍求时，使用方或具委 托单位可以进行再筛选以补

2、允生产方筛选的不足。一般将使用方或委托单位进彳J：的筛选称为 “二次筛选”或称“补充筛选”。即二次筛选是指己采购的尤器件在“一次筛选”试验没有满 足使用方规定的项H耍求的技术条件时，由使用方进行的筛选。尤器件的''一次筛选”和“二 次筛选”的冃的与试验方法基本相同，但应强调“二次筛选”应是在“一次筛选”的基础匕 眄裁而成的。筛选试验一般是对元器件成品而进行的，但也町以在生产过程中对元器件的半成胡进行, 例如，质录保证等级较高的半导体器件封帽前的非破坏性键介拉力试验、内部H检等筛选都 屈r半成品筛选。在一定条件虽然二次筛选是提高元器件批质吊的仃效描施之.一，但它也仃其局限性 和风

3、险性，并不足所仃的尤器件都耍进行二次筛选，也不能把二次筛选看作足任何情况卜都 是必须的，根据国外的经验只仃少数采购不到高质彊尊级的元器件才石要进彳亍二次筛选。W 为筛选只能提高批产品的使用可靠性,不能提高产品的固有可靠性。也就是说,产品的固有 可靠性是设计进去的，制造出来的,而不是筛选出来的。因此,在选择元器件时，应根据整 机、设备的质最与可靠性耍求，选择相应的高质彊等级的尤器件。特别是电子整机、设备的 关键件、車要件，一定耍选择最高质最等级的尤器件。为有效剔除月缺陷的尤器件，减少系统或设备的早期失效，本指南主耍提出了对军 用电子元器件成品进行二次筛选试验的某本原则、耍求、项II和方法供参考。

4、D1.2二次筛选的适应范围二次筛选（或补允筛选）主耍适用r卜列四种情况的尤器件：a. 尤器件生产方未进行“一次筛选”，或使用方対“一次筛选”的项冃和应力不貝体了 解的；b. 元器件生产方己进行了 “一次筛选”，但“一次筛选”的项目或应力还不能满足使用 方对元器件质量要求的;C.在元器件的产品规范屮未作八体规定、尤器件生产方也不几备筛选条件的特殊筛选项 目：d.对尤器件生产方是否已按介同或规范的要求进行了 “一次筛选”或对承制方“一次筛 选”的有效性有疑问需要进行验证的尤器件。以上a、b、C三种情况尤器件的二次筛选（补充筛选）是很难用其它措施替代的。对丁情 况d则除了进行二次筛选（补充筛选）外，

5、述町采取対尤器件生产方“一次筛选”进行监督等 措施来替代二次筛选（补充筛选）。D2筛选试验方法及筛选项目的确定D2.1筛选试验方法筛选试验可分为常规筛选（如密対性筛选）和特殊环境筛选（如抗辐射、盐雾等）。本指南 主要介绍常规筛选方法。常规筛选方法主耍有如卜几种：a. 检查筛选检查筛选可采取镜检、红外线筛选、X射线筛选。红外线筛选可以剔除体内或农面热缺陷 严重的器件，X射线筛选主耍用检査管壳内有无外来物和装片、键介或封装工序的缺陷以及 芯片裂纹。b. 密対性筛选（如气泡法、氢质谱仪法、放射性气体、示踪检漏法），用剔除管壳及密 封工艺中所在的缺陷（如裂纹、微小漏孔、气孔以及対装对位欠佳）。c. 环

6、境应力筛选（如振动加速度、冲击加速度、离心加速度、温度循环和热冲击等）；d. 寿命筛选（高温贮存、低温贮存、老练筛选、精密筛选、线性判别）；e. 电测试筛选（对晶体管的补充手段）。在实际中也常采用物理筛选（卄破坏件的）和老练筛选（破坏性的）相结介的方式进行。老练 筛选效果好但成本高，物理筛选虽成本低，但效果差。D2. 2筛选的有效性与筛选项目及条件D2.2.1筛选的有效性根据以往产品筛选的试验数据积累，确定对剔除早期欠效品筛选冇效（在II：破坏性应力 作用卜，淘汰率较高的）的试验项I。对筛选淘汰率极低或根本不能把仃缺陷产品筛选出來 的试验项目应不列入筛选试脸中。评价一个筛选方案是否仃效，可以用

7、筛选效果和筛选询汰 率等指标來衡彊，而筛选的何效性又主要取决J：筛选项口和应力的选取是否合理，耍获得完 全理想的筛选效果绝菲易事。同样耍获得筛选效果的数据也需耍做人吊的摊底试验，人们经 过人駁的实验枳累了丰富的经验，现C对这些实践经验进行了总结，形成了标准。因此一般 产阳均根据其质彊与可靠性保证等级所规定的筛选耍求进行筛选，但当某种产品经筛选后经 常出现质最一致性检验不合格时，则应考世采用的筛选方案是否合适。D2. 2.2筛选试验的应力的确定原则筛选试验的应力条件忡耍是非破坏性的，即通过筛选不能对产胡的质駁与可靠性产生影 响，但试验应力也不能偏低，低了起不到筛选作用。原则上，确定筛选项日和应力

8、条件应依 据相应的标准。对J噺研制的元器件产品，筛选试验应力的人小可通过箱底试验或类似产胡 的现场使用信息来确定。选择筛选应力的主耍原则是：a. 筛选咸力类粮应选择能激发早期失效的应力，根据不同产品所学握的信息及失效机理来 确定：b. 筛选应力应以能激发出早期失效为宗旨，使产品务种隐患和缺陷尽快暴露出來；c. 筛选应力不应使正常产品失效：d. 筛选应力去掉后，不应使产品留卜残余应力或影响产品的使用寿命：c. 应力筛选试脸持续时间应以能允分暴露早期失效为原则。表D2-1是集成电路常见的缺陷与主要筛选试验项LI的相关性分析。表D21主要筛选项目与缺陷关系试验项目常见缺陷镜检非破坏性键合检恒 定 加

9、 速 度进 行 冲 击变 频 振 动振 动 疲 劳:B/ATI度环湿 热 试 验X 射 线 检9温 贮 存高ce/m老 练可动电荷反塑层沟道导通键存松动或谨介断开键合强度不能达到标准耍求键合位置不当芯片与管座连接个好布线缺陷金属化缺陷氧化层缺陷芯片裂纹装配缺陷内部残存可动多余物符売缺陷D3基本要求D3.1标准适用于元器件的要求対产品进行筛选试验时，应根据产品的总规范中的耍求来选择试验项冃。以卜是儿种主 要的试验方法及尤器件的适用范由。GJB360A-96（电子及电气元件试验方法）适用J：电阻器、 电容器、电感器、连接器、开关、继电器、变压器、等电了及电气元件。如无特殊规定,GJB 360A-9

10、6只适用J運磧小J; 136kg或试验电压低J* 50000V（仃效值）的电子及电气元件。GJB12&97（半导体分立器件试验方法）适用J：各种军用半导体分立器件。GJB548A-96（微电子器件试验方法和程序）适应于微电子器件。筛选试验标准在执行过程中不能随意改动。如盂改动，W经型号总师批准，标准归II部 门签发临时更改单。対静电敏感器件，在筛选、测试时应按仃关规定进行防静电处理。D3.2筛选环境要求D3.2.1 一般环境条件若无比它规定，筛选在卜列环境条件卜进行：温度1535°C：相对湿度20%80%；气压筛选所在场所的气压。D3.2.2仲裁环境条件当筛选结果仃争议时，应

11、在卜列环境条件下进彳J：仲裁试验或检验：温度 25±1*C；相对湿度48%52%：气斥86106kPa。D3.3 操作人员与设备要求D3.3.1操作人员的基本要求a. 按规定参加培训，通过考核取得合格资格；b. 了解和学握冇关标准、规范和试验或检验的棊本原理；c. 能够熟练使用冇关仪器设备，并具备呈本的维护、保养知识；d. 能对试验结果作出正确的分析和评价。D3.3.2仪器设备的管理和使用仪器设备的借理和使用应符介以I、耍求：a. 仪器设备何专人管理，关键仪器设备由专人操作和检査；b. 仪器设备应按规泄泄期检定合格，并在有效的计彊检定周期内使用：c. 仪器设备的楕度应满足试验或检验的

12、耍求；d. 使用仪器设备应按观定做好记录。D3.4筛选记录要求筛选记录应符合以卜耍求：a. 负贵筛选的单位应制定包括：筛选项冃名称、筛选条件、筛选合格判据、筛选结果等 内容的丁序表或流程表以及仃关检测参数的数据记求茨格；并按附表1（电子冗器件次筛选 信息收集）的要求进行信息收集：b. 操作人员应在数据记录衣上如实记录仃关数据、在工序衣的仃关工用上填写明确的结 论，并签名对数据及结论的准确性负贵：c. 根据筛选的工序衣及有关数据，按规定的格式填写筛选试验报告，提交给有关单位；d. 负贵筛选的单位在观定的期限内，应妥善保存筛选报告及有关记录。D3. 5筛选试验中质量问题的处理要求a. 筛选屮尤器件

13、出现个别严車火效或筛选淘汰率超过PDA规范值，经分析不属J：批次 性质宣问题的，可靠性主管部门与委托单位主管部门协商后由參托单位型号总师确定能否使 用；b. 筛选后出现严币:失效或筛选淘汰率超过PDA规范值，经分析鳩批次性质帚问题， 血整批淘汰：同时附有分析报告，报告一式两份，一份随尤器件交委托单位，另一份留分析 中心存档;c. 失效元器件的失效分析按有关规定执行；d. 対筛选屮出现的不介格品应按GJB571-88（不介格品管理）中的耍求进行处理。D4元器件二次筛选的基本程序D4.1确定补充筛选二次筛选（补充筛选）程序的原则対各类尤器件“一次筛选”的项口应根据JU本情况进行适当地剪裁，并按先后

14、顺序仃机 地组介在一起，即组成了二次筛选（补充筛选）程用。需要说明的是：器件的“一次筛选”项 目包括部分半成品筛选，而器件的二次筛选（补充筛选）则都是成品筛选，所以二次筛选（补 充筛选）的程序中必须删除“一次筛选”屮对半成品的筛选项日；应根据二次筛选（补充筛选） 适用尤器件的四种情况，将二次筛选（补充筛选）程序分为A、B、C、D四类，以卜分别说明 其确定的原则。D4.1.1确定A类二次筛选（补充筛选）程序的原则对未进行“一次筛选”或对“一次筛选”的应力或项H不貝体了解的尤器件应进行A 类二次筛选（补充筛选）。对这类尤器件二次筛选（补充筛选）的程序，原则上应与产品观范 观定的“一次筛选”的程序相

15、同。对产品规范未确定筛选程序的尤件可参考本指南的相应示例，进行二次筛选 （补充筛选）。D4. 1.2确定B类二次筛选（补充筛选）程序的原则対“一次筛选”的血力或项目还不能满足整机质磺耍求的元器件，应进行B类二次筛 选（补允筛选）。对这类尤器件应根据整机对尤器件的质彊耍求确定二次筛选（补允筛选）程洋。 例如：在整机匕卫采用质駅等为B级的集成电路的部位，而实际上仅何“七专”集成电路可 用，则原则上应按B质杲等级集成电路的筛选项H和应力（时间），除去“七专”集成电路筛选 已作的项H和应力（时间），并对老练的时间増加必要的余帚进行二次筛选（补充筛选）。对J产品规范未确定筛选程序的尤件可参照本指南的相应

16、示例进行二次筛选（补充筛选）。 对j:“ 次筛选”屮己做了 “高温贮存”筛选的器件，则二次筛选（补充筛选）就不必再做。 实践表明在“一次筛选”屮，“高温贮存”对器件的筛选效果不显著,如果二次筛选（补允筛 选）再次进彳厂高温贮存”，有可能造成元器件标，忐模糊、引出端町焊性差以及内引线强度（包 括键合强度）降低等不利因素。D4.1.3确定C类二次筛选（单项补充筛选）程序的原则单项二次筛选（补允筛选）是指对尤器件某一种或儿种常见的失效模式或整机特殊耍求而 进行的针对性筛选.针对性二次筛选（补充筛选）往往是单项的而非全而的筛选。例如：某些集成电路在一定的温度范用内容易门激振荡，则应在此温度范川内进行加

17、电 应力后进行测试筛选：某些密封继电器内部经常残留可动多余物，则应进行微粒碰撞噪声检 测（PIND）：某些元器件根据整机设计耍求在一定温度范川内其参数变化应不超过规疋值，则 应在-定温度范国内进彳亍电参数测试。这些例子说明必须通过调查研究，枳累数据，以确定 某些元器件常见的失效模式，进行试验分析，才能确定彳仃效的单项（针对性）二次筛选（补 充筛选）的程序。D4.1.4确定D类二次筛选（补充筛选）程序的原则D类一.次筛选（补允筛选）主耍是指“验证性”的：次筛选（补充筛选）。“验证性”勺两 方面的意义：一方面是“验证”生产方是否已按规定作了 “一次筛选”，另一方面是验证生 产方所作“一次筛选”项H

18、的有效性。“验证性”二次筛选（补充筛选）是指为进行验证而进行 的二次筛选（补充筛选）。“验证性”二次筛选（补充筛选）的程序可与“一次筛选”的程序相同，也可抽査其中的拧 项，对某些筛选项口可抽样进行测试，不通过时再全部进彳亍测试。D4. 2元器件二次筛选（补充筛选）程序示例根押;以上确疋兀益件次筛选（补允筛选）程庁的原则，确定了经制使用的备种尤器件B类 二次筛选（补允筛选）的程序作为示例。所举示例都是在相应元器件“ -次筛选”的廉础上剪裁 而成。主耍适用J泪前军用装备关键部位人磺使用的“七专”元器件的二次筛选（补充筛选）。 筛选条件：分为I、1【、【I级以供选择，除非另佝规定筛选应100%进彳J

19、：。已做过“一次筛选” 的尤器件，二次筛选（补充筛选）允许不合格胡率（PDA）应小J；“一次筛选”PDA的50%或1只， 取人值。对没有做过“一次筛选”的元器件或筛选情况不明的尤器件町按元器件产品规范 或参考本指南的示例确定尤器件二次筛选（补充筛选）的PDA。D4.2.1半导体分立器件半导体分立器件二次筛选（补允筛选）程序分为二极管、晶体管两人类，示例分别见表D4-I 和表D4-2o表D4-1二极管二次筛选（补充筛选）程序序 号筛选项目方法GJB128A筛选条件或测呈参数说明1IIIII1编序列号"2电参数测试（室温） 甑、快整流极骨 HiH凋枫电压基准二极符J、匕或IrVf、I&q

20、uot; Ir测厳参数及合格标准按详细规范 或产品于册规定3温度循环1051条件：B：循环5次玻対器件转换时间为不大 5m n4恒定加速度2006Y1 方向、196000(0* s?：/f10A 的器件98000nfs2无空腔的器件不耍求 LTPD=5；不通过时全检5外观及机械检査2071用10倍放大镜或显微镜可在筛选开始时増加一次6粒子碰撞噪声检测（PI ND）2052试验条件：ALTPD S10：不通过时全检7高温反ftt（ HTRB） 仅适用丁开关二极管1038反偏温度：125±2t反偏电压：0.75厶I温反偏时间为农列时何减丿、1 产方己进行的高温反僞时间.但 不得少T24h

21、96h72h48h8老练询电参数测试（室温）同序号29老练（室温）211038试验条件：B老练时间为表列时间减去生产方（2进行的老练时问.但不得少丁 48h240h160h96h10£练后电参数测试（宇温）同序号2,对合同或详细规范要求的参 数计算其A值计算不合格品札I级PDAM5%或1只取大值II 级PDAW10諛或1只収大值）：III 级PDAW15%或1只取人值）。11电参数测试（高温）同序号2：温度按令同或详细规范規定LTPD=10：不通过时全检12电参数测试（低温）同序号2：温度按介同或详细规范规定LTPD=10：不通过时全检13密封a细检漏b.tl检漏1071鼠试验条件:

22、G或Hb.试验条件:A. C、或F无空腔的器件不要求： 内腔体枳大丁Icnf仅要求做粗检 漏14外观及机械检査2071川10倍放人镜或詁微镜注：1）当要求计数器件电参数的值时应编号。2） /r >1A的器件可按规定加散热器老练.也可不加散热器按峰值结温老练。表D42晶体管二次筛选（补充筛选）程序序号筛选项目方法GJB128A筛选条件或测虽参数说明IIIIII1编序列号"2电参数测试（宅温） 女极型放大晶体悖双极盘开关晶体管场效应胡体管h/E、*BR、CBO、CBO 'V1r iBRyCBO、1 CBOIl V1Vg/H、Vcs（off）'1DSSMt步效及合格标

23、准按合同.详细 规范或产品于册规定3温度循环1051条件：B：循环5次玻封器件转换时间为不大J; 5m n4恒定加速度2006Y1 方向、196000m/sS 额定功率不小MOW的器件 98000m/s2无空腔的器件不要求 LTPD=5；不通过时全检5外观及机械检査2071用10倍放犬镜或显微镜可在筛选开始时增加一次6粒子碰撞噪声检测（PI ND）2052试验条件：ALTPD=10；不通过时全检7高温反偏（HTRB）开关晶体竹PNP晶体管场效应晶体管1038反偏温度：125±2'C反偏电压：0.75匕U它胡体伶不耍求做高温反偏筛 选. 反偏时间为表列时间减* 生产方L1进行的

24、高温反偏。96h72h48h240h160h96h8老练询电参数测试（室温）同序号29老练（宅温）1038试验条件：B老练时间为表列时间减去t产方已 进行的老练时间,但不得少J：48h240h160h96h10&练后电参数测试（宅温）同序号2,对合同或详细规范芟求的参魏 计算英A值计算不合格品率I级PDAW5%或1只取大值）：11 级PDAW10爼或1只取大值）：III级 PDAW15M或1只取大值）.11H1参数测试（高隘）同序号厶激度按合同或详细規范规定LTPD=10：个迪过时全检12电参数测试（低温）双极芒放大晶休管 戏极型开关晶体骨场效应用体借温度按介同或详细规范规宦.剧t鑫数

25、： h$E % V“rCBO ' 】CBO、Vm/OCBO % 】CEO 入、£、1CBOSm ' 1DSSLTPD=10；不通过时全检13密対* a.细检汹b.粗检漏1071a. 试验条件：G或Hb. 试验条件：A、C、或F无空腔的器件不要求： 内腔体积人J lcnf仅要求傲粗检ii14外观及机械检査2071用10倍放大镜或显微镜注：1）为要求计H器件电参数的值时应编序列号.2）额定功率XJHW的器件可按规定加散热器老练.也可不加散热器按峰值结温老练。D4.2.2微电路筛选程序徽电路补允筛选（二次筛选）程序分为单片集成电路、混合集成电路两人类，示例分别见表*3和D4

26、-4o表D43单片集成电路补充筛选（二次筛选）程序序 号筛选项口方法GJB548A筛选条件或测虽参数说明1IIIII1塢序列号2电参数测试按合同、详细规范或产品F册3镒度循环1001A条件：C：循环10次4恒定加速度2001AY1方向：条件：E或D5外部目检"用10倍放大镜或显微镜剔除突然失效的器件2）6粒子碰撞噪声检测（PIN0）2020A试验条件；A一LTPD=10：不通过时全检7E练询电参数测试（室迪按介同、详细规范或产品FJW8匕练1015A老练温度*至少125X?优先采用动态老练:功耶器件可 在室温下老练240h160h96h9老练后电参数测试（宅温）同序号2对合同或详细规

27、范耍求的参数计算英 值计算不介格品率I级PDAW5諛或1只取大值n II级PDAW10諛或1只取大值）： III级PDAW15諛或1只取大值）10电参数测试（高温）耍求见说明-LTPD=10：不通过时全检11电参数测试（低温）见说明见说明-LTPD=10：不通过时全检12密封：a细检漏b.粗检漏1014A1.试验条件：A1或A2 人试验条件：C1或C213外部目检2009A用10倍放大镜或显微镜可在潇选开始时增加一次注 1）宙生产方和使用方商定是否进行该项检验.2）外引线断落.封壳破裂或盖帽脱落的器件为突然失效的器件.表D44混介集成电路二次筛选（补充筛选）程序序号筛选项目方法GJB548A筛

28、选条件或测筮参数说明IIIIII1编序列号2电参数测试按合同、详细规范或产品F册3温度循环或热冲击1001A条件：C条件：c条件：B1级必须作温度循坏：II、III选作其中之一1011A条件:A条件：A4机械冲击或恒定加速度2002AY1方向：条件：B选作一种2001AY1方向：条件：A5粒子碰撞噪声检测（PI ND）2020A试验条件：A或B6老练询电参数测试（宅温）按合同.订二；、或产品FW7老练1015A老练温度：至少125°C优先采用动态老练：功率器件 可在室温下老练240h160h96h8老练后电参数测试（室温）同序号2.对合同或详细规范要求的参数 计ntu值计毎不介格品率

29、I级PDAW5爼或1只取大值八 级PDAW10筑或1只収大 值）：川级PDAW15爼或1只収 大值）9电参数测试（高温）要求见说明LTPD=10：不通过时全检10电参数测试（低温）见说明见说明LTPD=1O；不通过时全检11密封a细检漏b.粗检漏1014AN试验条件：A1或A2 试验条件：C1或C212外部目检2009A用10倍放大僮或显微镜可在筛选开始时増加一次D4.2.3电阻器电阻器二次筛选（补允筛选）程序示例如表D45所示。林无直他规定二次筛选（补充筛选） 应100%进行。由电阻器的质帚较其他元器件高，所以二次筛选（补充筛选）-般不做功率老 练。I级PDAW1%（或1只取大值），II、m

30、级PDAW2%（或1只取大值）。片状电阻器应放在充氮的密封容器内进行高温贮存和温度冲击试脸。表D4- 5电阻器二次筛选（补充筛选）程序序号筛选项目方法GJB360A筛选条件或测虽参数说明1IIIII1直流电阻初测303一般在室温条件下测试2高温贮存125±20 96h3温度冲击试验107试验条件：B低温可提高至-55 ±34外观及机械检査H检本休及引出端质戢5直流电阴终测303一般在宅温条件下测昴：需耍时应计舁不介格品率D4.2.4电容器电容器二次筛选（补允筛选）程序爪例如农D4-6和D4-7所示。若无其他规泄筛选应100 %进行，由J：电解电容与非电解电容器补允筛选（二次

31、筛选）的程序不完全相同，所以在两 个表屮分别列出。片状电容器丿W放在允氮的密封容器内进行高温老练。表D46电解电容补允筛选（二次筛选）的程序序 号筛选项目方法 GJB 360A筛选条件说明1IIIII1编序列号（需要时）需测参数变化虽:时应编号2电参数初测（宅温）测试的参数及其合格判据按合同、详细视 范或产品手删13老练85±2'C实际思练时间可从表列时间减去'次筛选”的老练时何.但不少 于24h192h144h96h4电参数测试（高温）85±29：测试的参数及其合格判据按合 同、详细规范或产品手册5X射线检茂209互成90°的两个方向仅适用TbM

32、体电解电容器6頁空检漏真空度优T5xiO-3Pa：温度70土29： 电容器加额定电压时间48h仅适用于非固体电解电容器7外观及机械检査用10倍放犬镜或显微镜检金8电参数终测（宅温）同序号2：计兑不合格品率（必耍时）1级PDAW5%或1只取大值）： II级PDAW10諛或1只取大值）: III级PDAW15%或1只取大值）。表D47非电解电容器二次筛选（补充筛选）fi!序序 号筛选项目方法GJB360A筛选条件说明IIIIII1外观及机械检査13检2电参数初测（室温）测试的参数及英介格判据按详细规范或 产品手册3奇温贮存85±2O 96h4温度冲击试验107试验条件：A5外观及机械检査

33、用10倍放犬镜或显微镜检金6电参数终测（室温）同序号2：计算不合格品率（必嬰时）I级PDAW50闕或1只収大值）: 1【、III级PDAW100%或1只取大 值）。D4.2.5电磁继电器电磁继电器补允筛选（二次筛选）程序爪例如衣D4-8所示。廿无其他规定筛选应仃100% 进行。由于电磁继电器触点易“电蚀”,可动部分易磨损,所以属F “有限寿命”的机电元件。 因此动作次数过多的补充筛选（二次筛选）项目可不做或少做。表D48电礎继电器补充筛选（二次筛选）程序序 号筛选项目方法GIB65B筛选尊级说明1IIIII1编序列号当需要时2振动（正弦）4.8.11.1耍求当生产方己做过.可不做：在扳动过程中

34、应按GIB 360A方法 310进行触点抖动监测3振动（随机）4.& 11.2嘤求4内部潮湿4.8.3. 1耍求要求5运行询常温电性能测试4. 8 8所有等级祁耍求PDAW5%或1只.取大值6运行"4.8. 3.2I、I【级全部要求，III级仅做常温运彳亍7微粒碰撞噪市检测（PINO）4.8.23耍求8绝缘电阻4.8.6嬰求9介质耐压4.8.7耍求10运疔后常温电性能测试4.8.8耍求114.8 5耍求剔除不合格品12外观和机械检茂4.8. 1计算不合格品率全部PDAW5%或1只.取大值注：1）序号8、9、10项冃的顺序可以变换.2）若无其它规定，高低温运行各运行3000次，

35、生产方与使用方高低温运行总次数应接近8000次.触点 负载电流大V 10A的应接近900次.D4.2.6电连接器电连接器（包括低频和同轴电连接器）二次筛选（补充筛选）程序示例如表D4-9所示。科:无 其它观定，筛选项目中除外观和机械检査和电性能测试的部分参数盂100%进行外，梵它筛选 项口均抽样5只进行验证性的筛选，抽样筛选不通过时，再进行100%筛选。本二次筛选（补充筛选）要适用J：关键部位丿I的电连接器，I、II、III级的筛选程 序相同。农D49电连接器二次筛选（补充筛选）程序序号筛选项冃试验方法和条件说明1外观和机械检査用10倍放大镜或显微镜检J*f： 材料、设计结构、标志、加工质虽2

36、电性能测试按适用的电连接器规范接触电阻抽样n/c=5/03介质耐压按 GJB 360A 方法 30I4绝缘电阻按 GIB 360A 方法 3025互换性检査按GJB 1217规定的试验方法6单孔分离力按GJB 1217规定的试验方法7分离功能检査按GJB 1217规定的试验方法适用丁分离、脱落电连接閱8毛密性按GJB 1217规定的试验方法适用于密封电连接器D5元器件筛选项目要求在美军尤器件标准屮对半导体器件明确提出了筛选的婆求，但对电阻器、电容器、继电 器等尤件则并未明确提出筛选的耍求。此外，在早期的ESA元器件规范中共至没仃出现“筛 选”这一术语，直至1996年在欧洲空间介作化组织（ECS

37、S）标准ECSS-O 60A中才明确定义筛 选为“最终产品检验、老练和电测试的综介”。我国军用标准等效采用了美军标准体系，所 以対半导体器件规定了明确的筛选程序，对部分元件没冇明确的筛选要求，但在元件的A组 检验屮规定了盂耍100%做的测试项目，这些项目就被视作兀件的筛选项目。现按器件规范和 元件规范分别说明次筛选”的主耍筛选项口。06.1半导体器件的主要筛选项目D5.1.1测试性筛选主耍指对器件关键性能（包括电和机械等性能）的测试。包括在筛选前后对器件的性能进 彳j测试，以判断器件在筛选试验询后性能的变化，对性能或性能稳定性不介格的器件 有筛选作用。D5.1.2检查性筛选a.显微镜检企显微镜

38、检査对半导体器件是币;耍的筛选措施，适用J：器件在対帽前的筛选。通常采用30 200倍的双筒龙体显微镜按冇关规范规定进行检杳，必要时2采用扌I描电子显微镜进行检資。封帽前镜检属半成品筛选，除用显微镜检査外，圧可进行键介拉力、芯片剪切力的无损 检测。可剔除芯片本身仃缺陷或芯片装配、引线键介仃缺陷的器件。采用3I0倍的放人镜或显微镜对成品器件进行外观及机械检査，对封装外形、引出端、 识别、标，忐存在缺陷的器件有筛选作用。b. X射线检查器件密封后若不进行解剖，其内部缺陷就很难发现。采用X射线照相方法，可以透过外壳 观察器件内部是否仃多余物、引线断裂、芯片歪斜以及其它严車缺陷。X射线非破坏性检査是

39、器件封装后替代一般镜检的有效手段。c. 密封性检査器件的密対性是保证器件内部封装的保护气体不致淤漏、外部有害气氛不致侵入的咆耍 性能，这种性能对长期丁作或贮存的器件尤为豆耍。采用细检漏和粗检漏两种方法可对器件 的密対性进行检查，检査的程序是先做细检后做粗检，不能以细检代桥粗检。为冇规定时， 器件内腔超过一定体积(一般为1crrf)可仅做粗检。常用的细检漏和粗检漏及其可检测的漏率范閘如卜：氮质谱仪细检漏这是常用的细检漏方法，可检测的漏率范用为：10 °10natmcnB/So浸液法粗检漏这是常用的粗检漏方法,可检测的漏率不低j-10Jatmcrrf/So以上两种检漏方法用得较多，此外还

40、何其它的检漏方法，各有优缺点，其体的检验方法 详见GJBI28A方法 1071、GJB360A方法 112、GJB548A方法 1014Aod. 粒子碰撞噪声检测(PI ND)半仃空腔器件的内部冇可动多余物时，有可能造成内部引线的短路。宇航用器件在失匝 的空间运行，可动多余物可能造成的危害就更人。所以国军标对宇航级器件规定了耍作粒子 碰撞噪声检测(PI ND)筛选，以剔除内部有可动篡余物的器件，对JTF宇航用的尤器件，则根 据H体使用情况，将PI ND作为选作的筛选项目。PI ND筛选时应根据半导体器件腔体的高度按规定施加适当的机械应力，使附着在器件内 部的可动多余物脱落。JI体的试验方法和介

41、格判据分别见GJBI 28A方法2052、QJB548A方広 2020A 和 QJB360A 方法217 °D5.1.3环境应力筛选a. 怛定加速度筛选恒定加速度筛选也町称为离心加速度筛选，器件在高速旋转时将承受离心力作用，离心 力人到一定程度将対引线键合、芯片粘接有缺陷的器件起筛选作用。恒定加速度作为筛选项 忖，仅婴求作Y1方向(芯片脱离方向)的试验。但在作恒定加速度试验时必须注意采用介适的 夹具，否则很可能造成被试器件结构的损坏。恒定加速度筛选时应根据器件的車届或额定功率加相应的离心加速度。半导体分立器件、 集成电路的恒定加速度试验方法和介格判据分别见GJEI28A方法2006和

42、GIB548A方法2001A。b. 温度循环筛选被试的器件不加电应力，濫度按一农规律，山低温突变为高温，随頂又曲高温突变为低 温。这种筛选通常称为温度循环或温度交变。这项试脸对材料温度系数不匹配形成的缺陷或 芯片有裂纹的器件有筛选作用。所加应力根据器件的材料和制造工艺而定。半导体分立器件和集成电路温度循坏的试验方法和合格判据分别见GJBI28A方法1051和 GJB548A 方法 1010A。D5.1.4寿命筛选a. 高温贮存筛选这是一种加速的贮存试验，被筛选的器件不加电应力，在高温试验箱中存放一定时间。这项试验由J：简单易行，所以被广泛应用J：半导体器件的筛选。据说对芯片表面沾污的器件 仃筛

43、选作用。但实践表明筛选的效果并不显著，所以在ML-STD- 883D方法5004. 9筛选程序中 对成品的器件已不耍求作高温贮存（稳定性烘焙）筛选，但对钢金多层导体时器件在I检前耍 进行24h的稳定性烘焙。半导体分立器件和集成电路高温贮存的试脸方法和介格判据分别见QBI28A方法1032和 GJB548A 方法 1008A。b. 功率老练筛选被筛选的器件一般加额定功率，温度基本恒定。一般分工器件在常温卜老练：集成电路 的25±2*C H老练，在高温卜加功率的老练通常称为高淋电老练。这项试验是只令加速性的 筛选，它能提前暴鋸器件潜在缺陷，从而把早期失效的器件剔除。筛选达到规定的时间厉，应在规定时间内进行电性能测试，以判断被试尤器件是否失效。 功率老练是元器件最冇效的筛选项H，对不同的尤器件冇不同的试验方法，所加应力包 括：电应力（电压、电流、功率等）、环境应力（温度筹）。不同尤器件的老练方法见表D5-1o表D5-1元