康华光电子技术基础资料实用教案

1、1华中科技大学 张林电子技术基础电子技术基础(jch)(jch)模拟部分模拟部分1 1 绪论2 2 运算放大器3 3 二极管及其基本电路4 4 场效应三极管及其放大电路5 5 双极结型三极管及其放大电路6 6 频率响应7 7 模拟(mn)(mn)集成电路8 8 反馈放大电路9 9 功率放大电路10 10 信号处理与信号产生电路11 11 直流稳压电源第1页/共54页第一页，共55页。3 二极管及其基本(jbn)电路3.1 半导体的基本知识3.2 PN结的形成(xngchng)及特性3.3 二极管3.4 二极管的基本电路及其分析方法3.5 特殊二极管第2页/共54页第二页，共55页。3.1 半导

2、体的基本知识3.1.1 半导体材料(cilio)3.1.2 半导体的共价键结构3.1.3 本征半导体3.1.4 杂质半导体第3页/共54页第三页，共55页。4华中科技大学 张林3.1.1 半导体材料半导体材料(cilio) 根据物体导电能力根据物体导电能力( (电阻率电阻率) )的不同，来划分的不同，来划分(hu fn)(hu fn)导体、绝缘体和半导体。导体、绝缘体和半导体。典型典型(dinxng)(dinxng)的半导体有硅的半导体有硅SiSi和锗和锗GeGe以及砷以及砷化镓化镓GaAsGaAs等。等。第4页/共54页第四页，共55页。5华中科技大学 张林3.1.2 半导体的共价键结构半导

3、体的共价键结构(jigu)硅和锗的原子结构简化硅和锗的原子结构简化(jinhu)模型及晶体模型及晶体结构结构第5页/共54页第五页，共55页。6华中科技大学 张林3.1.3 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体化学成分纯净的半导体。它在物理化学成分纯净的半导体。它在物理(wl)(wl)结结构上呈单晶体形态。构上呈单晶体形态。空穴空穴(kn xu)共价键中共价键中的空位。的空位。电子电子(dinz)空穴对空穴对由热激由热激发而产生的自由电子发而产生的自由电子(dinz)和和空穴对。空穴对。空穴的移动空穴的移动空穴的运动是空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴

4、来实现的。充填空穴来实现的。由于随机热振动致使共价键被打破而由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴电子对产生空穴电子对第6页/共54页第六页，共55页。7华中科技大学 张林3.1.4 杂质杂质(zzh)半导体半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素在本征半导体中掺入某些微量元素(yun s)(yun s)作为作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素要是三价或五价元素(yun s)(yun s)。掺入杂质的本征半导。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。体称为杂质半导体。 N N型半导体型半导体掺入五价杂质掺入五价杂

5、质(zzh)(zzh)元素（如元素（如磷）的半导体。磷）的半导体。 P P型半导体型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半导掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。体。第7页/共54页第七页，共55页。8华中科技大学 张林3.1.4 杂质杂质(zzh)半导体半导体 1. N 1. N型半导体型半导体 因五价杂质原子中只因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一形成共价键，而多余的一个个(y (y )价电子因无价电子因无共价键束缚而很容易形成共价键束缚而很容易形成自由电子。自由电子。 在在N N型半导体中自由电子是多数载

6、流子，它主要由杂质原子型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子提供；空穴是少数载流子, , 由热激发由热激发(jf)(jf)形成。形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子正离子，因，因此五价杂质原子也称为此五价杂质原子也称为施主杂质施主杂质。第8页/共54页第八页，共55页。9华中科技大学 张林3.1.4 杂质杂质(zzh)半导体半导体 2. P 2. P型半导体型半导体 因三价杂质原子在因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，与硅原子形成共价键时，缺少一个缺少一个(y (y )价价电子而在共价键中留下电子而

7、在共价键中留下一个一个(y (y )空穴。空穴。 在在P P型半导体中空穴型半导体中空穴(kn(kn xu) xu)是多数载流子，它主要由是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子负离子。三价杂质因。三价杂质因而也称为而也称为受主杂质受主杂质。第9页/共54页第九页，共55页。10华中科技大学 张林3.1.4 杂质杂质(zzh)半导体半导体 3. 杂质杂质(zzh)对半导体导电性的影响对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响

8、，掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型一些典型(dinxng)(dinxng)的数据如下的数据如下: : T=300 K室温下室温下,本征硅的电子和空穴浓度本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.41010/cm31 本征硅的原子浓度本征硅的原子浓度: 4.961022/cm3 3以上三个浓度基本上依次相差以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2掺杂后掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度型半导体中的自由电子浓度: n=51016/cm3第10页/共54页第十页，共55页。3.2 PN结的形成(xngchng)及特性3.2.1 载流子的漂移与扩散3.2.2 PN结的形成

9、3.2.3 PN结的单向导电性3.2.4 PN结的反向击穿( j chun)3.2.5 PN结的电容效应第11页/共54页第十一页，共55页。12华中科技大学 张林3.2.1 载流子的漂移载流子的漂移(pio y)与扩散与扩散漂移漂移(pio y)(pio y)运动：运动： 在电场作用引起的载流子的运动在电场作用引起的载流子的运动扩散运动扩散运动(yndng)(yndng)： 由载流子浓度差引起的载流子的运动由载流子浓度差引起的载流子的运动(yndng)(yndng)第12页/共54页第十二页，共55页。13华中科技大学 张林3.2.2 PN结的形成结的形成(xngchng)第13页/共54页

10、第十三页，共55页。14华中科技大学 张林3.2.2 PN结的形成结的形成(xngchng)第14页/共54页第十四页，共55页。15华中科技大学 张林 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质(zzh),(zzh),分别形成分别形成N N型半导体和型半导体和P P型半导体。此时将在型半导体。此时将在N N型半导体和型半导体和P P型半导体的结合面上形成如下物理过程型半导体的结合面上形成如下物理过程: : 因浓度因浓度(nngd)(nngd)差差 空间电荷区形成空间电荷区形成(xngchng)(xngchng)内电场内电场 内电场促使少子漂移内电场促使少子漂

11、移 内电场阻止多子扩散内电场阻止多子扩散 最后最后, ,多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡。多子的扩散运动多子的扩散运动由由杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区 第15页/共54页第十五页，共55页。16华中科技大学 张林3.2.3 PN结的单向结的单向(dn xin)导电性导电性 当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位区的电位(din wi)(din wi)高于高于N N区的电位区的电位(din wi)(din wi)，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。简称反偏。 (

12、1) PN (1) PN结加正向结加正向(zhn(zhn xinxin) )电压时电压时 低电阻低电阻 大的正向扩散电流大的正向扩散电流PNPN结的结的I-V I-V 特性特性第16页/共54页第十六页，共55页。17华中科技大学 张林3.2.3 PN结的单向结的单向(dn xin)导电性导电性 高电阻高电阻 很小的反向漂移很小的反向漂移(pio (pio y)y)电流电流 当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位区的电位(din wi)(din wi)高于高于N N区的电位区的电位(din wi)(din wi)，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电，称为加正向电压，简称

13、正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。压，简称反偏。 (2) PN(2) PN结加反向电压时结加反向电压时PNPN结的结的I-V I-V 特性特性第17页/共54页第十七页，共55页。18华中科技大学 张林3.2.3 PN结的单向结的单向(dn xin)导电性导电性PNPN结的结的I-V I-V 特性特性 在一定的温度条件下，由本征在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为这个电流也称为反向饱和电流反向饱和电流。 高电阻

14、高电阻 很小的反向漂移很小的反向漂移(pio y)(pio y)电电流流 当外加电压当外加电压(diny)(diny)使使PNPN结中结中P P区的电位高于区的电位高于N N区的电位，称为区的电位，称为加正向电压加正向电压(diny)(diny)，简称正偏；反之称为加反向电压，简称正偏；反之称为加反向电压(diny)(diny)，简称反偏。简称反偏。 (2) PN(2) PN结加反向电压时结加反向电压时第18页/共54页第十八页，共55页。19华中科技大学 张林3.2.3 PN结的单向结的单向(dn xin)导电性导电性 PN PN结加正向结加正向(zhn(zhn xin xin) )电压时，

15、呈电压时，呈现低电阻，具有较大的正向现低电阻，具有较大的正向(zhn(zhn xin xin) )扩扩散电流；散电流； PN PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：由此可以得出结论：PNPN结具有单向导电性。结具有单向导电性。第19页/共54页第十九页，共55页。20华中科技大学 张林3.2.3 PN结的单向结的单向(dn xin)导电性导电性 (3) PN (3) PN结结I-V I-V 特性特性(txng)(txng)表表达式达式其中其中(qzh(qzhng)ng)1e (/SDD TVvIiI IS

16、 S 反向饱和电流反向饱和电流V VT T 温度的电压当量温度的电压当量且在常温下（且在常温下（T T=300K=300K）V026. 0 qkTVTmV 26 PNPN结的结的I-VI-V 特性特性第20页/共54页第二十页，共55页。21华中科技大学 张林3.2.4 PN结的反向结的反向(fn xin)击穿击穿 当当PNPN结的反向电压增加结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突到一定数值时，反向电流突然快速然快速(kui s)(kui s)增加，增加，此现象称为此现象称为PNPN结的反向击穿。结的反向击穿。热击穿热击穿不可逆不可逆 雪崩击穿雪崩击穿 齐纳击穿齐纳击穿 电击穿电击穿可逆可逆

17、第21页/共54页第二十一页，共55页。22华中科技大学 张林3.2.5 PN结的电容结的电容(dinrng)效应效应 (1) (1) 势垒电容势垒电容(dinrng)CB(dinrng)CB P N (a) 电压减小时电压减小时 VD P N (b) 电压增加时电压增加时 VD 外加电压外加电压(diny)(diny)变化变化离子层厚薄变化离子层厚薄变化等效于电容充放电等效于电容充放电第22页/共54页第二十二页，共55页。23华中科技大学 张林3.2.5 PN结的电容结的电容(dinrng)效应效应(2) (2) 扩散电容扩散电容C CD D扩散电容示意图扩散电容示意图外加电压外加电压(d

18、iny)(diny)变化变化扩散到对方区域扩散到对方区域在靠近在靠近PNPN结附近结附近累积的载流子浓累积的载流子浓度发生变化度发生变化等效于电容充放电等效于电容充放电第23页/共54页第二十三页，共55页。3.3 半导体二极管3.3.1 二极管的结构3.3.2 二极管的I-V特性(txng)3.3.3 二极管的参数第24页/共54页第二十四页，共55页。25华中科技大学 张林3.3.1 二极管的结构二极管的结构(jigu)第25页/共54页第二十五页，共55页。26华中科技大学 张林3.3.1 二极管的结构二极管的结构(jigu) 在在PNPN结上加上引线和封装，就成为一个结上加上引线和封装

19、，就成为一个(y (y )二极管。二极管按结构分有点接触型、面接二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。触型两大类。(1) (1) 点接触型二极管点接触型二极管(a)(a)点接触型点接触型 二极管的结构示意图二极管的结构示意图 PN PN结面积结面积小，结电容小，小，结电容小，用于检波和变用于检波和变频频(bin pn)(bin pn)等高频电路。等高频电路。第26页/共54页第二十六页，共55页。27华中科技大学 张林3.3.1 二极管的结构二极管的结构(jigu)(2) (2) 面接触面接触(jich)(jich)型二极管型二极管 PN PN结面结面积大，用于积大，用于工频大电流

20、工频大电流整流整流(zhngli)(zhngli)电路。电路。(b)(b)面接触型面接触型(c)(c)集成电路中的平面型集成电路中的平面型阴极阴极引线引线阳极阳极引线引线PNP 型支持衬底型支持衬底(3) (3) 二极管的代表符号二极管的代表符号 k 阴极阴极 阳极阳极 a 第27页/共54页第二十七页，共55页。28华中科技大学 张林3.3.2 二极管的二极管的I-V特性特性(txng)二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线(qxin)(qxin)可用可用下式表示下式表示)1e (/SDD TVvIi 0 vD/V 0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 40 5 10 15 2

21、0 10 20 30 40 iD/ A iD/mA 死区死区 Vth VBR 硅二极管硅二极管2CP102CP10的的I I- -V V 特性特性 0 vD/V 0.2 0.4 0.6 20 40 60 5 10 15 20 10 20 30 40 iD/ A iD/mA Vth VBR 锗二极管锗二极管2AP152AP15的的I I- -V V 特性特性+iDvD-R正向(zhn xin)特性反向特性反向击穿特性第28页/共54页第二十八页，共55页。29华中科技大学 张林3.3.3 二极管的主要参数二极管的主要参数(1) (1) 最大整流电流最大整流电流I IF F(2) (2) 反向击穿

22、电压反向击穿电压V VBRBR(3) (3) 反向电流反向电流I IR R(4) (4) 极间电容极间电容C Cd d（C CB B、 C CD D ）(5) (5) 反向恢复时间反向恢复时间T TRRRR第29页/共54页第二十九页，共55页。3.4 二极管的基本(jbn)电路及其分析方法3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法3.4.2 二极管电路的简化( jinhu)模型分析方法第30页/共54页第三十页，共55页。31华中科技大学 张林3.4.1 简单二极管电路简单二极管电路(dinl)的图解分析方的图解分析方法法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电二极管是一种非线性

23、器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单(jindn)(jindn)，但前提条件是已知二极管的，但前提条件是已知二极管的V -I V -I 特性曲线。特性曲线。符号符号(fho)中大小写的含义：中大小写的含义：大写字母大写下标：静态值（直流），如，大写字母大写下标：静态值（直流），如，IB（参见（参见“本书常用符号表本书常用符号表”）小写字母大写下标：总量（直流小写字母大写下标：总量（直流+交流），如，交流），如，iB小写字母小写下标：瞬时值（交流），如，小写字母小写下标：瞬时值（交流），如，ib

24、第31页/共54页第三十一页，共55页。32华中科技大学 张林例例3.4.1 电路电路(dinl)如图所示，已知二极管的如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源特性曲线、电源VDD和电阻和电阻R，求二极管两端电压，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流和流过二极管的电流iD 。 + iD vD - - R VDD D 解：由电路的解：由电路的KVLKVL方程，可得方程，可得 RViDDDDv DDDD11VRRi v即即 是一条是一条(y tio)斜率为斜率为-1/R的直线，称为负载线的直线，称为负载线 Q的坐标值（的坐标值（VD，ID）即为所求。）即为所求。Q点称为点称为(chn wi)电

25、路的工作点电路的工作点R1第32页/共54页第三十二页，共55页。33华中科技大学 张林3.4.2 二极管电路二极管电路(dinl)的简化模型分析方的简化模型分析方法法1. 1. 二极管二极管I-V I-V 特性特性(txng)(txng)的建模的建模 将指数模型将指数模型 分段线性化，得到二极分段线性化，得到二极管特性的等效模型。管特性的等效模型。)1e (DSD TVIiv（1 1）理想）理想(lxing)(lxing)模型模型 I-V I-V 特特性性代表符代表符号号正向偏置正向偏置时的电路时的电路模型模型反向偏置反向偏置时的电路时的电路模型模型第33页/共54页第三十三页，共55页。3

26、4华中科技大学 张林3.4.2 二极管电路二极管电路(dinl)的简化模型分析方的简化模型分析方法法1. 1. 二极管二极管I-V I-V 特性特性(txng)(txng)的建模的建模（2 2）恒压降模型）恒压降模型（a）I-V 特性特性 （b）电路模型）电路模型 （3 3）折线模型）折线模型（a）I-V 特性特性 （b）电路模型）电路模型 第34页/共54页第三十四页，共55页。35华中科技大学 张林3.4.2 二极管电路的简化二极管电路的简化(jinhu)模型分析模型分析方法方法（4 4）小信号）小信号(xnho)(xnho)模型模型vs =Vmsin t 时（时（VmVT 。 （a）I-

27、V 特性特性(txng) （b）电路模型）电路模型1. 1. 二极管二极管I I- -V V 特性的建模特性的建模（4 4）小信号模型）小信号模型第37页/共54页第三十七页，共55页。38华中科技大学 张林3.4.2 二极管电路的简化二极管电路的简化(jinhu)模型分析模型分析方法方法2 2模型分析法应用模型分析法应用(yngyng)(yngyng)举例举例（1 1）整流电路（理想）整流电路（理想(lxing)(lxing)模型）模型）当当vs s为正半周时，二极管导通，为正半周时，二极管导通，且导通压降为且导通压降为0V，vo o = = vs s第38页/共54页第三十八页，共55页。

28、39华中科技大学 张林2 2模型分析法应用模型分析法应用(yngyng)(yngyng)举例举例（2 2）静态）静态(jngti)(jngti)工作情况分工作情况分析析V 0D VmA 1/DDD RVI理想理想(lxing)模型模型（R=10k ） 当当VDD=10V 时，时，mA 93. 0/ )(DDDD RVVI恒压模型恒压模型V 7 . 0D V（硅二极管典型值）（硅二极管典型值）折线模型折线模型V 5 . 0th V（硅二极管典型值）（硅二极管典型值）mA 931. 0DthDDD rRVVI k 2 . 0Dr设设V 69. 0DDthD rIVV+ DiDVDD+ DiDVDD

29、VD+ DiDVDDrDVth当当VDD=1V 时，时， （自学）（自学）（a）简单二极管电路）简单二极管电路 （b）习惯画法）习惯画法 第39页/共54页第三十九页，共55页。40华中科技大学 张林（3 3）限幅与钳位电路）限幅与钳位电路(dinl)(dinl) 电路如图，电路如图，R = 1k，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型，二极管为硅二极管。分别用理想模型(mxng)和和恒压降模型恒压降模型(mxng)求解，当求解，当vI = 6sint V时，绘出相应的输出电压时，绘出相应的输出电压vO的波形。的波形。 2 2模型模型(mxng)(mxng)分析法应分析法应用举例

30、用举例第40页/共54页第四十页，共55页。41华中科技大学 张林 电路电路(dinl)如图，二极管为硅二极管，如图，二极管为硅二极管，VD=0.7V， vs = Vm sint V，且，且Vm VD ，绘出相应的输出电压绘出相应的输出电压vO的波形。的波形。 vs的负半周，的负半周，D导通，导通，C充电，但无放充电，但无放电电(fng din)回路，最后（稳态）回路，最后（稳态）VC = Vm - VD = Vm 0.7V （Vm是振幅是振幅(zhnf)值）值）此后输出电压为此后输出电压为vO = vs +VC = vs +Vm - - 0.7V 将输入波形的底部钳位在了将输入波形的底部钳位

31、在了- -0.7V的直流电平上。的直流电平上。若颠倒二极管的方向，若颠倒二极管的方向，vO的波形将怎样变化？的波形将怎样变化？（3 3）限幅与钳位电路）限幅与钳位电路2 2模型分析法应用举例模型分析法应用举例第41页/共54页第四十一页，共55页。42华中科技大学 张林（4 4）开关电路）开关电路电路电路(dinl)如图所示，求如图所示，求AO的的电压值电压值解：解： 先断开先断开D，以，以O为基准为基准(jzhn)电位，电位， 即即O点为点为0V。 则接则接D阳极的电位阳极的电位(din wi)为为-6V，接阴极的电位，接阴极的电位(din wi)为为-12V。阳极电位高于阴极电位，阳极电位

32、高于阴极电位，D接入时正向导通。接入时正向导通。导通后，导通后，D的压降等于零，即的压降等于零，即A点的电位就是点的电位就是D阳极的电位。阳极的电位。所以，所以，AO的电压值为的电压值为-6V。2 2模型分析法应用举例模型分析法应用举例第42页/共54页第四十二页，共55页。43华中科技大学 张林 O t vO/V 2 3 4 4.3 0.0994 （6 6）小信号工作情况）小信号工作情况(qngkung)(qngkung)分析分析图示电路中，图示电路中，VDD = 5V，R = 5k，恒压降模型的，恒压降模型的VD=0.7V，vs = 0.1sinwt V。（1）求输出）求输出(shch)电

33、压电压vO的交流量和总量；（的交流量和总量；（2）绘出）绘出vO的波形。的波形。 解得：解得：vO = VO + vo = 4.3 + 0.0994sin t （V） 直流通路（静态）直流通路（静态）小信号模型的交流通路小信号模型的交流通路（动态）（动态） 直流通路、交流通路、静态、动态等直流通路、交流通路、静态、动态等概念，在放大电路概念，在放大电路(dinl)的分析中非常重的分析中非常重要。要。RVVIDDDD 解：解：DdIVrT sdovv rRR2 2模型分析法应用举例模型分析法应用举例第43页/共54页第四十三页，共55页。3.5 特殊(tsh)二极管3.5.1 齐纳二极管3.5.

34、2 变容(bin rn)二极管3.5.3 肖特基二极管3.5.4 光电器件第44页/共54页第四十四页，共55页。45华中科技大学 张林3.5.1 齐纳二极管齐纳二极管1. 符号及稳压符号及稳压(wn y)特性特性 利用二极管反向击穿特性利用二极管反向击穿特性(txng)(txng)实现稳压。稳压二极实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。管稳压时工作在反向电击穿状态。 a k (a)(a)符号符号(b) (b) 伏安特性伏安特性 + IZ VZ rZ VZ0 a k （c c）反向击穿时的模型）反向击穿时的模型 第45页/共54页第四十五页，共55页。46华中科技大学 张林3.5.1 齐纳二极管齐纳二极管(1) 稳定稳定(wndng)电压电压VZ(2) 动态动态(dngti)电阻电阻rZ 在规定在规定(gudng)的稳压管反的稳压管反向工作电流向工作电流IZ下，所对应的反下，所对应的