十分易懂的BJT和场效应管的开关工作原理

1、;BJT 的开关工作原理：形象记忆法：对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。但三极管厉害的地方在于： 它可以通过小电流控制大电流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。.;如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例

2、改变，那么，完美的控制就完成了。在这里， Ube 就是小水流， Uce 就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。如果水流处于可调节的状态，这种情况就是三极管中的线性放大区。如果那个小的阀门开启的还不够，不能打开大阀门，这种情况就是三极管中的截止区。如果小的阀门开启的太大了，以至于大阀门里放出的水流已经到了它极限的流量， 这种情况就是三极管中的饱和区。但是你关小小阀门的话，可以让三极管工作状态从饱和区返回到线性区。如果有水流存在一个水库中，水位太高（相应与Uce 太大），导致不开阀门江水就自己冲开了， 这就是二极管的反向击穿。 PN结

3、的击穿又有热击穿和电击穿。当反向电流和反向电压的乘积超过PN 结容许的耗散功率，直至 PN 结过热而烧毁，这种现象就是热击穿。电击穿的过程是可逆的，当加在 PN 结两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。 电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两类，一般两种击穿同时存在。电压低于 5 6V的稳压管，齐纳击穿为主，电压高于56V 的稳压管，雪崩击穿为主。电压在56V 之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用 5 6V 稳压管的原因。在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决.;定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。

4、而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。比如用单片机外界三极管驱动数码管时，确实会对单片机管脚输出电流进行一定程度的放大，从而使电流足够大到可以驱动数码管。 但此时三极管并不工作在其特性曲线的放大区，而是工作在开关状态（饱和区）。当单片机管脚没有输出时，三极管工作在截止区，输出电流约等于 0。在制造三极管时， 要把发射区的 N 型半导体电子浓度做的很大，基区 P 型半导体做的很薄，当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0.7V，锗管要大 0.3V ）而小于集电极电压时， 这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成 Ie ；但由于发射区的电子浓度很大，

5、基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里，形成 Ic ；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成Ib 。理论记忆法：当 BJT 的发射结和集电结均为反向偏置（ VBE0，VBC0），只有很小的反向漏电流 IEBO 和 ICBO分别流过两个结， 故 iB 0，iC 0，VCE VCC，对应于下图中的点。这时集电极回路中的c、e 极之间近似于开路，相当于开关断开一样。BJT 的这种工作状态称为截止。.;当发射结和集电结均为正向偏置（ VBE 0，VBC 0）时，调节 RB ，使 IB=VCC / RC ，则 BJT 工作在上图中的C 点，集电极电流 iC 已接近于最大

6、值 VCC / RC ，由于 iC 受到 RC 的限制，它已不可能像放大区那样随着 iB 的增加而成比例地增加了，此时集电极电流达到饱和，对应的基极电流称为基极临界饱和电流IBS （ ），而集电极电流称为集电极饱和电流 ICS （VCC / RC ）。此后，如果再增加基极电流，则饱和程度加深，但集电极电流基本上保持在ICS 不再增加，集电极电压VCE=VCC-ICSRC=VCES=2.0-0.3V。这个电压称为BJT 的饱和压降，它也基本上不随iB 增加而改变。由于VCES 很小，集电极回路中的c、e 极之间近似于短路，相当于开关闭合一样。BJT 的这种工作状态称为.;饱和。由于 BJT 饱和

7、后管压降均为0.3V ，而发射结偏压为0.7V ，因此饱和后集电结为正向偏置，即BJT 饱和时集电结和发射结均处于正向偏置，这是判断BJT 工作在饱和状态的重要依据。下图示出了型 BJT 饱和时各电极电压的典型数据。由此可见BJT 相当于一个由基极电流所控制的无触点开关。三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的电流Ib（偏流），随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区 -饱和状态变化而变。 BJT截止时相当于开关 “断开 ”，而饱和时相当于开关“闭合 ”。型BJT截止、放大、饱和三种工作状态的特点列于下表中。.;结型场效应管（ N 沟道 JFET ）工作原理：可将 N 沟道 JF

8、ET 看作带 “人工智能开关 ”的水龙头。 这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是JFET 的 d 极 、g 极、s极。“人工 ”体现了开关的 “控制 ”作用即 vGS 。JFET 工作时，在栅极与源极之间需加一负电压（ vGS<0 ），使栅极、沟道间的 PN 结反偏，栅极电流 iG0，场效应管呈现高达 107 以上的输入电阻。在漏极与源极之间加一正电压（ vDS>0 ），使 N 沟道中的多数载流子（电子）在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流iD。 iD 的大小受 “人工开关 ”vGS的控制， vGS 由零往负向增大时， PN 结的耗尽层将加宽，导电沟道变窄，vG

9、S 绝对值越大则人工开关越接近于关上，流出的水（iD ）肯定越来越小了，当你把开关关到一定程度的时候水就不流了。“智能 ”体现了开关的 “影响 ”作用，当水龙头两端压力差（vDS ）越大时，则人工开关自动智能 “生长 ”。vDS 值越大则人工开关生长越快，流水沟道越接近于关上，流出的水（iD ）肯定越小了，当人工开关生长到一定程度的时候水也就不流了。理论上，随着vDS 逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流iD 增加；另一方面，有了vDS ，就在由源极经沟道到漏极组成的 N 型半导体区域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。 由于 N 沟道的电位从源端到漏端是逐渐升高的，所以在从源端到漏端

10、的不同位置上，漏极与沟道之间的电位差是不相等的，离源极越远，电位差越大，加到该处PN 结的反向电压也越大，耗尽层也越向 N 型半导体中心扩展， 使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄，导.;电沟道呈楔形。所以形象地比喻为当水龙头两端压力差（vDS ）越大，则人工开关自动智能“生长 ”。当开关第一次相碰时，就是预夹断状态，预夹断之后id 趋于饱和。当 vGS>0 时，将使 PN 结处于正向偏置而产生较大的栅流，破坏了它对漏极电流 iD 的控制作用，即将人工开关拔出来，在开关处又加了一根进水水管，对水龙头就没有控制作用了。绝缘栅场效应管 (N 沟道增强型 MOSFET)工作原理：可将 N 沟道

11、 MOSFET看作带“人工智能开关”的水龙头。相对应情况同 JFET。与 JFET 不同的的是，MOSFET刚开始人工开关是关着的，水流流不出来。当在栅源之间加vGS>0， N 型感生沟道（反型层）产生.;后，人工开关逐渐打开，水流（iD ）也就越来越大。 iD 的大小受“人工开关” vGS的控制， vGS由零往正向增大时，则栅极和P 型硅片相当于以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向P 型衬底的电场， 这个电场排斥空穴而吸引电子，P 型衬底中的少子电子被吸引到衬底表面，这些电子在栅极附近的P 型硅表面便形成了一个N 型薄层，即导通源极和漏极间的 N型导电沟道。 栅源电压 vGS越大则半导体表面的电场就越强，吸引到 P 型硅表面的电子就越多，感生沟道将越厚，沟道电阻将越小。相当于人工开关越接近于打开，流出的水（iD ）肯定越来越多了，当你把开关