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文档简介

1、半导体存储器的分类(fn li)半导体存储器只读存储器 （ROM）随机存取存储器（RAM）静态RAM（SRAM）动态RAM（DRAM） 掩膜式ROM一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM）电擦除可编程ROM（EEPROM）快闪存储器(Flash Memory)第1页/共15页第一页，共16页。读写方式(fngsh)并行(bngxng)：数据并行(bngxng)读出或写入串行：数据串行读出或写入第2页/共15页第二页，共16页。组成单元组成单元速度速度集成度集成度应用应用SRAM触发器触发器快快低低小容量系统小容量系统DRAM极间电容极间电容慢慢高高大容量系统大容量系

2、统第3页/共15页第三页，共16页。地址寄存地址译码存储体控制电路AB数据寄存读写电路DBOE WE CS 半导体存储器总体(zngt)结构第4页/共15页第四页，共16页。掩膜式ROM一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM）电擦除可编程ROM（EEPROM）快闪存储器(Flash Memory)只读存储器只读存储器第5页/共15页第五页，共16页。ROM电路结构(jigu)框图地址(dzh)译码存储(cn ch)矩阵输出控制第6页/共15页第六页，共16页。地址(dzh)译码器2/4 4单元(dnyun)存储器Y Y0 0Y Y3 3A A1 1A A0 0第7页

3、/共15页第七页，共16页。掩膜型MOS只读存储器第8页/共15页第八页，共16页。EPROM特点使用专门的编程器（烧写器）进行(jnxng)编程紫外线擦除原有信息可编程几十次常在科研开发中用作程序存储器第9页/共15页第九页，共16页。存储器的扩展存储器的扩展(kuzhn)(kuzhn)位扩展(kuzhn)字扩展(kuzhn)字位扩展(kuzhn)第10页/共15页第十页，共16页。位扩展位扩展(kuzhn):用用8片片SRAM 1024 1构成构成1K8第11页/共15页第十一页，共16页。各芯片的数据线各自拉出。芯片的地址线并联，和系统(xtng)地址总线相连。读写控制信号并联。第12页

4、/共15页第十二页，共16页。字扩展(kuzhn)：用4片SRAM 2568 构成10248位第13页/共15页第十三页，共16页。 各芯片的数据线并联，和系统数据总线相连(xin lin)。 芯片的地址线并联，和系统地址总线低位相连(xin lin)。 系统地址总线高位接译码器，译码器输出用作各芯片的片选信号。译码器输入是增加的地址线。 读写控制信号并联。第14页/共15页第十四页，共16页。谢谢您的观看(gunkn)！第15页/共15页第十五页，共16页。NoImage内容(nirng)总结半导体存储器的分类(fn li)。第8页/共15页。位扩展:用8片SRAM 1024 1构成1K8。字扩展：用4片SRAM 2568 构成10248位。小结：字扩展的方法：。

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