IC版图设计-第四章

1、第四章第四章 电阻电阻 电阻电阻是集成电路设计中的一个重要组成部分，是集成电路设计中的一个重要组成部分，其在电路设计中的作用主要是其在电路设计中的作用主要是限流限流和和分压分压。对于。对于一个完整的电路，电阻是不可或缺的。一个完整的电路，电阻是不可或缺的。 对于集成电路芯片设计来说，电阻的版图设计对于集成电路芯片设计来说，电阻的版图设计这个问题就转变为这个问题就转变为“如何利用在集成电路工艺流如何利用在集成电路工艺流程中硅片上已有的各种薄膜材料来实现电阻版程中硅片上已有的各种薄膜材料来实现电阻版图图”。 多晶硅多晶硅、金属金属和和扩散层扩散层都可以作为制作电阻的材料，在集成电路都可以作为制作电

2、阻的材料，在集成电路中这些材料被制作成中这些材料被制作成薄层薄层的形式，即厚度的形式，即厚度t非常小。非常小。 对于确定的集成电路工艺，每一层薄膜材料的对于确定的集成电路工艺，每一层薄膜材料的厚度厚度t是常数是常数，具，具体值由体值由集成电路工艺决定集成电路工艺决定，与版图设计无关。，与版图设计无关。 电阻率电阻率是材料的固有属性，因此对于版图设计者来说，可以控是材料的固有属性，因此对于版图设计者来说，可以控制的只有制的只有电阻的长度电阻的长度L和宽度和宽度W。1、电阻、电阻的计算的计算 R =L/ tW=(/t)(L/W)1、电阻、电阻的计算的计算 t 薄层导体的电阻薄层导体的电阻R 与与L

3、/W成正比，当成正比，当L=W时，时，有有R=/t。 定义比例系数定义比例系数/t 为方块电阻为方块电阻(用用R表示表示)，单位单位为为: 欧姆欧姆/ 。L/W为方块数。为方块数。 电阻的阻值等于方块电阻乘以方块数。电阻的阻值等于方块电阻乘以方块数。 2、方块电阻、方块电阻 R =(/t)(L/W)= R (L/W)2、方块电阻、方块电阻 方块电阻方块电阻与工艺有关与工艺有关，可通过查工艺手册或，可通过查工艺手册或设计手册得到。设计手册得到。方块数不一定是整数方块数不一定是整数，可以含，可以含小数小数。 长长和宽相等的电阻包含一个方块，其电阻值和宽相等的电阻包含一个方块，其电阻值为一个方块电阻

4、。长是宽两倍的电阻包含两个为一个方块电阻。长是宽两倍的电阻包含两个方块，其电阻值为两个方块电阻。方块，其电阻值为两个方块电阻。 R =(/t)(L/W)= R (L/W) R表示一个正方形材料的薄层电阻表示一个正方形材料的薄层电阻,它与正方形边长的大小无关它与正方形边长的大小无关, 只与半导只与半导体的掺杂水平和掺杂区的结深（即材料体的掺杂水平和掺杂区的结深（即材料厚度）有关。厚度）有关。R=/t R= R(L/W)2、方块电阻、方块电阻3、电阻的分类、电阻的分类 电阻：无源电阻、有源电阻；电阻：无源电阻、有源电阻； 无源电阻：利用无源电阻：利用掺杂半导体材料和其他材料掺杂半导体材料和其他材料

5、构成，如，多晶构成，如，多晶硅电阻、阱电阻、有源区电阻、金属电阻；硅电阻、阱电阻、有源区电阻、金属电阻； 有源电阻：通过有源电阻：通过将将晶体管晶体管进行适当连接和偏置，利用晶体管进行适当连接和偏置，利用晶体管在不同工作区域所表现出的电阻特性，如在不同工作区域所表现出的电阻特性，如MOS晶体管工作于线晶体管工作于线性区（三极管区），其电流性区（三极管区），其电流-电压特性接近于线性，这时该电压特性接近于线性，这时该MOS晶体管可看成是有源电阻。晶体管可看成是有源电阻。3、电阻的分类、电阻的分类 有源区电阻和无源区电阻相比较，优点是占用面积较小，有源区电阻和无源区电阻相比较，优点是占用面积较小，

6、缺点是工作状态受电流缺点是工作状态受电流-电压影响，不稳定。电压影响，不稳定。 在集成电路设计中，在集成电路设计中，大部分使用大部分使用无源电阻无源电阻。4、多晶硅电阻、多晶硅电阻多晶硅在集成电路中的多晶硅在集成电路中的主要作用主要作用： 构成构成MOS晶体管的晶体管的栅极栅极，构成，构成电阻电阻，构成，构成电容电容。多晶硅电阻优点：多晶硅电阻优点： 多晶硅电阻的制作方法与多晶硅电阻的制作方法与MOS工艺兼容工艺兼容； 多晶硅是多晶硅是现成材料现成材料，不需要淀积新材料来制作电阻而产生，不需要淀积新材料来制作电阻而产生额外费用；额外费用； 其长度和宽度也其长度和宽度也容易控制容易控制； 因此制

7、作多晶硅电阻最简单最方便。因此制作多晶硅电阻最简单最方便。4、多晶硅电阻、多晶硅电阻多晶硅电阻多晶硅电阻制作制作： 用用离子注入离子注入工艺对淀积的多晶硅层进行掺杂，使其方块电工艺对淀积的多晶硅层进行掺杂，使其方块电阻满足要求；阻满足要求； 将淀积在场区的多晶硅将淀积在场区的多晶硅光刻光刻成电阻条形状；成电阻条形状； 再再在多晶硅电阻条上在多晶硅电阻条上生成氧化层生成氧化层，用来掩蔽源漏区注入时，用来掩蔽源漏区注入时向电阻区的掺杂，避免方块电阻的变化。向电阻区的掺杂，避免方块电阻的变化。4、多晶硅电阻、多晶硅电阻 多晶硅电阻的阻值由多晶硅电阻的阻值由掺杂浓度掺杂浓度和和电阻形状电阻形状决定。决

8、定。多晶硅电阻通常被制作成多晶硅电阻通常被制作成长条形长条形，在两端在两端开开接触孔接触孔与与金属连接。金属连接。连接连接孔之间的长度就是多晶硅电阻的孔之间的长度就是多晶硅电阻的长度长度L。多晶硅电阻的宽度为多晶硅电阻的宽度为W。4、多晶硅电阻、多晶硅电阻增大电阻：增大电阻：（1）利用改变电阻形状）利用改变电阻形状（狗骨头形状）（狗骨头形状）来增加多晶硅电阻的阻值。来增加多晶硅电阻的阻值。两个接触孔之间的多晶硅材料两个接触孔之间的多晶硅材料变窄变窄，为了满足设计规则，保证接触孔可以放在电阻的内部，为了满足设计规则，保证接触孔可以放在电阻的内部，所以所以电阻两端并没有缩小电阻两端并没有缩小。4、

9、多晶硅电阻、多晶硅电阻增大电阻：增大电阻：（2）增加电阻的）增加电阻的方块数方块数来实现。来实现。 在集成电路中通常在集成电路中通常不利用又长又直不利用又长又直的薄膜材料来制备电阻的薄膜材料来制备电阻。 因因其在电路结构布局中其在电路结构布局中很难处理很难处理，而且由于应力作用，又长又直，而且由于应力作用，又长又直的薄膜材料在集成电路制作过程中很容易发生翘曲，导致电阻失的薄膜材料在集成电路制作过程中很容易发生翘曲，导致电阻失效效。 可以利用可以利用蛇形结构蛇形结构（折弯结构）的电阻来实现增加电阻的方块数（折弯结构）的电阻来实现增加电阻的方块数4、多晶硅电阻、多晶硅电阻蛇形结构电阻：蛇形结构电阻

10、： 方块数较多方块数较多，电阻值较大；，电阻值较大； 电阻结构呈正方形电阻结构呈正方形，有利于电路设计布局，减小占用面积。，有利于电路设计布局，减小占用面积。4、多晶硅电阻、多晶硅电阻 将蛇形电阻分为多个方块电阻的串联，上右图中有32个方块电阻； 在电阻的拐角处，电子的流动值利用了半个拐角，因此每个拐角处的方块必须折半处理； 总方块数为32-6/2=29。4、多晶硅电阻、多晶硅电阻外角没有电子流过，电阻误差较大外角没有电子流过，电阻误差较大4、多晶硅电阻、多晶硅电阻电阻的实际版图需要很多图层。电阻标示层电阻标示层：表示被该层覆盖的区域为电阻区，此区域内的多晶硅材料作为电阻来使用。高阻注入层高阻

11、注入层：通过注入掩蔽达到控制多晶硅方块电阻的目的。第二层多晶硅第二层多晶硅：利用该工艺的多晶硅材料来制备电阻。第二层多晶硅与金属第二层多晶硅与金属1接触接触孔孔：在多晶硅电阻的两端开与第一层金属相连接的接触孔，然后利用第一层金属将该电阻与其他元件相连接。5、阱阱电阻电阻N阱CMOS芯片剖面示意图 P阱和N阱，都是轻掺杂区，电阻率很高，方块电阻可达到10k/。可用来制作阻值较大的电阻。 但精度不高，而且阱的掺杂浓度很低，经过光照后电阻的阻值变化，呈现不稳定现象。 最外层虚线代表最外层虚线代表N阱。阱。 由于阱电阻是低掺杂区，所以在其两端需要做由于阱电阻是低掺杂区，所以在其两端需要做重掺杂区重掺杂

12、区作为阱接触，重掺杂区由有源区和作为阱接触，重掺杂区由有源区和N+注入构成。注入构成。 在重掺杂区内打上在重掺杂区内打上接触孔接触孔以便使阱电阻和其他电路元件以便使阱电阻和其他电路元件相连接。相连接。 绘制绘制N阱电阻的版图时，要保证电阻图形的尺寸至少是阱电阻的版图时，要保证电阻图形的尺寸至少是阱深的两倍，否则阱将不能达到全部结深。阱深的两倍，否则阱将不能达到全部结深。5、阱阱电阻电阻 有源区（有源区（P+和和N+）可以）可以做电阻和沟道电阻做电阻和沟道电阻(在两层掺杂区之间的在两层掺杂区之间的中间掺杂层，例如中间掺杂层，例如npn中的中的p型区型区)。 沟道有源区电阻在集成电路工艺过程中同时

13、形成的，不需要增加沟道有源区电阻在集成电路工艺过程中同时形成的，不需要增加专门的工艺。缺点是专门的工艺。缺点是电阻率不能灵活变化电阻率不能灵活变化，受工艺限制。，受工艺限制。6、有、有源区电阻源区电阻 有有源区电阻要考虑源区电阻要考虑衬底（阱）的衬底（阱）的电位，将电位，将P型衬底接最低电位型衬底接最低电位，N型衬底接最高电位型衬底接最高电位，使电阻区和衬底形成的，使电阻区和衬底形成的PN结结反偏反偏。 例如例如，P+有源区电阻有源区电阻做在做在N阱内，除电阻两端有接触孔外，阱内阱内，除电阻两端有接触孔外，阱内要增加接要增加接最高电位的接触最高电位的接触孔孔，以保证，以保证PN结反偏。结反偏。

14、6、有、有源区电阻源区电阻 6、有、有源区源区电阻和多晶硅电阻比较电阻和多晶硅电阻比较 有源区电阻有源区电阻多晶硅电阻多晶硅电阻三电极器件两电极器件（连接简单）温度稳定性低温度稳定性高工艺控制较难易于工艺控制功率耗散高功率耗散低寄生大寄生小薄层电阻率可大可小薄层电阻率较小多晶硅电阻通过特别大的电流时，多晶硅电阻通过特别大的电流时，多晶硅的晶体结构会发生变化多晶硅的晶体结构会发生变化，导致多晶硅电，导致多晶硅电阻的阻的阻值发生永久性变化阻值发生永久性变化，这也是为什么不总是利用多晶硅来制作电阻的原因。，这也是为什么不总是利用多晶硅来制作电阻的原因。7、金属电阻、金属电阻金属电阻率低，方块电阻很小

15、，但是金属电阻率低，方块电阻很小，但是并不意味着可以忽略并不意味着可以忽略。金属电阻的典型阻值为金属电阻的典型阻值为50m 5 ，可用于构造，可用于构造电流敏感电路电流敏感电路和和大功率双极型晶体管的镇流大功率双极型晶体管的镇流；可以布置成一条直线，也可以布成；可以布置成一条直线，也可以布成蛇形或折叠状。蛇形或折叠状。金属电阻应位于金属电阻应位于氧化层上面氧化层上面，避免氧化层台阶引起的方块电阻的，避免氧化层台阶引起的方块电阻的变化。变化。金属电阻的阻值主要取决于金属层的金属电阻的阻值主要取决于金属层的厚度厚度和金属的和金属的组分组分。材料最小值典型值最大值互连金属0.050.070.1顶层金

16、属0.030.040.05多晶硅152030硅-金属氧化物236扩散层1025100硅氧化物扩散2410N阱（或P阱）1k2k5k 0.5-1.0m MOS工艺中作为导电层的典型的薄层电阻阻值单位:/口8、电阻的变化、电阻的变化实际的集成电路制造工艺不像CAD作图那样完美。需要对于电阻变化有关的因素进行分析，从而得到电阻设计依据和电阻匹配规则。影响电阻值变化的因素： 工艺变化，温度，非线性和寄生电阻影响电阻匹配的因素： 方向，压力，温度梯度，热电子效应，刻蚀速度的不一致8、电阻的变化、电阻的变化-工艺变化工艺变化工艺变化工艺变化影响电阻的阻值主要在于方块电阻和尺寸。方块电阻随着薄膜厚度、掺杂浓

17、度、掺杂分布和退火条件的变化而变化；电阻的尺寸会由于光刻对准误差和刻蚀速率不一致而变化。8、电阻的变化、电阻的变化-工艺工艺变化变化线宽控制：对由光刻和工艺带来的尺寸变化的度量。对于大的特征尺寸，线宽控制与宽度的关系不大。即，如果5m的特征尺寸能够容忍1m的变化，那么25m或更大的特征尺寸也可以。通常用特征尺寸的百分比来衡量线宽控制，该百分比随着特征尺寸的增加而改善。大部分工艺可以保证线宽控制在其最小特征尺寸最小特征尺寸的20%以内。8、电阻的变化、电阻的变化-工艺工艺变化变化已知方块电阻的变化和线宽控制，则长度为L，宽度为W的电阻的变化可用下式表示：eeLLSRRLW 假设电阻的长度为10

18、m ，宽度为2 m ，线宽控制为0.25 m ，所用材料方块电阻变化为25%，则通过上式可知，电阻的变化为40% 若长度和宽度分别增加一倍，而方块电阻的变化不变，则电阻的变化为32.5%。 要提高电阻的精度，应该尽量增大电阻的尺寸尽量增大电阻的尺寸。8、电阻的变化、电阻的变化-工艺工艺变化变化假设方块电阻的变化为25%，线宽控制为最小特征尺寸的20%。在电阻精度不重要的情况下，电阻可使用最小宽度，阻值变化大约为50%；当需要中等精度电阻时，电阻宽度应至少为最小特征尺寸的2倍或3倍，阻值变化大约为35%；当需要高精度电阻时，电阻宽度应选用最小特征尺寸的5倍，阻值变化大约为30%。8、电阻的变化、

19、电阻的变化温度的变化：温度的变化：阱电阻的温度系数最大，金属电阻的温度系数最小，多晶硅电阻的温度系数介于二者之间。由于不同材料的温度系数不同，因此匹配的电阻要尽量使用相同的材料制备。8、电阻的变化、电阻的变化非线性：非线性：理想的电阻其电流和电压之间应为线性关系，实际的电阻总是呈现出一定的非线性，这种非线性主要来源于加热、强场速度饱和以及耗尽区侵蚀。8、电阻的变化、电阻的变化寄生电阻：寄生电阻：实际电阻无法与环境完全隔绝，在高频下不可避免地会发生电容和电感耦合，有些电阻还可能发生结电流泄露。由于多晶硅电阻不存在PN结，其寄生效应要小。9、实际电阻分析、实际电阻分析根据电阻的实际版图分析，为了得

20、到较高的方块电阻，可以增加一掩蔽层（高阻注入层），来提高多晶硅电阻的电阻率，进而提高方块电阻；在该掩蔽层下的多晶硅材料称为体区材料，对应体区电阻体区电阻；体区电阻两端的多晶硅材料称为头区材料，对应头区电阻头区电阻；多晶硅和接触孔之间电阻称为接触区电阻接触区电阻。接接触触孔孔接接触触孔孔接接触触孔孔体区体区头区头区头区头区9、实际电阻分析、实际电阻分析多晶硅电阻的总电阻R表示为:用方块电阻来表示多晶硅的总电阻：+2 +2bhcRrrrbchsbshbhc+2+2LRLRRRWWW9、实际电阻分析、实际电阻分析 体区电阻，头区电阻和接触区电阻可能由于制作工艺的误差而存在误差。 利用光刻和刻蚀工艺得

21、到体区电阻时，体区材料、头区材料以及接触区材料可能存在过刻蚀或欠刻蚀。 过刻蚀就是刻蚀过头，导致电阻刻蚀得过短、过窄；欠刻蚀就是刻蚀不足，导致电阻过长，过宽。 头区电阻和接触电阻也会存在制作工艺上的误差。10、电阻设计依据、电阻设计依据实际加工出来的电阻可能并不像版图设计软件里画的那么完美，而且还可能存在各种误差。该如何进行电阻设计？电阻的设计依据主要包括两个方面：误差控制误差控制和电流密度电流密度。10、电阻设计依据、电阻设计依据误差控制：由于芯片制造商能够很好地控制体区电阻，而对于头区电阻和接触区电阻的控制并不理想。因此，对于一个电阻，体区电阻体区电阻应该在总电阻中起到支配支配作用，即总电

22、阻要远大于头区电阻和接触电阻。电阻尺寸的经验法则经验法则：体区材料的长度至少应为光刻和刻蚀工艺误差的100倍，宽度应该为光刻和刻蚀工艺误差的50倍。如果需要进一步提高精度，长和宽还应该增加，因线宽控制是不变的。电流密度:电流密度指的是：电阻中能安全可靠通过的电流，当电阻通过低于电流密度的电流时，电阻能够长期稳定工作。较宽的电阻允许通过较大的电流，较窄的电阻只允许通过较小的电流。集成电路中电阻的电流密度是比较保守的，可靠性系数要达到数万小时。经验法则经验法则：每微米宽度电阻的电流密度为0.5mA。10、电阻设计依据、电阻设计依据10、电阻设计依据、电阻设计依据电流密度:已知电阻材料的电流密度，可

23、用下式来计算所需的电阻材料的宽度： 其中，W为所需电阻材料的宽度，m；D为电阻材料的电 流密度，mA/m；Imax为该电阻通过的最大电流，mA。保证电阻始终工作在电流密度下，对于电阻的设计非常重要。maxIWD11、电阻匹配规则、电阻匹配规则 如果没有很大的功率需要耗散，应如果没有很大的功率需要耗散，应尽可能使用多晶硅电阻尽可能使用多晶硅电阻。 无源电阻（多晶硅电阻，阱电阻，有源区电阻）中，多晶硅电阻的工艺和温度稳定性最高，阱电阻次之，有源区电阻最差。 对于精度要求高的电阻，对于精度要求高的电阻，电阻条应采用较宽的尺寸电阻条应采用较宽的尺寸，同时调整，同时调整其长度，保持其方块数不变。其长度，保持其方块数不变。 电阻等于方块电阻乘以方块数，方块数没有发生变化，则电阻值也不变。不过根据前面的分析，采用较宽尺寸的电阻，精度就会得到提高。 对于数值对于数值较大较大的电阻，要将其的电阻，要将其分成较短的电阻单位分成较短的电阻单位，平行放置，平行放置并串联