电力电子技术第二章总结

1、电力电子技术作业：第二章总结班级：XXXXXX学号：XXXXXXX姓名：XXXXXX2016第二章电力电子器件 总结1.概述不可控器件电力二极管(Power Diode) GPD FRD SBD半控型器件晶闸管(Thyristor) FST TRIAC LTT典型全控型器件 GTO GTR MOSFET IGBT其他新型电力电子器件 MCT SIT SITH IGCT 功率集成电路与集成电力电子模块 HVIC SPIC IPM1.1相关概念主电路(Main Power Circuit):在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路电力电子器件(Power Electronic D

2、evice)是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件1.2特点电功率大,一般都远大于处理信息的电子器件一般都工作在开关状态由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路(主要对控制信号进行放大)功率损耗大,工作时一般都需要安装散热器通态损耗,断态损耗,开关损耗(开通损耗 关断损耗) 开关频率较高时,可能成为器件功率损耗的主要因素电力电子器件在实际应用中的系统组成一般是由控制电路驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统关键词 电力电子系统 电气隔离 检测电路 保护电路 三个端子1.3电力电子器件的分类按能够被控制电路信号控制的程度不同可分为 半控型器件(开通可控,关断

3、不可控) 全控型器件(开通,关断都可控) 不可控器件(开通,关断都不可控)按照驱动信号的性质不同可分为 电流驱动型 电压驱动型按照驱动信号的波形(电力二极管除外 )不同可分为 脉冲触发型 电平控制型按照载流子参与导电的情况不同可分为 单极型器件(由一种载流子参与导电) 双极型器件 (由电子和空穴两种载流子参与导电)复合型器件 (由单极型器件和双极型器件集成混合而成,也称混合型器件)关键词 控制的程度 驱动信号的性质波形 载流子参与导电的情况 工作原理 基本特性 主要参数2不可控器件电力二极管(Power Diode)2.1结构与工作原理电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装

4、组成的PN节(PN junction):采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结N型半导体(N为Negative的字头,由于电子带负电荷而得此名):即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体正向电流IF :当PN结外加正向电压(正向偏置)时,在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流反向截止状态:当PN结外加反向电压时(反向偏置)时,反向偏置的PN结表现为高阻态,几乎没有电流流过的状态反向击

5、穿:PN结具有一定的反向耐压能力,但当施加的反向电压过大,反向电流将会急剧增大,破坏PN结反向偏置为截止的工作状态雪崩击穿 齐纳击穿(可以恢复) 热击穿(不可恢复)P-i-N结构电导调制效应(Conductivity Modulation):当正向电流较小时,管压降随正向电流的上升而增加;当正向电流较大时,电阻率明显下降,电导率大大增加的现象关键词 少子 扩散运动 空间电荷区(耗尽层阻挡区势垒区)结电容CJ:PN结中的电荷量随外加电压而变化,呈现电容效应(微分电容)扩散电容CD:扩散电容仅在正向偏置时起作用正向电压较高时,扩散电容为结电容主要成分 势垒电容CB:势垒电容只在外加电压变化时才起作

6、用,外加电压频率越高,势垒电容作用越明显在正向偏置时,当正向电压较低时,势垒电容为主作用:结电容影响PN结的工作频率,特别是在高速开关的状态下,可能使其单向导电性变差,甚至不能工作2.2基本特性静态特性(伏安特性)门槛电压UTO 正向电压降UF 反向漏电流是由少子引起的微小而数值定动态特性结电容 零偏置,正向偏置,反向偏置 不能立即转换状态 过渡过程 正向偏置时延迟时间:td=t1-t0 电流下降时间:tf = t2 - t1 反向恢复时间:trr = td + tf 恢复特性的软度:Sr = tf / td,或称恢复系数,Sr越大恢复特性越软由零偏置转换为正向偏置过冲UFP : 原因:1)电

7、导调制效应起作用所需的大量少子需要一定的时间来储存,在达到稳态导通之前管压降较大2)正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降电流上升率越大,UFP越高 正向恢复时间:tfr 2.3主要参数正向平均电流IF(AV) 正向压降UF反向重复峰值电压URRM最高工作结温TJM反向恢复时间trr浪涌电流IFSM2.4主要类型普通二极管(General Purpose Diode)快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)肖特基二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)3半控型器件晶闸管(Silicon Controlled Rectifier,SCR)3.

8、1结构和工作原理内部是PNPN四层半导体结构如图a) P1 区引出阳极AN2 区引出阴极K P2 区引出门极G工作原理可以用双晶体管模型解释如右图b)工作过程关键词: IG V2 Ic2 Ic1 正反馈 触发 门触发电路 其他几种可能导通的情况阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高光触发结温较高只有门极触发是最精确迅速而可靠的控制手段 3.2基本特性静态特性正常工作特性当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通 当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否还存在,晶闸

9、管都保持导通 若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下伏安特性如右图所示 包括正向特性和反向特性正向转折电压Ubo 维持电流IH反向最大瞬态电压URSM反向重复峰值电压URRM断态重复峰值电压UDRM断态最大瞬时电压UDSM动态特性如右图所示延迟时间td (0.51.5ms)上升时间tr (0.53ms)开通时间tgt=td+tr反向阻断恢复时间trr正向阻断恢复时间tgr关断时间tq=trr+tgr3.3主要参数(包括电压定额和电流定额)电压定额断态重复峰值电压UDRM反向重复峰值电压URRM通态(峰值)电压UT通常取晶闸管的UDR

10、M和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压选用时,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍电流定额通态平均电流 IT(AV)维持电流IH 擎住电流 IL浪涌电流ITSM动态参数开通时间tgt和关断时间tq断态电压临界上升率du/dt 通态电流临界上升率di/dt3.4晶闸管的派生器件快速晶闸管(Fast Switching Thyristor, FST)双向晶闸管(Triode AC SwitchTRIAC or Bidirectional Triode Thyristor)逆导晶闸管(Reverse Conducting Thyristor, RCT)光控晶闸管(Light T

11、riggered Thyristor, LTT) 典型全控型器件4门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor, GTO)晶闸管的一种派生器件,但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断,因而属于全控型器件 4.1结构与工作原理其结构原理可以参考晶闸管 数十个甚至数百个小GTO单元4.2基本特性静态特性和普通晶闸管类似动态特性 储存时间ts下降时间tf尾部时间tt4.3主要参数最大可关断阳极电流IATO电流关断增益boff开通时间ton关断时间toff5电力晶体管(Giant Transistor, GTR)5.1结构和工作原理与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的最主要的特

12、性是耐压高电流大开关特性好 达林顿接法 单元结构 并联 三层半导体 两个PN结5.2基本特性右图所示静态特性右图所示动态特性右图所示5.3主要参数电流放大倍数b直流电流增益hFE集电极与发射极间漏电流Iceo集电极和发射极间饱和压降Uces开通时间ton和关断时间toff 最高工作电压BUceo:基极开路时集电极和发射极间的击穿电压实际使用GTR时,为了确保安全,最高工作电压要比BUceo低得多集电极最大允许电流IcM集电极最大耗散功率PcM 6电力场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FET, MOSFET)6.1结构和工作原理6.3基本特性静态特性动态特性MOS

13、FET的开关速度和其输入电容的充放电有很大关系,可以降低栅极驱动电路的内阻Rs,从而减小栅极回路的充放电时间常数,加快开关速度6.4主要参数 跨导Gfs开启电压UT以及开关过程中的各时间参数 漏极电压UDS 漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM 栅源电压UGS 极间电容 CGSCGD和CDS 漏源间的耐压漏极最大允许电流和最大耗散功率决定了电力MOSFET的安全工作区 7绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor, IGBT or IGT)综合了GTR和MOSFET的优点 场控器件7.1结构和工作原理内部结构图其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的7.2基本特性静态特性转移特性输出特性动态特性开通过程开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv开通时间ton= td(on)+tr+ tfvtf