电子电路基础2014考前辅导

1、1电子电路基础考前辅导电子电路基础考前辅导 第一部分第一部分 半导体基础半导体基础一、半导体材料的特点一、半导体材料的特点 1.1.当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 2.2.往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显增强。力明显增强。 例题：例题： 1.在纯净半导体中掺入在纯净半导体中掺入 ，就会使半导体的导电性，就会使半导体的导电性能增强。能增强。(杂质）杂质） 2.环境温度升高时，半导体材料的导电能力会环境温度升高时，半导体材料的导电能力会 。（增强（增强/减弱）减弱） 3.当半

2、导体材料受光照射时，其导电能力会当半导体材料受光照射时，其导电能力会 。 （增强（增强/减弱）减弱）二、本征半导体二、本征半导体 载流子特点：本征半导体中存在数量相等的两种载流载流子特点：本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。子，即自由电子和空穴。 温度越高，载流子的浓度越高，因此本征半导体的导温度越高，载流子的浓度越高，因此本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体性能的重要外部因素，这电能力越强。温度是影响半导体性能的重要外部因素，这是半导体的一大特点。是半导体的一大特点。 例题：例题： 1.本征半导体的载流子是本征半导体的载流子是 。 2.当本征半导体温度升高时，电子和

3、空穴数目都当本征半导体温度升高时，电子和空穴数目都 。 3.在温度升高时，本征半导体中载流子的数量将在温度升高时，本征半导体中载流子的数量将 。三、杂质半导体三、杂质半导体P 型半导体：型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。称为（空穴半导体）。N 型半导体：型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。也称为（电子半导体）。自由电子称为自由电子称为多数载流子多数载流子（多子多子），空穴称为），空穴称为少数载少数载流子流子（少子少子）。）。P 型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空

4、穴是多子，电子是少子。问题：问题：P 型半导体和型半导体和N N型半导体载流子的比较型半导体载流子的比较 杂质半导体和本征半导体载流子的比较。杂质半导体和本征半导体载流子的比较。 1 1在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ） A A晶体缺陷晶体缺陷 B B温度温度 C C杂质浓度杂质浓度 D D掺杂工艺掺杂工艺 2. 2. 在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入3 3价元素就成为（价元素就成为（ ）型半导体。）型半导体。 A. PA. P型半导体型半导体 B.NB.N型半导体型半导体 C.PNC.PN结结 D.D.纯净半导体纯净半导体 3. 3. 在

5、本征半导体中掺入在本征半导体中掺入5 5价元素就成为（价元素就成为（ ）型半导体。）型半导体。 A. P型半导体型半导体 B.N型半导体型半导体 C.PN结结 D.纯净半导体纯净半导体 4、电子为多数载流子的杂质半导体称为、电子为多数载流子的杂质半导体称为 N型型 半导体。半导体。 5 、空穴为多数载流子的杂质半导体称为、空穴为多数载流子的杂质半导体称为 P型型 半导体。半导体。 6、P型半导体的多数载流子为型半导体的多数载流子为 空穴空穴 。 7、自由电子为、自由电子为N型半导体的型半导体的 多数多数 载流子。载流子。 8、多数载流子浓度取决于、多数载流子浓度取决于 掺杂浓度掺杂浓度 。 四

6、四. PN. PN结单向导电性及应用结单向导电性及应用二极管：二极管： 死区电压死区电压=0 .5V 正向压降正向压降 0.7V(硅管硅管) 正向压降正向压降 0.3V(锗管锗管) 理想二极管：理想二极管： 死区电压死区电压=0 正向压降正向压降=0 | vi |0.7V时， D1、D2中有一个导通， 包含 vi 0.7V和vi -0.7V时两种情况|vi |0.7V时，D1、D2截止，所以vo=vi D1D2R+_+_例例1voviD2D10.7V-0.7Vvovi|vi |2.7V时， D1、D2中导通，所以vo =2.7V或-2.7V0.7V-0.7Vvovi例例2|vi |1.4V时，

7、 有一支路导通，所以vo =1.4V或-1.4V0.7V-0.7Vvovi例例3 六六.三极管工作区域三极管工作区域 三极管工作状态的偏置条件三极管工作状态的偏置条件 放大区：要求发射结正偏，集电结反偏。放大区：要求发射结正偏，集电结反偏。 截止区：发射结和集电结均为反向偏置。截止区：发射结和集电结均为反向偏置。 饱和区：发射结正偏、集电结正偏。饱和区：发射结正偏、集电结正偏。 PNPPNP晶体管工作在放大区，三电极电位关系为晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 A AU UC CUUE EUUB B B. U B. UB BUUC CUUE E C. UC. UC CUUB BUUE E D

8、. UD. UB BUUE EUUC C NPNNPN晶体管工作在放大区，三电极电位关系为晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 A AU UC CUUE EUUB B B. U B. UB BUUC CUUE E C. U C. UC CUUB BUUE E D. UD. UE EUUB BUUC C 例题例题 1. 1. 测得三极管发射结反偏，集电结反偏，此时该三极测得三极管发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于管处于( )( ) A. A. 放大状态放大状态 B.B.截止状态截止状态 C.C.饱和状态饱和状态 D.D.击穿状态击穿状态 2. 2. 测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该

9、三极测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于管处于( )( ) A. A. 放大状态放大状态 B.B.截止状态截止状态 C.C.饱和状态饱和状态 D.D.击穿状态击穿状态 3. 3. 测得测得NPNNPN型三极管三个电极的电位分别为型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3VUC=3.3V，UB=3.7VUB=3.7V，UE=3VUE=3V，则该管工作在（，则该管工作在（ ） A. A. 放大区放大区 B. B. 截止区截止区 C. C. 饱和区饱和区 D. D. 击穿区击穿区 七七. 判断三极管管型判断三极管管型 PNPPNP晶体管工作在放大区，三电极电位关系为晶体管工作在放大区，三

10、电极电位关系为 A AU UC CUUE EUUB B B. U B. UB BUUC CUUE E C. UC. UC CUUB BUUE E D. UD. UB BUUE EUUC C NPNNPN晶体管工作在放大区，三电极电位关系为晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 A AU UC CUUE EUUB B B. U B. UB BUUC CUUE E C. U C. UC CUUB BUUE E D. UD. UE EUUB BUUC C 1.1.在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为2.8V2.8V、3.5V3.5V、6V6V，则这只三极

11、管属于（，则这只三极管属于（ ） A. A. 硅硅PNPPNP型型 B.B.硅硅NPNNPN型型 C.C.锗锗PNPPNP型型 D. D. 锗锗NPNNPN型型 2. 2. 在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V6V、11.8V11.8V、12V12V，则这只三极管属于（，则这只三极管属于（ ） A. A. 硅硅NPNNPN型型 B. B. 硅硅PNPPNP型型 C. C. 锗锗NPNNPN型型 D. D. 锗锗PNPPNP型型 3. 3. 在放大电路中在放大电路中, ,测得三极管三个电极电位分别为测得三极管三个电极电位分别为12V12V，11

12、.3V11.3V，0V0V，则该管属于（，则该管属于（ ） A. A. 硅硅NPNNPN型型 B. B. 硅硅PNPPNP型型 C. C. 锗锗NPNNPN型型 D. D. 锗锗PNPPNP型型 第二部分第二部分 放大电路基础放大电路基础 一一. . 放大电路要求放大电路要求 1.1.放大电路的组成原则有哪些？放大电路的组成原则有哪些？ A.A.要求放大电路发射结正偏，集电结反偏；要求放大电路发射结正偏，集电结反偏； B.B.输入回路的设置应当使输入信号耦合到晶体管的输输入回路的设置应当使输入信号耦合到晶体管的输入电极，并形成变化的基极电流入电极，并形成变化的基极电流i iB B，进而产生晶体

13、管，进而产生晶体管的电流控制关系，变成集电极电流的电流控制关系，变成集电极电流i iC C的变化；的变化； C.C.输出回路的设置应当保证晶体管放大后的电流信号输出回路的设置应当保证晶体管放大后的电流信号能够转换成负载需要的电压形式；能够转换成负载需要的电压形式； D.D.信号通过放大电路时不允许出现失真。信号通过放大电路时不允许出现失真。2.2.放大电路耦合方式有什么要求？放大电路耦合方式有什么要求？耦合后，各级仍具有合适静态工作点。耦合后，各级仍具有合适静态工作点。保证信号在级与级之间能顺利而有效地传输出去。保证信号在级与级之间能顺利而有效地传输出去。耦合后，多级放大嗲路的性能指标必须满足

14、实际负耦合后，多级放大嗲路的性能指标必须满足实际负载的要求。载的要求。3 3为什么要设定静态工作点？为什么要设定静态工作点？为了减少和避免非线性失真，需要合理设置静态工为了减少和避免非线性失真，需要合理设置静态工作点，使整个波形处于放大区。作点，使整个波形处于放大区。Q Q点过低，信号进入截止区点过低，信号进入截止区, ,放大电路产生截止失真放大电路产生截止失真Q Q点过高，信号进入饱和区点过高，信号进入饱和区, ,放大电路产生饱和失真放大电路产生饱和失真iCuCEuoQ点过低，信号进入截止区放大电路产生截止失真输出波形输入波形ibiCuCEQ点过高，信号进入饱和区放大电路产生饱和失真ib输入

15、波形uo输出波形 二二. .偏置与耦合偏置与耦合 1. 1. 在固定偏置放大电路中，调小偏置电阻在固定偏置放大电路中，调小偏置电阻R RB B的数值，的数值，容易出现（容易出现（ ）失真。）失真。 A.A.饱和饱和 B.B.截止截止 C.C.低频低频 D.D.交越交越 2 2在固定偏置放大电路中，调大偏置电阻在固定偏置放大电路中，调大偏置电阻R RB B的数值，的数值，静态工作点将（静态工作点将（ ）。）。 A.A.升高升高 B.B.降低降低 C.C.不变不变 D.D.不定不定 3. 3. 集成运算放大器采用耦合方式是集成运算放大器采用耦合方式是 A. A. 变压器耦合变压器耦合 B.B.直接

16、耦合直接耦合 C.C.阻容耦合阻容耦合 D.D.光电耦合光电耦合 4. 4. 在放大电路的耦合方式中，（在放大电路的耦合方式中，（ ）低频特性最好。）低频特性最好。 A. A. 变压器耦合变压器耦合 B.B.直接耦合直接耦合 C.C.阻容耦合阻容耦合 D.D.光电耦合光电耦合 5. 5. 在放大电路的耦合方式中，（在放大电路的耦合方式中，（ ）级间静态工作点）级间静态工作点会影响。会影响。 A.A.变压器耦合变压器耦合 B.B.直接耦合直接耦合 C.C.阻容耦合阻容耦合 D.D.光电耦合光电耦合三、判断电路能实现放大与否？三、判断电路能实现放大与否？3. 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，晶

17、体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。集电结反偏。4. 正确设置静态工作点，使整个波形处于放正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。大区。1. 信号能否输入到放大电路中。信号能否输入到放大电路中。2. 信号能否输出。信号能否输出。 与实现放大条件相对应，判断的过程如下：与实现放大条件相对应，判断的过程如下：试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，不试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，不能的请说明改正方法。图中电容对交流信号可视为短路。能的请说明改正方法。图中电容对交流信号可视为短路。 （A）集电极）集电极C2错误，其将输出信号旁路。应取消错误，其将输出信号旁路。应取消

18、C2。（B)电路不符合发射结正偏，集电结反偏原则。可将晶体电路不符合发射结正偏，集电结反偏原则。可将晶体管换成管换成NPN管（或将电源电压极性取反，但同时要更改管（或将电源电压极性取反，但同时要更改电解电容的极性）。电解电容的极性）。（A)输入信号在基极被旁路。输入信号在基极被旁路。去掉去掉C2。（B)电路发射结不满足正向偏电路发射结不满足正向偏置。可将置。可将C1移至移至R1、R2节点前。节点前。（C)C)集电极集电极C2C2错误，其将输出错误，其将输出信号旁路。应取消信号旁路。应取消C2C2。 四四. . 三种组态特点与应用三种组态特点与应用 1 1简述射极输出器的特点与应用简述射极输出器

19、的特点与应用 特点特点: :输入输出同相，输出电压跟随输入电压输入输出同相，输出电压跟随输入电压, , 输入电阻较大，输出电阻很小，带负载能力强。输入电阻较大，输出电阻很小，带负载能力强。 应用：应用： 1.1.将射极输出器放在电路的首级，可以提高输入电阻。将射极输出器放在电路的首级，可以提高输入电阻。2.2.将射极输出器放在电路的末级，可以降将射极输出器放在电路的末级，可以降 低输出电低输出电阻，提高带负载能力。阻，提高带负载能力。 3.3.将射极输出器放在电路的两级之间，可以起到电路将射极输出器放在电路的两级之间，可以起到电路的匹配作用。的匹配作用。，1uA 2 2 简述共发射极放大电路的

20、性能特点与应用简述共发射极放大电路的性能特点与应用 特点特点: : 输出信号和输入信号相位相反；输出信号和输入信号相位相反； 有电压放大作用，有电流放大作用；有电压放大作用，有电流放大作用； 功率增益最高（与共集组态和共基极组态比较）；功率增益最高（与共集组态和共基极组态比较）； 应用：应用： 适用于电压放大与功率放大电路。适用于电压放大与功率放大电路。，1uA 3 3 比较晶体管放大电路的三种组态特点与应用比较晶体管放大电路的三种组态特点与应用共射电路：电压和电流放大倍数均大，输入输出电压共射电路：电压和电流放大倍数均大，输入输出电压相位相反，输出输出电阻适中。常用于电压放大。相位相反，输出

21、输出电阻适中。常用于电压放大。共集电路：电压放大倍数是小于且接近于共集电路：电压放大倍数是小于且接近于1 1的正数，的正数，具有电压跟随特点，输入电阻大，输出电阻小。常作具有电压跟随特点，输入电阻大，输出电阻小。常作为电路的输入和输出级。为电路的输入和输出级。共基电路：放大倍数同共射电路，输入电阻小，频率共基电路：放大倍数同共射电路，输入电阻小，频率特性好。常用作宽带放大器。特性好。常用作宽带放大器。五、分析计算五、分析计算 电路如图电路如图,V,VCCCC=12V,=12V,三极管三极管=100=100，V VBEQBEQ=0.7V=0.7V。试估。试估算：（算：（1)1)静态工作点静态工作

22、点Q (IQ (IB B,I,IC C,U,UCECE);(2);(2)画出微变等效电画出微变等效电路；（路；（3 3）电压放大倍数）电压放大倍数A AV V ; (4) ; (4)放大电路输入电阻；放大电路输入电阻；（5 5）放大电路的输出电阻。）放大电路的输出电阻。 静态工作点计算 VB=VCC *Rb2 /(Rb1+Rb2) =12*10/(20+10) =4V IE=(VB-VBEQ)/Re =(4-0.7)/2 =1.65mA IC=IE=1.65mA IB=IC/=16.5uA UCE=VCC-IC*(RC+Re)=5.4VAv=-*(RC/RL)/rbe =-100*(2/3.9

23、)/1.89 =-70Ri=Rb1/Rb2/rbe =1.5kRo=Rc =2krbeRCRLoUiUiIbIcIbIRB左图的微变等效电路左图的微变等效电路kIr89. 1)mA()mV(26)1 (300EQberbeRCRLoUREiUiIbIcIbIRBEbeLuRrRA)1 ()1 (/EbeBiRrRrCoRr 需仔细比较两图差别，需仔细比较两图差别，区别错误，避免做错损区别错误，避免做错损失失 VBB=VCC *R2 /(R1+R2) =2V IE=(VBB-VBEQ)/Re =0.87mA IC=IE=0.87mA IB=IC/=8.7uA UCE=VCC-IC*(R3+R4)

24、 =6.6VrbeRCRLoUiUiIbIcIbIRB微变等效电路微变等效电路Av=-*(RC/RL)/rbe =-100*(4.7/47)/3.3 =-128kIr3.3)mA()mV(26)1(300EQbe Ri=Rb/rbe=10/50/3.3 =2.37k Ro=Rc=4.7k实例实例，=120，UBEQ=0.7V，Rb1=100k, Rb2=25k, Rc=5k, Re=1.2k, RL=5k,VCC=15V。求求:(1)三极管的静态工作点三极管的静态工作点Q (IB,IC,UCE). (2)三极管的rbe.解：（解：（ 工作点计算方法同上）工作点计算方法同上）VBB=VCC*Rb

25、2/(Rb1+Rb2) =15*25/(100+25) =3VIE=(VBB-VBEQ)/Re =(3-0.6)/1.2 =2mAIC=IE=2mA IB=IC/=20uAUCE=VCC-IC*(RC+Re)=4.6VkIr6 . 1)mA()mV(26)1 (300EQbe 图示电路中，=100，Rb1=100k, Rb2=25k, Rc=5k, Re=1.2k, RL=5k, rbe=1k，VCC=15V。求：（1）电压增益Au；（2）输入电阻Ri和输出电阻Ro。 rbeRCRLoUREiUiIbIcIbIRBEbeLuRrRA)1 ()1 (/EbeBiRrRrCoRr 放大电路的输入电

26、阻越大，从信号源吸收的放大电路的输入电阻越大，从信号源吸收的电流电流 越越小小 。 放大电路的输出电阻越小，电路的带负载能力放大电路的输出电阻越小，电路的带负载能力 越越强强 。 多级放大电路的电压增益等于多级放大电路的电压增益等于 各级增益乘积各级增益乘积 。第三部分第三部分 集成电路基础集成电路基础 一、集成电路组成一、集成电路组成 1. 集成运算放大器输入级和输出级电路及采用的集成运算放大器输入级和输出级电路及采用的理由。理由。 输入级采用差分电路，目的是抑制零点漂移。输入级采用差分电路，目的是抑制零点漂移。 输出级采用射极输出器或互补对称功放电路，目输出级采用射极输出器或互补对称功放电

27、路，目的是具有较强的带负载能力。的是具有较强的带负载能力。 2.理想运放的主要性能指标及特点。理想运放的主要性能指标及特点。 A.开环电压放大倍数开环电压放大倍数Avo=； B.差模输入电阻差模输入电阻ri=； C.输出电阻输出电阻ro=0； D.共模抑制比足够大。共模抑制比足够大。3. 集成运放有几部分组成？说明各部分电路的集成运放有几部分组成？说明各部分电路的作用。作用。由差分输入级、电压放大级、输出级和偏置电由差分输入级、电压放大级、输出级和偏置电路构成。差分输入级抑制零点漂移，电压放大路构成。差分输入级抑制零点漂移，电压放大级负责高增益，输出级实现带负载能力强，偏级负责高增益，输出级实

28、现带负载能力强，偏置电路向各级电路提供稳定偏置电流。置电路向各级电路提供稳定偏置电流。uuu电压放大级输出级偏置电路uo+差动输入级uu- 二、差分放大器二、差分放大器 1.1.零点漂移的产生原因是零点漂移的产生原因是 温度温度 。解决零点漂移的。解决零点漂移的有效方法是采用有效方法是采用差分放大电路差分放大电路。 2.2.共模抑制比共模抑制比K KCMRRCMRR越大，表明电路越大，表明电路 抑制零点偏移能力抑制零点偏移能力越强越强 。带恒流源的差分放大电路，将使单端输出时的带恒流源的差分放大电路，将使单端输出时的共模抑制比共模抑制比 增大增大。 3.3.电流源电路在集成运放中常作为偏置电路

29、，作用是电流源电路在集成运放中常作为偏置电路，作用是 提供偏置电流，抑制零点漂移提供偏置电流，抑制零点漂移 。 4.4.差分放大电路有差分放大电路有 4 4 种输入输出应用方式。差分种输入输出应用方式。差分放大电路的差模电压增益与放大电路的差模电压增益与 输出输出 应用方式有关。差应用方式有关。差分放大电路的差模电压增益与分放大电路的差模电压增益与 输入输入应用方式无关。应用方式无关。放大器输出输入取+ 加强输入信号 正反馈 用于振荡器取 - 削弱输入信号 负反馈 用于放大器开环闭环反馈网络叠加反馈信号实际被放大信号反馈框图： 第四部分第四部分 反馈电路与分析反馈电路与分析 1 1、为了展宽频

30、带，应在放大电路中引入（、为了展宽频带，应在放大电路中引入（ ）。）。 A. A. 电流负反馈电流负反馈 B.B.电压负反馈电压负反馈 C.C.直流负反馈直流负反馈 D.D.交交流负反馈流负反馈 2 2、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（ ）负反馈。）负反馈。 A.A.电流负反馈电流负反馈 B.B.电压负反馈电压负反馈 C.C.直流负反馈直流负反馈 D.D.交交流负反馈流负反馈 3 3、负反馈使放大电路增益下降，非线性失真、负反馈使放大电路增益下降，非线性失真( )( )。 A. A. 增大增大 B.B.减小减小 C.C.不变不变 D.D.不确定不

31、确定负反馈的作用 稳定静态工作点；稳定放大倍数；改变输入电阻和输出电阻；扩展通频带;减少非线性失真。电压反馈：电压反馈：反馈信号取自输出电压信号。反馈信号取自输出电压信号。电流反馈：电流反馈：反馈信号取自输出电流信号。反馈信号取自输出电流信号。根据反馈所采样的信号不同，可以分为电压反馈和电流根据反馈所采样的信号不同，可以分为电压反馈和电流反馈。反馈。电压负反馈：电压负反馈：可以稳定输出电压、减小输出电阻。可以稳定输出电压、减小输出电阻。电流负反馈电流负反馈：可以稳定输出电流、增大输出电阻。可以稳定输出电流、增大输出电阻。电压反馈一般从后级放大器的集电极采样。电流反馈一般从后级放大器的发射极采样

32、。并联反馈的反馈信号接于晶体管基极。串联反馈的反馈信号接于晶体管发射极。电路如题图所示，电路引入( )负反馈。A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联电路如题图所示，电路引入( )负反馈。A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联电路如题图所示，电路引入( )负反馈。A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联同相比例运算电路同相比例运算电路u-= u+= uii1=if （虚断）虚断）foi1i0RuuRu 因为有负反馈，因为有负反馈，利用虚短和虚断利用虚短和虚断反馈方式：反馈方式：uu+A+ouu+fiRf1iR1Ri电压放大倍数电压放大倍数:1fio1

33、RRuuA第五部分第五部分 集成电路应用集成电路应用Au=1电压跟随器电压跟随器此电路是同相此电路是同相比例运算的特殊比例运算的特殊情况，输入电阻情况，输入电阻大，输出电阻小。大，输出电阻小。在电路中作用与在电路中作用与分立元件的射极分立元件的射极输出器相同，但输出器相同，但是电压跟随性能是电压跟随性能好。好。uuo+uA+uiui=u+= u-= uo因为有负反馈，因为有负反馈，利用虚短和虚断：利用虚短和虚断：叠加原理叠加原理差动减法器差动减法器 仅 ui1作用作用i11fuRRuo 仅 ui2作用作用i22331f)1 (uRRRRRuo uuui1+f+R3uAuRoR1+R2i2i22

34、331fi11f)1 (uRRRRRuRRuo差动减法器差动减法器i22331fi11f)1 (uRRRRRuRRuo231fRRRR 若若uuui1+f+R3uAuRoR1+R2i2)(i1i21fuuRRuo则有：则有： 集成运放工作在线性应用时，必须在电路中引入 负 反馈。集成运放工作在非线性应用时，必须在电路中引入 正 反馈或开环状态。 微分 运算电路可以实现将方波转换成尖脉冲波。 图示电路是（图示电路是（ ）电路。）电路。 A.微分电路微分电路 B.积分电路积分电路 C.指数电路指数电路 D.对数电对数电路路 图示电路是（图示电路是（ ）电路。）电路。 A.微分电路微分电路 B.积分

35、电路积分电路 C.指数电路指数电路 D.对数电对数电路路 电路如图所示，电路如图所示，R1=2 k,R2=2k,R3=2kR1=2 k,R2=2k,R3=2k。试问：若。试问：若以稳压管的稳定电压以稳压管的稳定电压U UZ Z (6V) (6V)作为输入电压，则当作为输入电压，则当R R2 2的的滑动端位置变化时，输出电压滑动端位置变化时，输出电压U UO O的调节范围为多少？的调节范围为多少？ 解：解： 输出电压取决于放大倍数输出电压取决于放大倍数A A 当电位器抽头在最右边，当电位器抽头在最右边，A A最小最小 输出电压最小输出电压最小Uo=UzUo=Uz* *1+R3/(R1+R2)=6

36、1+R3/(R1+R2)=6* *(1+2/4)=9V(1+2/4)=9V 当电位器抽头在最左边时，当电位器抽头在最左边时， A A最大最大 输出电压最大输出电压最大Uo=UzUo=Uz* *1+1+（R3+R2R3+R2）/R2=6/R2=6* *(1+4/2)=18V(1+4/2)=18V 输出电压输出电压UOUO的调节范围为的调节范围为918V918V。 一个可调的电压基准电路如图所示，一个可调的电压基准电路如图所示，A A为理想运放。为理想运放。计算输出电压的可调范围。计算输出电压的可调范围。 解：根据理想运放特性解：根据理想运放特性 Uo=U-=U+ 即输出电压取决于同即输出电压取决

37、于同 相输入端对地电压相输入端对地电压 当电位器抽头在最当电位器抽头在最 上方时，抽头对地电压上方时，抽头对地电压 U+=5*（10+5）/(10+5+10)=3V 当电位器抽头在最下方时，抽头对地电压当电位器抽头在最下方时，抽头对地电压 U+=5*10/(10+5+10) =2V 输出电压的可调范围为（输出电压的可调范围为（2-3V) 电路如图，R1=2 k,R2=2k,R3=4k，Rf=4k。求输出与输出关系表达式。 i22331fi11f)1 (uRRRRRuRRuo231fRRRR)(2)(i1i2i1i21fuuuuRRuo 1.1. 甲类、乙类和甲乙类功放的特点。甲类、乙类和甲乙类

38、功放的特点。 甲类功放效率低，不存在交越失真。甲类功放效率低，不存在交越失真。 乙类功放效率高，但存在交越失真。乙类功放效率高，但存在交越失真。 甲乙类功放效率较高，消除了交越失真。甲乙类功放效率较高，消除了交越失真。 2.2.什么是交越失真？什么电路中会出现？如何克服？什么是交越失真？什么电路中会出现？如何克服？ 出现在交变信号过零处的失真现象成为交越失真；乙类功放电出现在交变信号过零处的失真现象成为交越失真；乙类功放电路会出现交越失真；将工作点从乙类调整为甲乙类状态可以克路会出现交越失真；将工作点从乙类调整为甲乙类状态可以克服交越失真。服交越失真。 3.3.功率放大器的主要技术有哪些要求？功率放大器的主要技术有哪些要求？ 电源提供的能量尽可能地转换给负载，以减少晶体管及线路上电源提供的能量尽可能地转换给负载，以减少晶体管及线路上损失。注意提高电路的效率（损失。注意提高电路的效率（ ）。）。 具有足够大的输出功率具有足够大的输出功率, ,线性失真尽可能小。线性失真尽可能小。 极限工作的散热与保护问题。必须注意电路参数不能超过晶体极限工作的散热与保护问题。必须注意电路参数不能超过晶体管的极限值。管的极限值。第六部分第六部分 功率放大电路功率放大电路典型互补对称功率放大电路 T1：电压推动级 T1、R1、R2： UBE倍增电路 T3、