前后清洗总结

1、 前后清洗总结 前清洗【清洗制绒】一、制绒流程单晶：预处理制绒（NaOH）酸洗（HF，HCL）热水慢提拉热水烘干多晶：制绒漂洗碱洗漂洗酸洗漂洗烘干二、原理单晶：利用碱（NaOH)、异丙醇（IPA）与睡的混合液对单晶硅片的各项异性腐蚀，在表面形成类似“金字塔”状的绒面，有效增加硅片对入射太阳光的吸收，从而提高光生电流密度。多晶：由于多晶晶体排列杂乱，无法利用碱液对硅晶体的各项异性腐蚀进行制绒，所以要用酸溶液对硅晶体进行各项同性腐蚀。即通过硝酸与氢氟酸的混合溶液对硅片表面腐蚀进行制绒。三、影响制绒面质量的关键因素单晶：碱的浓度、反应温度、添加剂浓度、IPA浓度、NaSiO3浓度、体系流动性、硅片表

2、面原始状态。多晶：HF浓度、制绒温度、腐蚀时间、制绒液寿命、反应连续性、HNO3浓度、溶液流动性、原硅片表面损伤层状态。四、监控手段单晶：减薄量、反射率、绒面尺寸、颜色一致性、扩散后外观多晶：减薄量、反射率、网纹等级、扩散后外观五、用到的化学品单晶：NaOH、HF，HCL（酸洗）、IPA（异丙醇）多晶：NaOH（碱洗）、HCL+HF（酸洗）、HNO3（硝酸）六、硅片表面处理的目的1、去除硅片表面的机械损伤层（来自硅棒切割的物理损伤）2、清楚表面油污和金属杂质3、形成起伏不平的绒面，增加对太阳光的吸收，增加PN结面积，提高短路电流（ISC),最终提高电池转换效率。七、预处理目的：去除硅片表面的机

3、械损伤层，油污等，减少白斑、白点的产生，为制绒创造一个良好的反应环境。漂洗：利用去离子水将硅片表面的残留化学品漂洗干净。八、单晶碱制绒会出现哪些不良及相应处理色差：由于反应速率不一致引起的绒面大小不一。发白：表面清洗剂残留阻碍反应，而发白部分绒面极小。划痕：切片损伤指纹印：主要为操作问题及所使用的手套问题。雨点：反应较快，产生的氢气泡不能及时排出。9、 前后清洗有哪些槽制绒槽、碱洗槽、酸洗槽。10、 影响腐蚀量的因素溶液温度、反应时间、溶液浓度。后清洗【刻蚀】1、 刻蚀目的去除扩散后硅片四周的N型硅，防止漏电。2、 原理：SiO2+6HFH2SiF6+2H2O在扩散工艺中，在硅片表面形成一种含

4、有磷元素的二氧化硅磷硅玻璃，利用HF能够溶解二氧化硅的特性，溶解表面的二氧化硅和磷的混合物，使得硅片表面上下绝缘，防止漏电。3、 工艺流程上料刻蚀水洗碱洗水洗酸洗水洗风干下料4、 刻蚀所用的化学品硝酸（HNO3）、氢氟酸（HF）、硫酸（H2SO4）、氢氧化钠（NaOH）5、 各槽的作用刻蚀槽：硝酸将硅氧化生成二氧化硅，氢氟酸与二氧化硅的反应生成物进入溶液，硫酸不参加反应，增大溶液的粘度，增大溶液与PSG薄层间的张力和溶液的密度。碱槽：中和硅片残留的酸液，去除多孔硅。HF槽：去磷硅玻璃、中和硅片表面残留的碱液。水洗槽：洗去硅片表明残留液。6、 去磷硅玻璃（P、P2O5、SiO2）目的：磷硅玻璃的

5、存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。：死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了VOC和ISC。磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。7、 质量控制点1、 减薄量（一天测一次）a、 前清洗（制绒前-制绒后）单：0.450.78g多：0.360.42gb、后清洗（刻蚀前-刻蚀后）单：0.050.07g多：0.060.08g2、 反射率（一天测多次）单：10.3511.65（一天测三次，一次拿三片）（4、5、7、8、10）多：24.526.5（一天测五次，一次拿五片）3、 边阻（一次）1.5K 正常0.8K1.5K调整 0.8K停产注：前清洗

6、要测减薄和反射率 后清洗要测减薄和边阻值扩散学习报告1、 扩散的目的：形成PN结PN结的制造：不是两块P型和N型的半导体接触必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，一部分是N型区域在晶体内部实现P型和N型半导体的接触2、 影响扩散的因素(1) POCl3浓度 （2）扩散温度 （3）扩散时间N型区域磷浓度和扩散结深共同决定着方块电阻的大小方块电阻：表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。即是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。标志扩散到半导体中的杂质总量的一个重要指数。3、 扩散的原理（三氯氧磷在600高温下分解生成五氯化磷和五氧化二磷）化学反应：POCl3在高温下（

7、600）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5)4、 扩散的操作流程上料插片进舟扩散推舟在线测方块电阻卸片。注：测试如有偏差，按工艺规定在四探针测试仪上进行离线测试，如离线测试确认偏差应及时反馈技术进行调整。5、 测量方块电阻方法：在线测试仪器Semilab 离线测试仪器四探针测试仪如果发现方阻不正常的片子该怎么做？超OOC（控制限）反馈技术调整超OOS(规范限）反馈技术6、 扩散的工艺多晶UNIF90A中心值905 警戒线80和100单晶MONO70B中心值805 警戒线70和90超OOC，反馈技术调整，并跟踪调整的结果。超OOS，反馈技术若需换源手动则可流入下道工序，若其他原因

8、则返工。7、 单多晶扩散返工挑选标准单晶：方阻异常和严重烧焦、石英舟舟印、卡齿印多晶：方阻超范围、扩散不完全或烧焦。注：常用的扩散方法有三种我公司采用三氯氧磷（P0Cl3）液态源扩散方式。巡检在扩散过程中抽测时应注意单晶和多晶、一二线、三四线、五六线的抽片顺序。PECVD学习报告1、 PECVD：全称为“Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositien”即等离子增强型化学气相沉积。解释：PECVD是借助微波反射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。2、 目的：（一）镀减反射薄膜可

9、以有效降低光的反射率。 （二）表面钝化作用增加少子寿命，进而增加3ISC和VOC。 即在表面形成一道膜，有助于在烧结中保护PN结。3、 原理：3SiH4+4HN3Si3N4+12H2沉积工艺中产生的H和氢离子使得晶片的氢钝化性良好，根据改变硅烷（SiH4）对氨的比率，来得到不同的折射指标。4、 工艺及折射率单晶L3、L4 SN2 2.070.04/0.05多晶L1、L2、L5、L6 N6 2.230.04/0.05五、PECVD异常案例分析1、 镀膜后整舟色差片原因：舟使用次数超过工艺规定的使用次数措施：按工艺要求舟使用的次数或镀膜出现差片时进行清洗巡检：关注舟使用次数，镀膜后是否出现批量色差片 查看舟使用记录，填写是否规范 查看洗舟房石墨舟清洗记录表记录是否完善，清洗烘干时间是否按照工艺要求执行，清洗吹干后是否进行拆洗。2、 镀膜出现整舟金黄片原因：返工片重新镀膜，工艺时间输入出错，造成二次镀膜。措施：由于技术员输入返工片的镀膜时间巡检：巡查时关注返工片的类型和