开关电源EMI整改经验总结_第1页
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文档简介

1、开关电源EMI整改绕验总结整理：柏自飞一. 1MHZ以内，以差模干扰为主。（整改建议）1. 增大X电容量；2. 添加差模电感；3. 小功率电源可采用PI型滤波器处理（建议靠近变压器的电解电容可 选用较大些）。二. 1MHZ-5MHZ差模共模混合，采用输入端并联一系列 X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，（整改建议）1. 对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量；2. 对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；3. 也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107 对普通整流二极管1N4007。三. 5M 以上，以共摸干扰为主，采用抑制共摸

2、的方法（整改建议）1. 对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干 扰有较大的衰减作用；可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。四. 20-30MHZ ,（整改建议）1. 对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变 Y2电容位置；2. 调整一二次侧间的 Y1电容位置及参数值；3. 在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕 组的排布。4. 改变 PCB LAYOUT5. 输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；6. 在输出整流管两端并联 RC滤波器且调整合理的参数；7. 在变压器与MOSFE之间加

3、BEAD CORE8. 在变压器的输入电压脚加一个小电容。9. 可以用增大 MOS驱动电阻.五. 30-50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起。（整改建议）1. 可以用增大 MOS驱动电阻；2. RCD缓冲电路采用1N4007慢管；3. VCC供电电压用1N4007慢管来解决；4. 或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；5. 在MOSFET勺D-S脚并联一个小吸收电路；6. 在变压器与MOSFET间加BEAD CORE7. 在变压器的输入电压脚加一个小电容；8. PCB心LAYOUT寸大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的 小;9. 变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电

4、路环尽可能的小。10. 50-100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起。11. 可以在整流管上串磁珠；12. 调整输出整流管的吸收电路参数；13. 可改变一二次侧跨接 Y电容支路的阻抗，如 PIN脚处加BEAD CORE 或串接适当的电阻；14. 也可改变MOSFET输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡 MOSFET铁夹卡DIODE改变散热器的接地点）；15. 增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。200MHZ以上，开关电源已基本辐射量很小，一般均可过EMI标准。补充说明:开关电源咼频变压器初次间一般是屏蔽层的，以上未加缀述。开关电源是咼频产品，PCB的元器件布局对 EMI有直接关系，MOS漏极铜箔走线环路尽可 能短粗，开关电源若有机

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