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文档简介

1、镀硬铬故障分析:铬沉积速度太慢(1)可能原因:挂具设计不合理 原因分析:详见装饰性镀铬故障分析:深镀能力差,工件的 深凹处镀不上铬层的原因分析及处理方法( 8)。 处理方法:重新设计合理的挂具,保证导电截面积(2)可能原因:导电触点接触不良 原因分析:在电镀生产过程中,常常会出现电流开不上去或 慢慢自动下降,此类异常主要是有镀槽日常清洁维护不善, 造成线路电阻和镀液欧姆电阻增大而引起的,比如:a. (阴)阳极铜棒和端头接线处,锈蚀严重,接触不良;b. 端头接线与整流器的接线柱接触不良,锈蚀;c. 阴极导电杆、 阳极导电杆、 挂具的挂钩、 阳极挂钩等锈蚀、 不洁,接触不良。以上现象都会造成接触电

2、阻过大,电流损 耗大,槽电压升高,严重时都会出现断电现象。 处理方法: a. 合理选择铜排及断线的规格,保持电流允许通 过,导电良好;b. 安装时,将街头的接触面用砂纸打磨平整,保证足够接触 面积,涂导电膏紧固安装后,封玻璃胶,以减缓锈蚀,保证 导电良好;c. 加强导电极杆、导电触点、挂具挂钩等的维护保养,定期 擦拭、清理,保证接触充分、导电良好;d. 加强对整流机的维护保养,定期对仪器、仪表进行校核。 在此需要强调的是,挂具与导电极杆之间,必要时采用紧固 的办法保证导电效果。(3)可能原因:真实电流密度小 原因分析:表面积计算错误 处理方法:重新计算表面积,按工艺规范设定电流值(4)可能原因

3、:铬酐含量过高 处理方法:稀释镀液,分析调整镀液成分,控制 Cr03 : SO42-=100:1(5)可能原因:硫酸含量过高 处理方法:分析调整镀液成分,控制 Cr03 :SO42-=100:1 (6 )可能原因: Cl 一过多 原因分析:氯离子能降低镀铬液的分散能力和覆盖能力。当 氯离子含量达到 0.02g/L 以上时,从低电流密度部位出现乳 灰色烧焦层, 基体金属易腐蚀; 当氯离子含量大于 0.1g/L 以 上时,镀铬液的覆盖能力下降,破坏阳极的二氧化铅 (Pb02) 并腐蚀阳极,铬层裂纹增多,光亮度降低,出现云雾状的花 斑,对设备及零件镀不上铬的部位腐蚀性增大;当氯离子含 量大于 2g/

4、L 以上时, 只能得到黑灰色无光的镀层, 所以应控 制C1 一 0.02g/L。氯离子主要来源于自来水以及清洗不净 的镀镍工件等,故镀铬前的清洗及配制镀铬液时最好采用去 离子水或蒸馏水,尤其是在镀铬前的酸活化,若清洗不能保 证的情况下,避免使用盐酸,而使用硫酸 处理方法一:阳极电解处理法 氯离子在高电流密度条件下, 在阳极氧化为氯气2C1-2e- CI2 T处理条件:a.阳极电流密度大于 40A/dm2 ;b.镀铬液温度为6070 C;c .不断搅拌镀液 (利于阳极产生的氯气及时析出 )。开始电解lh,氯离子降低较为明显,但此法不能彻底除去氯 离子。处理方法二:银盐沉淀法根据 Cl 一和 Ag

5、 反应,能生成溶 度积较小的 AgCl 沉淀,所以可以用银盐除去 Cl 一。但用哪 种银盐为好呢 ?因为硝酸银含有硝酸根,硫酸银会使镀铬液 中硫酸根含量升高,所以一般用碳酸银2HCI + Ag2C03 2AgCI J+ C02T H20可以用硝酸银和碳酸钠制备碳酸银2AgN03 + Na2C03 = 2Ag2C03j+ 2NaN03 制得的碳酸银沉淀, 需用温水洗涤 3 5 次,彻底除去 NO3- 后,才能使用。理论上每除去 1g 氯离子,需 3.9g 碳酸银, 而实际用量比理论值要高 3 4 倍,成本较高, 一般不采用。(7)可能原因:NO3-过多 原因分析:在镀铬液中,硝酸根离子最有害,当

6、镀铬液中 NO3->0.1g/L 时,铬层灰暗,失去光泽;镀液的深镀能力 和阴极电流效率降低;工作电流密度范围缩小;对铅阳极及 其他铅材设施腐蚀性增大。当 NO3->1g/L 时,在正常的 电流密度下,阴极上难以得到铬层,即使升高电流密度,也 只能得到灰黑色的镀层。处理方法一:电解法 (NOa 的杂质含量低 )以每升电镀液 1A 电解处理。处理方法二:电解法 (NOa 的杂质含量较多 )。a. 加入计算量的 BaC03 ,除去镀液中 SO42- ,使铬不能在阴 极上沉积,有利于 NO3- 在阴极上还原;b. 将镀铬液加热至6580 C;c. 设定阴极电流密度在 1020A/dm2之间,进行大电流电解,使 NO3- 在阴极上还原为 NH3 除去,直至镀铬液正常,阴极 反应为NO3-+9H+9e 一 NH3f +3H20d. 分析调整镀液成分后,试镀。上一篇:镀硬铬故障分析:镀铬层在磨光时发生爆裂现 .下 一篇:镀硬铬故障分析:工件局部镀不上铬,并产生 .相关技术应用工艺 2015 年 04 月 13应用工艺 2015 年 03 月 30应用工艺 2015 年 03 月 27应用工艺 2015 年 03 月 17应用工艺 2015 年 03

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