电力电子填空

1、1、 为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在幵关状态。当器件的工作频率较高时，_幵关损耗会成为主要的损耗。2、 在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为 _载波比，当它为常数时的调制方式称为一同步调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为分段同步调制 制。3、面积等效原理指的是，冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_MOSFET，单管输出功率最大的是 应用最为广泛的是_IGBT。5、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控

2、整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 根号6，其承受的最大正向电压为根号2。6、 逆变电路的负载如果接到电源，贝V称为有源逆变逆变，如果接到负载，则称为 无源 逆变。7、 _GTR 存在二次击穿现象,IGBT在擎住现象。8功率因数由和这两个因素共同决定的。9、 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压措施。10、 同一晶闸管，维持电流I h与掣住电流I l在数值大小上有II Iho11、电力变换通常可分为:AC-DC、 AC-AC、 DC-DC和 DC-AC12、在下图中，_V1和_VD1勾成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；V2_

3、和_VD2勾成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行，工作于_第2,象限。13、请在正确的空格内标出下面元件的简称必UL0I1丨L *1电力晶体管GTR;可关断晶闸管 GTO；功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是 MOSFETGTR的复合管。14、 晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。15、 多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方是串专用均流电抗器。正弦波波，输出电流16、在电流源型逆变器中，电机负载，输出电压波形为波形为 矩形波波。17、三相桥式逆变电

4、路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个幵关管间进行，称为。导电型18、当温度降低时，晶闸管的触发电流会减小正反向漏电流19、 由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为iTn等于倍|T(AV),如 果IT( AV)=100安培，则它允许的有效电流为 安培。通常在选择晶闸管时还要留出倍的裕量。20、三相桥式全控整流电路是由一组共 极三只晶闸管和一组共极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔 换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通 度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有只晶闸管同时导通，一个是共 极的，另一个是共 极的元件，且要求不是的两个元件。21、为了减小变

5、流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为与两大类。22、 提高变流置的功率因数的常用方法有 、几种。23、 三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围 ，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 。24、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有 与。25、 选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以 。26、 晶闸管的导通条件是。27、晶闸管的断态不重复峰值电压 Udsm与转折电压Ubo在数值大小上应为Udsm_小于Ubo。28、 从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有 的特性。29、 把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为

6、 。30、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是触发方法。31、 可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。33、 三相桥式整流电路中，当控制角a= 30时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。34、 考虑变压器漏抗的可控整流电路中， 如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值。35、 有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回 的逆变电路。36、 有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须保证与直流电源电势Ed的极性成相连，且满足|Ud|v|Ed|。38、载波比（又称频率比）K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为 fr,三角波

7、的频率为fc,则载波比表达式为K=。39、 抑制过电压的方法之一是用 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。40、 斩波器的时间比控制方式分为 、三种方式。41、晶闸管的内部结构具有 端、层、个PN结。42、 在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是极。43、 晶闸管的关断条件是 。44、 额定电流为100A的晶闸管，流过单向正弦全波时的最大可能平均电流是。45、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极为何种极性触发电压，管子都将工作在状态。46、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为。47、 在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相

8、差 。48、 在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角 时，电流连续。51、 三相半波可控整流电路，供电变压器每相漏感折合到次级的Lb为100H，直流负载电流ld= 150A，则换相压降 Uy=。52、 将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接输出到 的过程 称为无源逆变。53、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，当an 12时，电流主要是依靠电动势Ed来维持的，所以总的能量是电动机回馈给 。55、 在无源逆变与直接斩波电路中，都必须设置换流 ，强迫导通的晶闸 管可靠关断。56、 晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流 。58、晶闸管是三端器件，三个引出电极分

9、别为：阳极、阴极和 极。59、 晶闸管的额定电流是用在一定条件下的 电流来标定。60、 为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的电压。61、 同一晶闸管，维持电流Ih与擎住电流Il的数值大小上有IlIh。62、某晶闸管的型号为 KP200-5，其中200表示，5表示。63、 从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为 。64、 为了保证三相全控桥电路能启动工作，触发脉冲必须采用 或。65、 三相半波整流电路有 和两种接法。66、 三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120为间隔，依次在半周触发共阴极组的各晶闸管。67、 电阻性负载三相桥式可控整流电

10、路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于，设 U2为相电压有效值。68、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器工作于有源逆变状态时，需使控制角 an /2,同时|Ed|Ud|。70、 电压型逆变器其中间直流环节以 贮能。71、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的 RC电路是措施。72、 晶闸管的三个电极分别是 、。73、 选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大 倍，使其有 一定的电压裕量。74、 当晶闸管加上正向 后，门极加上适当的 电压，使晶闸管导通的过程，称为触发。75、晶闸管和负载R串联，接在正弦交流电源上，晶闸管的额定电流为100A，如果导电角为90,

11、允许通过的最大电流平均值是 。76、 晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的 。77、 电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压Utm等于 （设U2为相电压有效值）。78、在三相可控整流电路中 , a 0的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点，它距对应线电压波形的原点为 。79、 三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角 时，电流连续。80、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值。81、 逆变器可分为无源逆变器和逆变器两大类。82、 在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源势 相连。83、 变流器换流的方式有 和两种。84、 晶闸管串联时，给每只管子

12、并联相同阻值的电阻R是措施。85晶闸管除了在门极触发下可能导通之外，在以下几种情况下也可能被触发导通：阳极电 压升高至相当高的数值造成 效应；阳极电压过高；结温较高和光触发。但只有是最精确、迅速而可靠的控制手段。对于其它几种情况，在晶闸管的应用中要采取措施防止因其造成晶闸管误导通。86、 在PWM控制电路中，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为制和制，制方法克服了以上二者的缺点。87、 设 DC/DC 变换器的 Boost 电路中，E=10V，0=0.5,贝U Uo=。88、 整流电路中变压器漏抗对电路的影响是 、_、。89、换流的方式有 、 全控型器件用式换流90

13、、电力电子器件在实际应用中应采取的主要保护措施有: 、。91、 防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是 。92、 电力电子器件的主要类型有 ，。93、 晶闸管导通必须同时具备的两个条件，在晶闸管阳极与阴极加足够 ，控制极加适当的正向电压作为晶闸管导通的 。94、 通态平均电流平均值也称 。95、 KP600-20G表示额定电流为 ，管压降为0.9V的。96、单相可控整流电路中，把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电度角称为。97、 三相半波整流电路电阻负载时的 a移相范围为。98、三相全控是整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一个在共阳极组，才能保证有效的电流通路，其

14、导通顺序为 。99、 在晶闸管单相可控整流电路中“逆变”的含义是 。100、 在可控整流电路中，最小逆变角的范围是 。101、晶闸管触发电路中，脉冲具有足够的移相范围，三相全控桥式整流电路电阻负载要求移相范围 ，电感性负载（电流连续） ，三相桥式可逆变线路在反电势负载下，要求移相范围为 。102、 在半控型器件和全控型器件中，IGBT，各代表的什么器 件的晶体管。103、逆变失败的原因有：触发电路工作不可靠，不能适时准确的发出触发脉冲； ;晶闸管质量不高或参数裕量不足； 。104、 在晶闸管的电流额定中，通态平均电流|Ta=，|T=。105、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围0o

15、-150o，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围0o-120 o,三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围0o-150。106、 变流技术也称为电力电子器件的应用技术。107、 电力电子技术诞生于 1957年，是以美国通用电气公司研制出第一个晶闸管 为 标志的。108、 通常所用的电力有直流 和 交流 两种。109、 1947年，美国著名的贝尔实验室发明了晶体管。110、 迄今为止，用于制造电力电子器件的半导体材料仍然是硅。111、 在电化学工业中，电解铝、电解实验室等都需要大容量的整流电源。112、 经多年研究，能够制造电力电子器件的新材料，有碳化硅、氮化镓 、砷化镓 、 金刚石等。113、

16、 在磁悬浮列车中， 技术是一项关键技术。114、 相位控制方式和斩波控制方式分别简称为相控和斩控。115、 目前， 碳化硅以其优越的性能已经获得了广泛的应用。116、 在电气机车中，直流机车采用 装置，交流机车采用 装置。117、 通常把交流电变成直流电称为整流，而把直流电变成交流电称为逆变。118、 有源逆变和无源逆变的区别仅仅在于变流电路的交流侧是否与电网连接。119、 以前的电梯大都采用直流调速系统，而近年来变频调速已成为主流。120、 电力电子电路的换流方式可分为以下四种： 换流、换流、换流、换流。121、 逆变电路根据直流侧电源的性质分类，可以分为电压型逆变电路和电流 型逆变电路。1

17、22、变频 空调器 是家用电器中应用电力电子技术的典型例子。123、软开关技术解决了电力电子电路中开关损耗和开关噪声问题。124、 电力电子器件按照被控制的程度可分为三类：不可控 器件, 半控 型器件,_全控型器件。125、 超导储能是未来的一种储能方式，它需要你强大的直流电源供电。126、 电力电子装置的发展趋势是小型化、轻量化。127、 在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路被称为。12 8、在电力电子电路中，器件的开关损耗和开关频率之间呈现线性 关系。129、 PWM控制技术在逆变电路中的应用最为广泛。130、 器件换流只适用于全控型器件，其余三种方式重要是针对晶闸管而言的。131、 晶闸管电路的主要控制方式是相控 方式，而全控型器件电路的主要控制方式是 斩控方式。132、 不久的将来，采用碳化硅材料制成的IGBT压降低、损耗小、耐压高，而且耐高温也将远高于用硅 材料制成的IGBT。133、在交流一交流变流电路中，通过对晶闸管的控制，不改变其频率，而调节交流电压、电流或 对电路的通断进行控制，这样的电路称为交流电力控制电路。134、如果在交流-交流变流电路中，通过对晶闸管的控制，只改变交流电的频率，这样的电路可称为变频电路。135、通过对晶闸