低频电磁波的屏蔽

1、低频电磁波的屏蔽一、前言凡是有电源的地方、有用电设备的地方、几百米内有高压电线的地方、 几十米内有地下电缆的地方，甚至只有金属管道和金属梁架的地方，都可能 有高达数十以至数百毫高斯的低频电磁干扰。低频电磁干扰的强度变化常常 无规律可循，短时间内就会有相当大的上下波动；低频电磁干扰的来源往往 难以确定，这样就更增加了屏蔽设计的难度。电磁液产生电路示意图二、低频电磁屏蔽与其它屏蔽的差异比较1、低频电磁场根据电磁波传输的基本原理，在频率很低的时候良导体中的电磁波只存 在于导体表面有“趋肤效应”（波从表面进入导电媒质越深，场的幅度就越小, 能量就变得越小，这一效应就是趋肤效应）。高频电路中，传导电流集

2、中到导线表面附近的现象也有这样的问题又称“集肤效应”。交变电流通过导体时，由于感应作用引起导体截面上电流分布 不均匀，愈近导体表面电流密度越大。这种“趋肤效应”使导体的有效电阻 增加。频率越高，趋肤效应越显著。当频率很高的电流通过导线时，可以认 为电流只在导线表面上很薄的一层中流过，这等效于导线的截面减小，电阻 增大。既然导线的中心部分几乎没有电流通过，就可以把这中心部分除去以 节约材料。因此，在高频电路中可以采用空心导线代替实心导线。此外，为 了削弱趋肤效应，在高频电路中也往往使用多股相互绝缘细导线编织成束来代替同样截面积的粗导线，这种多股线束称为辫线。在工业应用方面，利用 趋肤效应可以对金

3、属进行表面淬火。 ） 、磁滞损耗 （ 放在交变磁场中的铁磁体， 因磁滞现象而产生一些功率损耗，从而使铁磁体发热，这种损耗叫磁滞损耗。 铁磁材料在磁化过程中由磁滞现象引起的能量损耗。磁滞指铁磁材料的磁性 状态变化时，磁化强度滞后于磁场强度，它的磁通密度B 与磁场强度 H 之间呈现磁滞回线关系。经一次循环，每单位体积铁心中的磁滞损耗等于磁滞回 线的面积。这部分能量转化为热能，使设备升温，效率降低，这在交流电机 一类设备中是不希望的。软磁材料的磁滞回线狭窄，其磁滞损耗相对较小。 硅钢片因此而广泛应用于电机、 变压器、继电器等设备中。 ） 以及反射损耗 （ 反 射损耗是指由于屏蔽的内部反射导致的能量损

4、耗的数量，他随着波阻和屏蔽 阻抗的比率而变化 ） 都很小，低频电磁波的能量基本由磁场能量构成。所以这 时我们所要屏蔽的应该是电磁波的磁场分量（ 电磁屏蔽的原理是由金属屏蔽体通过对电磁波的反射和吸收来屏蔽辐射干扰源的远区场，即同时屏蔽场源 所产生的电场和磁场分量。由于随着频率的增高，波长变得与屏蔽体上孔缝 的尺寸相当， 从而导致屏蔽体的孔缝泄漏成为电磁屏蔽最关键的控制要素 ; 用 钢制机柜进行屏蔽时，由于能为所有连接面提供一条由一个面至另一个面的 高导电路径，所以电流仍保持在机箱外侧。这种导电路径是用特殊的衬垫和 在连接表面进行导电涂敷而建立的，导电路径的任何中断都将使屏蔽效能降 低，它取决于缝

5、隙或孔洞尺寸与信号波长之间的关系。对于较低频率或较长 波长来说，如果只有一个小孔则不会明显降低屏蔽效能；对于高频或较短波 长来说，屏蔽效能的下降将是很剧烈的。例如，屏蔽体上如果有一个直径为 15mm勺孔洞，对于10MHZ言号（波长 为30m）来说，将仍然能提供60dB屏蔽效能，但对于1GHZ言号（波长为30mm 来说，若要保持同样的屏蔽效能，则孔径不能超过0.15mm直径为15mm勺孔 对于1GHZ言号只能提供20dB衰减。如果不止一个孔洞，而且孔距小于信号半波长时，屏蔽效能将进一步降 低。如果高频信号波长时，屏蔽效能将进一步降低。如果高频信号要求足够 勺衰减，则不应采用为了通风目勺勺孔洞。屏

6、蔽效能及其产生勺衰减与频率、源与屏蔽体勺距离、屏蔽体勺厚度以 及屏蔽材料等有关。由于增加了对 RFI/EMI 能量勺反射和吸收勺总和，使所 传输勺电磁能量减小。哪些材料能提供最好勺屏蔽效能是一个相当复杂勺问 题。很明显这种材料必须具有良好勺导导性，所以未处理过勺塑料是无用勺， 因为电磁波能直接通过它。当然，可以采用金属。然而，应当记住，不能只 考虑导电性，其理由就在于，电磁波不但有电场分量，还有磁场分量。要知 道高导磁率和高导电率同样重要，高导磁率勺意思就是磁力线勺高导通性。 钢是一种良导体，而磁导率勺量级也会令人满意。它也是相对廉价并能提供 很大机械强度勺材料，所以有理由利用钢材，廉价勺获得

7、满意勺屏蔽效能。 应当注意，低频电磁波比高频电磁波有更高勺磁场分量。因此，对于非常低 勺干扰频率，屏蔽材料勺导磁率远比高频时更为重要。 ）屏蔽低频（如工频）电磁干扰的基本原理是磁路并联旁路分流。通过使 用导磁材料（如低碳钢、硅钢等）提供磁旁路来降低屏蔽体内部的磁通密度。 同时尽量增大涡流损耗，使一部分能量转化为热能消耗掉。导电率高而导磁率低的材料（如铜、铝等）对电磁波的磁场分量几乎没 有屏蔽作用。屏蔽材料越厚则磁阻越小、涡流损耗越大，屏蔽效果越好。0.010J1.0 10too kHz丿川仮效能必CdB）f250综合屏蔽效能（05m护單板）波心面波150hz J高频时 /乜磁波种炎 I的影响很

8、分 磁场波r m一Lklk Ik T5F 100k IM10M 频率2、直流磁场当低频电磁场频率降低至 0Hz时，低频电磁场转变为直流磁场。磁化、 磁饱和、无磁滞损耗、无涡流损耗（铁磁材料臵于交变磁场中时，磁畴相互间 不停地摩擦、消耗能量、造成损耗，这种损耗称为磁滞损耗）等等，使直流磁场的屏蔽比低频电磁场屏蔽更加困难。一般选择尽量避开直流磁场干扰源。 在条件允许的情况下，也可以用导磁材料把直流磁场干扰源包围，使它发散 出来的磁力线在导磁材料内部形成一个闭环回路，减少它对外界的干扰。导磁材料的结构和设备被磁化后也会产生直流磁场，现场实测时经常会 发现这种情况，但是一般强度不大于 0.5mGaus

9、So同时这种磁场往往是长期 稳定的，对仪器设备的干扰不大，所以有时可以忽略这种直流磁场的影响。3、中高频电磁场在这个范围里（一般是从1000Hz到1MHZ,电磁波的能量比重逐渐由磁 场分量向电场分量倾斜，趋肤效应、磁滞损耗还有反射损耗等逐渐显得不可继续忽略了，频率变化的影响也不像在低频范围里那样可以忽略不计了，屏 蔽机理也随之逐渐由侧重屏蔽磁场分量转向侧重屏蔽电场分量。4、高频电磁场高频（1MHz以上）电磁波除了具有低频电磁波的电磁感应特性外，还具 有低频电磁波很少具有的折射性和反射性。根据电磁波传输的基本原理，在频率很高的时候，趋肤效应、涡流损耗 以及反射损耗和折射损耗都将在屏蔽机理中有充分

10、的表现。高频电磁波的能 量基本由电场分量构成。所以这时我们所要屏蔽的是电磁波的电场分量。屏蔽高频电场干扰的基本原理是容抗并联旁路。通过在干扰源与被屏蔽 点之间加入一个屏蔽层，并使屏蔽层对地容抗无限小（等效屏蔽层接地） ，来 保护被屏蔽点不受干扰源通过杂散分布电容而耦合过来的干扰。屏蔽材料可以用导电性良好的铝、铜、锡、银等，材料厚度对屏效影响 不大。5、静电屏蔽 静电屏蔽比较简单。用金属板（或者箔、网）形成一个屏蔽腔体，腔体 与被屏蔽设备的外壳共同接地。静电屏蔽的基本原理是消除电势差，将所有的电荷泄放入地。三、几种低频屏蔽方法综合评估1 、低导磁率材料（如低碳钢板等）屏蔽低碳钢板的导磁率在 4,

11、000 左右。低碳钢板机械性能好，可焊性好，易 加工，价格便宜，购买方便。在不必考虑屏蔽体的厚度和重量时，绝对应该 是低频电磁屏蔽材料的首选。2、高导磁率材料（如硅钢板等）屏蔽热轧硅钢板的导磁率为6,0008,000 ,冷轧硅钢板的导磁率为12,000 20,000 ，选用冷轧硅钢板理论上屏蔽体厚度可以降低为低碳钢板的1/3 到1/5 。硅钢板价格昂贵，材质硬、脆，延展性差，可焊性可加工性远远不如低 碳钢板。在敲击、折弯、开孔和焊接后，如果不进行热处理，导磁率将大大 下降。现场施工一般不是焊接而是平铺搭接，但是即便搭接面很宽，因为空 气隙的存在，也仍然会使整体的导磁率下降。冷轧硅钢板还有晶向不

12、一致的缺点，即钢板轧制方向上与侧面垂直方向 上的导磁率不一样，一般用多层交叉重叠法来解决这个问题。但这又增加了 施工难度，增加成本；同时增大空气间隙减少涡流损耗，降低屏蔽效果。综上所述，在低频电磁屏蔽室的设计中，使用硅钢板往往是事倍功半的， 一般不建议采用。3、玻莫合金屏蔽玻莫合金导磁率为 80， 000，为现有材料中最高的；但成本也是最高的， 与此同时，由于现今加工技术所限，玻莫合金成品均为带状，宽度极小，而 且极薄易碎、易裂，对大面积施工而言，如何解决工艺问题，是一个至今尚 未完全解决的难题。4、铁基合金和纳米晶合金屏蔽铁基合金和纳米晶合金导磁率均为 25, 000-40 , 000，由于

13、纳米晶合金 冷材导磁率低、热材易碎，故在业界一般采用与之同基的延展性、可施工性 均相对较好些的铁基合金；但同样由于现今加工技术所限，铁基合金成品也 均为带状，最宽不超过50公分，如何紧密焊接达无缝或是如何叠加粘合，均 有较大施工难度，且与玻莫合金一样，施工成品导磁率损耗过大（一般只能 够达到理论指标30 50%,故除非超标极为严重或施工场地过小一般不建议 采用。5、有源消磁器消磁有源消磁器由探测器、反相消磁线圈和控制器等几部分组成。探测器检 测到磁场的三维场强，控制器根据得到的信息产生波形和幅度相同、相位相 反的电流，反相消磁线圈产生波形和幅度相同、相位相反的磁场将原来的磁 场抵消。有源消磁器

14、安装简便灵活，但因其工作原理所限，在控制上有一定 的滞后，调试工作有一定的难度，均匀性和稳定性等方面还有一些问题。窄莆无线系统中的回设计宽带鬲速数据讎路中的VCQ设计说计问題：-调节范艮一为星直越祈肪頓卑仮过-囉严-妙內接收机的芜飙史性龍-功耗需誓便功忆-埼宙雷芒傥迥的憔声盍心化-时工芒，:诅度乂化的牡感耗一恵蚩产时富義町和遥牲.设计问趣：-占兀垠相冏，但是：-嗥吐能晏范遇常克范 f明范|耳迪澎丸窣6#四、低频电磁屏蔽设计屏蔽低频磁场屏蔽体的材料选择： 根据以上的讨论，如无特殊情况，一般选择低碳钢板。因为整体材料的涡流损耗比几层叠加（厚度相同）的涡流损耗要大，所 以如无特殊情况不选用薄的多层材

15、料而选用厚的单层材料。如果兼顾直流磁场屏蔽，可在低碳钢板内侧加冷轧硅钢板或其它高导磁材料（高导磁材料易饱和，放在内层）；如果兼顾中频磁场屏蔽，可在低碳钢 板外侧加冷轧硅钢板或其它高导磁材料 （高导磁材料高频特性好，放在外层）屏蔽体厚度计算：1、计算公式推导因为低频电磁波的能量主要由磁场能量构成，所以我们可以使用高导磁 材料来提供磁旁路通道以降低屏蔽体内部的磁通密度，并借用并联分流电路 的分析方法来推导磁路并联旁路的计算公式。llllll；r：lllllll1Fbffl-圏二同时有以下一些定义：Ho：外磁场强度Hi :屏蔽内空间的磁场强度Hs：屏蔽体内磁场强度A:磁力线穿过屏蔽体的面积 A=L

16、X W0：空气导磁率s :屏蔽材料导磁率Ro:屏蔽内空间的磁阻Rs:屏蔽材料的磁阻L:屏蔽体长度W屏蔽体宽度h:屏蔽体高度（亦即磁通道长度）b:屏蔽体厚度由示意图一可以得到以下二式Ro=h/( A X o)=h/(L X WX o)(1)Rs=h/(2b X W+2X L) s(2)由等效电路图二可以得到下式Rs= Hi X Ro/ (Ho- Hi )(3)将(1)、(2)代入，整理后得到屏蔽体厚度b的计算式b=LX WX o(Ho-Hi)/ (W+L) 2 s Hi(4)注意：在（4）式中磁通道长度h已在整理时约去，在实际计算中0、 s、Ho Hi等物理单位也将约去，我们只需注意长度单位一致

17、即可。由（4）式可以看出，屏蔽效果与屏蔽材料的导磁率、厚度以及屏蔽体的 大小有关。屏蔽材料导磁率越高、屏蔽层越厚屏效越好；在导磁率、厚度等 相同的情况下，屏蔽体积越大屏效越差。2、计算式校验我们用（4）式计算并取o=1, L=5m , W=4ms=4000,计算结果与实 测数据对照比较（参见表1）,发现差别很大：1,523斗5&F；1001O0100100100100100实测内處场莊度1&C SS45 50 3S2 27L 22 1S计算内逾境强度18s 513, 99. 2&3,045.5E4. 633. 47表1注：1 .外磁场强度为 5 20mGaussp-p2 .为便于比较将计算数值

18、及实测数值都归算为百分数。3. 实测值系由不同条件下的多次测试折算而得。由于各次的测试条件不 完全相同，所以只能取其大约平均数。事实上，由于各种因素的影响，试图建立一个简单的数学模型直接去分 析和计算低频电磁屏蔽的效果是相当困难的。计算与实测相比偏差较大有两方面的原因。并联分流电路的函数关系是线性的，而在磁路中，导磁率、磁通密度、 涡流损耗等都不是线性关联，许多参数互为非线性函数（只是在某些区间线 性度较好而已）。我们在推导磁路并联旁路的机理时，为避免繁杂的计算，忽 略或近似了一些参数，简化了一些条件，把磁路线性化后计算。这些因素是 造成计算精度差的主要原因。另一方面，商品低碳钢板的规格一般为

19、1.22mx 2.44m,按一个长X宽x高为5X4X 3m3的房间来算，焊接缝至少五六十条，即便是全部满焊，焊缝 厚度也一定小于钢板的厚度。另外屏蔽体上难免有开口和间隙，这些因素造 成的共同结果就是：屏蔽体磁阻增大，整体导磁率下降。（选用冷轧硅钢板时要更加注意，冷轧硅钢板的实测偏差往往更大。）用并联分流电路的分析方法推导出的磁路屏蔽计算式必须加以修正才能 接近实际情况。3、修正后的计算公式在（4）式基础上，我们引入修正系数卩，且考虑到空气导磁率近似为1,得到（5）式b二卩，LX W（Ho-Hi）/ （W+L） 2 s Hi ?（5）在3.24.0之间选取。屏蔽体体积小、工艺水平高可取小值，反之

20、取 较大值为好。我们用（5）式取口 =3.4计算出的结果与实测数据对照比较境冬C % JJ-1.52112外磁场亚度t囑、1001U010O100pLOO110080 - 6S4S - 503527L 16计算内磕境在度CIS2. 947. 2(31.5羽.6pL 3_ 9|15-7（参见表2）,吻合度基本可以满意1O0怜12U.S表2注：其它情况与表1相同。必须指出的是，多次的复测数据表明，（5）式计算结果与多次的现场实测 结果吻合度较高，但也曾经发现个别相差较大的情况，究其原因是属于现场 施工的问题。以下是在现场施工中可能发生的几种情况：1、个别部位用了薄钢板；2、硅钢板的搭接宽度不够；3

21、、多层冷轧硅钢板没有交叉重叠；4、钢板没有连续焊接且拼接缝过大；5、屏蔽体在设备基础部位有较大开口且处理不当；6、随意缩短波导管的长度或加工时有偷工减料现象；7、波导管壁厚过小；&屏蔽体多点接地致使屏蔽材料中有不均匀电流；9、屏蔽体与电源中性线相连。一两处小小疏忽就会造成屏蔽效果严重劣化。这有点类似于“水桶理 论”：水桶的容量取决于最短的那块木板。对于这类隐蔽工程，在选择一个 可靠的施工单位、严格遵照设计工艺要求、加强现场施工监理、实施分阶段 验收等方面，都是一定要引起高度注意的。屏蔽体的开口设计：设计一个屏蔽体，一定会碰到开口问题。常见开口设计的理论方法大多 难以在低频磁屏蔽设计中直接应用。

22、 下面以一个房间的屏蔽设计为例来讨论。1、小型开口房间内安装的被屏蔽设备，一般都需要供应动力、能源和冷却水等等。 这些辅助设施大多位于屏蔽室之外，通过进出水管、进排气管和电缆连接进 来。我们可以将这些管道和电缆适当集中，统一经由一个或数个小孔穿过屏 蔽体。小孔可用与屏蔽体相同的材料作成所谓“波导口”，长径比为一般认为至少要达到34：1（现场条件允许的话长些更好）。例如小孔直径为80mm 则长度至少为操作器件的处理2、中型开口空调的通风口、换气扇的进排气口等直径（或者正方形、长方形的边长） 一般在400600mn左右，这样算来波导口的长度将达到 12002400mm这在 实际施工中几乎是无法承受

23、的。这时可以用栅格将原来的开口分隔为几个同 样大小的小口。例如将一个400X 400mm勺进风口分隔为九个等大的栅格，贝S长度由12001600mr减少为400530m（栅格增加的风阻很小，可以忽略不 计）。通风口的处理贯通导体的处理穿孔金楓槌權止碱导堆14板设计和加工时注意以下几点：1）栅格的材料与屏蔽体相同，不要随意减小材料的厚度；2）栅格的截面尽量接近正方形；3）在长度可以接受的情况下，尽量减少栅格的数量，以减少加工难度和 风阻；4）栅格各处都要连续焊接，以免磁阻增大；5）如果材料为硅钢，则必须经过回火处理。3、可关闭的大型开口一般房间的门窗等开口都在1mx 2m以至更大，这时应该依照门

24、窗（均为 与屏蔽体同样的材料制成）关闭后的非导磁间隙来设计波导口。设门窗关闭 后的非导磁间隙为5m（这在技术上并不困难，个别难以处理的地方可以加道 折边），则波导口的长度为1520mm考虑到间隙是狭长的，这个长度尽量长 些为好。注意这里的波导口并不是只由门窗的框构成，在所有的非导磁间隙 处都要有一定厚度的折边，保证波导口的长度。为保证特殊情况下的安全撤离，屏蔽室的门框应特别加强，屏蔽门最好 向外开启。设计举例：房间的长、宽、高分别为5米、3.3米和3米，原磁场强度x=10mGauss y=8mGauss z=12mGauss试设计一低频电磁屏蔽，要求屏蔽体内任一方向的 磁场强度小于2mGaus

25、s参见图三z= 1L= 5 m團三1、选用商品低碳钢板，s=4000,规格为1.22mX 2.44m；2、按照（5）式分别从x、y、z三个方向来计算钢板厚度：取3.8 , LX W分别以条件所给的长、宽、高代入，且与x、y、z等方向的原磁场强度对应。bx=3.8 ,3.3m x 4mX (10mGauss -2mGauss)/(4m+3.3m) 2 x 4000 x2mGaus?=3.43mm5mX 4mX (12mGauss -2mGauss)/(4m+5m) 2 x 4000 x 2mGaus?by=3.8, 3.3mx 5mX (8mGauss-2mGauss)/(5m+3.3m) 2

26、x 4000x 2mGaus? =2.83mmbz=3.8 , =5.28mm6m（为防止外磁场变化亦可选用 8 10mr）,单层全部钢板厚度至少为 全部焊缝要求连续满焊。3、波导口处理（略。参见屏蔽体的开口设计） 缝隙处理与设计：电磁密封衬垫的种类*金属丝网衬垫（带橡胶芯的和空心的）-导电椽胶（不同导电填充物的）指形簧片（不同表面涂覆层的）螺旋管衬垫不锈钢的和镀锡皱铜的）导电布电磁密圭寸衬垫安装方法口 I13搭接的处理与设计：#Figure 2F Oonding conductotsuw Exrxl：,Rgwtwrff EcrEibbfrwVBi bonv ng b /ym practmtw

27、rtry* 轴 hidhR J -L_.Jo:ooo14频率不同搭接方式不同屏蔽电缆的接入设计搭接点的保护可绝t*血质屏蔽电缆穿过屏蔽室的方法在内部叮将电缆延仲注意防脛如果整个电逾沟槽和寻管电塔搭扌晏则捷外部的压片也可改塞电述慕容tBJf IW c衷面做#电清洁处理保持360度连&艸蔽互套mREkAII!II： ：&Ehziui:. .：. 可用幣爹个燼IS擦目的u理托架来腔制高频，但電舒将按头併蔽外边界:- 1ah. . a 1；-M/与H圖冷360度権接16五、低频电磁屏蔽实践中的几个误区 由于有关低频电磁屏蔽的介绍较少，而且从总体上来看，低频电磁屏蔽 的应用不如中高频电磁屏蔽广泛，所以对

28、低频电磁屏蔽理解的误区甚多：1、收音机（或移动电话）没有信号，所以低频电磁屏蔽一定是好的。收音机和移动电话的工作频率高达数百KHz以至数千 MHz（调幅中波535-1605KHZ；调频广播 88-108MHz 移动电话 900MHz或 1800MHZ。高频电 磁屏蔽只要屏蔽电磁波的电场分量就可以了，低频电磁屏蔽主要是屏蔽电磁 波的磁场分量， 而磁场分量的屏蔽实际上比电场分量要困难得多。 收音机（或 移动电话）没有信号，并不能表明低频电磁屏蔽是好的。另一方面，如果收 音机（或移动电话）有信号，也不能说明低频电磁屏蔽完全不合格。收音机 和移动电话都有很强的AG（自动增益控制）功能，在信号变化的很大

29、范围内 可以自动调节接收能力。屏蔽体上有必定有开口，高频信号在开口处通过反 射还是可以达到收音机（或移动电话）的。总之，不能用收音机（或移动电话）有无信号来证明或检验低频电磁屏 蔽的效果。2、屏蔽体接地有助于增进低频电磁屏蔽的效果。 这是套用高频电场屏蔽原理引出的错误结论。 高频电场屏蔽的基本原理是容抗并联旁路， 屏蔽层良好接地是必要条件。但是低频电磁屏蔽主要屏蔽的是磁场而非电场，屏蔽体接地对于增加屏蔽体 的导磁率无任何帮助。那么，是不是无益亦无害呢？不是的。在电气施工中，施工者会习惯地 把电源线护套管、开关箱外壳、各种管道都连到屏蔽体上（ “反正它们都是接 地的。”注意，这是符合低压电器安装

30、规范的） 。这样一来，屏蔽体中极可能 有电流流过，必定产生额外的磁场。我们分析讨论屏蔽体时，为使问题简化， 假设屏蔽体各处的导电率和导磁率都是均匀一致的，实际上远非如此。钢板 后面一般会有钢结构支撑，各处钢板的焊接或搭接情况差异很大，这时屏蔽 体内各处的磁场强度会有很大的不均匀性，在个别节点处甚至非常高。所以 屏蔽体接地对于低频电磁屏蔽来说是有害无益。3、屏蔽体与被屏蔽设备共地。 这是套用静电屏蔽的“等电位”而引出的错误结论。 屏蔽体与被屏蔽设备共地不会增加并联磁路的导磁率，不可能对增进低频电磁屏蔽的效果有任何帮助。我们可以这样说，如果高频电磁屏蔽和静电屏蔽必须要“等电位”的话， 那么低频电磁

31、屏蔽的指导理念恰恰与之相反，尽量实现“零电流” 。 低频电 磁场往往是工频电流所产生的，我们要尽最大努力避免产生那些本来可以没 有的电流。所以，屏蔽体与被屏蔽设备共地也是有害无益的。4、附近没有电源线或用电设备就不可能有低频电磁场。 在水管、暖气管、大楼的环状地线等导体上，如果有电流流过，也会产 生电磁场，其强度与电流强度成正比，与通电导体的距离的平方成反比。笔者曾在北京某单位发现一楼地面下钢梁（起垫高作用）中有电流产生 50Hz低频磁场，用梯度法推算，该电流达 810A。5、设备关闭后就不会产生低频电磁干扰了。 许多设备和仪器，在执行了关闭操作后并没有完全断开自身的电源。就像家庭中使用的录音

32、机和空调，只要还与电源相连，就不一定完全没有电流。另一种情况是，设备自身配有变压器，而设备开关是设在变压器副边的。 笔直多次见到，日本原产带有 220V-110V电源变压器的设备，在设备关闭后， 电源变压器附近仍然有很强的低频磁场（有时在距离1 米处场强还可达20mGaussp-p ）。这类情况下要想得到准确的结论，就必须去关断这些设备上 游的控制开关，或者在配电室（柜）里关闭整条供电分路的供电。还有一些设备经常处于备用状态（例如干燥箱、恒温箱等） ，随时可能会 自动进入某种工作状态，切勿轻率断定它们是否会产生磁场。6、在干扰源的来向设一面厚钢板墙就可以解决低频电磁干扰问题。在干扰源与墙面的距

33、离远大于墙面宽度和高度的情况下，这样做基本是 无效的。在干扰源距离墙面很近（几厘米到几十厘米）时，可以有限度地减小低 频电磁干扰。在极大多数的情况下，干扰源不止一个，测试点的干扰磁场往往由几个 相位、强度、波形、频率特征等都不相同的磁场迭加而成。所以，除了极个 别的特例以外，这个方法是不能够可靠地解决问题的。7、铜的导电性比钢好，用铜板来屏蔽工频电磁场效果更好，只不过铜板 太贵了所以一般才不用。曾经见到某专业文章中的计算： “当我们要屏蔽的对象是电源变压器时， 工作频率是50Hz,此时的铜材料：X0.122mm X0.0144mm铁材料：X0.1 32mrpX0.0165mr”i （以上原文照

34、抄，一字未改。原文说明X 0.1及X 0.01 是达到原有场强的 1/10 及1/100 时屏蔽材料的厚度） 。有实践经验的人都知道,用不导磁的铜板来屏蔽工频电源变压器是毫无 用处的,更不可能比铁材料的屏蔽效果好。一次笔者在湖北某处实测,6mm厚的铜板屏蔽工频电磁干扰毫无效果。因为电磁波具有波粒二象性,波长与光子能量成反比关系,当波长越短 光子能量越大,则穿透力越强。如高能 X 射线几乎能穿透所有非金属物,甚 至还可以穿透薄铝；而伽马射线则能穿透大多数金属。某些重金属能够阻挡 电磁波穿透,例如铅。电磁辐射分类的英文缩写如下：伽马射线：丫射线X 射线 :HX =硬X射线SX =软X射线 紫外线：

35、EUV =极端紫外线NUV =近紫外线 红外线：NIR =近红外线MIR =中红外线FIR =远红外线 微波：EHF =极高频SHF =超高频UHF =特高频无线电波：VHF =甚高频HF =高频MF =中频LF =低频VLF =甚低频ULF =特低频ELF =极低频频段名频段范围段名波长范围1甚低频（VLF）330 千赫（KHZ甚长波100 10km2低频（LF）30300千赫（KHZ长波10 1km3中频 （MF3003000 千赫（KHZ中波1000 100m4高频（HF）330 兆赫（MHZ短波100 10m5甚高频（VHF30300兆赫（MHZ米波10 1m6特高频（UHF30030

36、00 兆赫（MHZ ）分米波、微波100 10cm7超高频（SHF330吉赫（GHZ厘米波10 1cm8极高频（EHF30300吉赫（GHZ毫米波10 1mm9至咼频3003000 吉赫（GHZ丝米波1 0.1mmIonUUFELFVFVLFLFMIFHFX/HIIFUMF0IFwivolngtK and noffioial oand1OO OOO km - 10.000 koi1 O OOO km 一 1 -OOO Km1 _OOO km 一 1 OO kE10O km - 1O km10 km 亠 1 km1 ik，m - 10O rn1 OO m - 10 m1 O irri = 1 e

37、1 m - i O cm10 cm - 1 cm表3cr.oo賈OO器唱DB 和屏蔽率的换算率：3DB=50%;6DB=75%;9DB=87.5%;12DB=93.75%;30DB=99.9%;70DB=99.9999%;80DB=99.99999%.各波段电波传播1中长波的电波传播由于地面对中长波吸收较小，而电离层对中长波吸收很大，因此中、长波的电波传播主要以地波为主，在工作频率接近2 MHz时，才有一部分以天波传播。长波的波长达110km其天线的体积非常庞大。中波常用桅杆天线，容 抗很高，而天线电阻很小只有 210Q，电波以垂直极化传播。接收P 发射功率（瓦）hi发射天线有效高度（m h2

38、 接收天线有效高度（m r 与发射台站距离（mK 视地面影响的系数2短波电波传播短波的电波传播有地波和天波传播，主要是天波传播，因此和电离层有紧 密的联系。2.1地波传播20#地面对短波吸收较为严重，因此短波的地波传输距离都很短，而且工作 频率在短波的低频段（ 5MHz）。如在平原地带，20瓦电台（4米鞭天线）地波通信距离只在 25km左右, 100瓦电台地波通信距离约为 4050km 200瓦电台约在5060km在海平面短波的地波传输可以远一些，如100瓦电台通信距离可达150knr300km 2. 2短波的天波传播短波之所以可以远距离通信，得益于天波的传播。天波是靠电离层的反射而传播的a）

39、盲区在短波传播中，在工作频率固定，发送波瓣固定时，会出现地波达不到 天波也达不到的地段，接收机在这段地区将无法接收，这个地段称为盲区。天波地波可接收地段III ILIJLIJLIJIkJ 发信台-收信台盲区的克服，改变工作频率或改变天线发送波瓣。亠士*戸咼电离层D层低电离层仰角抬高愛 .; 、f、,/*、r:st7 : 池、7，= j冥、W、 IIIIIIIII III 川 III* *f j发信台注意：辐射仰角过高电波会不反射，频率愈高高仰角的电波会愈容易穿透电离 层而不产生反射。b）随工作频率升高，电离层吸收减少，穿透电离层的高度也越高，传播距离 也愈远。fof要进行远距离通信一般选用高一些的频率Vfi fo同时压低波瓣仰角