51单片机做电容测量仪解析

1、第十三届长通杯”大学生电子设计竞赛电容测量仪（A题）2016年5月14日摘要电容测量仪装置是一种精度高、测试范围宽、操作简便、功能完善的电容测 量仪。随着科技的不断发展，电容在电路中有着越來越多的应用，其容量大小直 接决定着电路的稳定性和准确性。因此，电容值的的测量在口常使用中不可避免。为了深入了解和学习52单片机的功能，本设计釆用STC89C52和555振荡 器为主要元件对电容进行测量。先将555设计为多谐振荡器产生输入脉冲信号， 然后利用单片机对脉冲进行中断计数，再使用公式计算出电容值。在多谐振荡器 终端加一个HD74LS08 （二输入与门）稳定输出波形，从而使测量中更精确。多 谐振荡器会

2、因为连接电阻值的不同而产生的方波的频率不同，从而可以变换档位 测量容量差距较大的电容。如果在工程问题中想寻找出符合要求的电容，便可通 过矩阵键盘输入相应的电容值的范围，以方便筛选。当电容测定完以后，其数值 通过LCD 1602显示出來，以便阅读。关键词：STC89C52单片机；电容测量；555定时器；LCD 1602：2系统理论分析与计算目录错误!未指定书签。电容测量仪(A题)1设计方案设计一：利用电容器放电测电容实验原理电容器充电后，所带电量Q与两极板间电压U和电容C之间满足Q = CU的关系。 U可由直流电压表测出，Q可由电容器放电测量。使电容器通过高电阻放电，放电电流 随电容器两极板间的

3、电压下降而减少，通过测出不同时刻的放电电流值，直至1=0,作 出放电电流I随时间变化的曲线，曲线下的面积即等于电容器所带电量。由C = Q/U可 求出电容器的电容值。但此方法操作性差，很难实现其功能，故舍之。设计二：利用放电时间比率來测电容其测量原理是把被测电容和基准电容连接到同一电阻上，构成RC网络。通过测量 两个电容放电时间的比率，就可以求出被测电容的电容值。充电前电容的电压为0,放电时电容电压与时间的关系为：当Vc达到Vth时从而由于R和Vth/E己知，可根据Tc算出Co此方法的测量范围从pF(1012F)到儿十个iiF(10-9F),并且在寄生电容的抑制和温度 稳定性方面具有极很大的优

4、势，但此方法适用于电解电容，对于瓷片电容并不适用。设计三：利用单片机测脉冲來测时间常数RC再计算电容其测量原理是把被测电容和电阻串联，构成RC网络，然后可利用这个时间常数去 利用多谐振荡器，调好振荡信号的波形然后开始计数脉冲值，可能的周期为T=A0xRC, A0为一个常数，可通过周期可以计算出C的值。这个可以用单片机來测，理论上可以 从测的值可以为N多个，大大超过前面所讲述的。考虑到实用性和可操作性，我们选择设计三。利用555构成单稳态电路(如图*),待测电容是电路中的G,再把”OUTP输 出的信号的频率输入单片机的P1.0 口，Cx的一端连接单片机的P2. 3 口，通过公式换算 得到电容值。

5、P3.7 口接一独立按键，当其按下时，555定时器的3引脚输出方波，3脚与P1.0 口 相接，可通过程序测出其频率，进而求出G的值，并显示在LCD 1602液晶屏上。由分析可知其振荡周期为：由单稳态电路的特性知：使 R1=R2,则：电容测量电路如图1所示：图1555定时器构成单稳态的电容测量电路图此方案从计算公式可知，只需要通过单片机处理频率信号即可得到待测电容值，对 测量精度要求而言，还是比较符合要求的，由于是通过单片机读取转化，精确度会明显 的提高。核心元器件简介STC89C52的介绍STC89C52是STC公司生产的一种低耗能、性能高的CM0S8位微控制器。具有以 下标准功能：内置4KB

6、EEPROM,有MAX810复位电路，3个16位/计数器，4个外部 中断，8k字节Flash, 32位O 口线，512字节RAM, 个7向量4级中断结构，全 双工。另外STC89C52可降至OHz静态逻辑操作，支持2种软件可选择节电模式。掉电 保护方式下，RAM内容被保存，振荡器被冻结，单片机一切工作停止，直到下一个中 断或硬件复位为止。空闲模式下，CPU停止工作，允许RAM、定时器/计数器、串口、 中断继续工作。最高运作频率35MHz, 12T/6T可选。STC89C52单片机最小系统原理图：图2STC89C52单片机最小系统555定时器的介绍NE555集成电路是8脚封装，双列直插型。NE5

7、55引脚功能如下：Pin 1-GND（接地）-通常被连接到电路共同接地。Pui2-Tngger（触发点）-这个脚位是触发NE555使其启动它的时间周期，乂称触发端, 是下比较器的输入。触发信号上缘电压须大于2/3VCC,下缘须低于1/3VCC。Pin3-Output（输出）-输出端（Vo）,它有0和1两种状态，由输入端所加电平决定, 当时间周期开始555的输出输出脚位，移至比电源电压少1.7伏的高电位。周期的结束 输出回到0伏左右的低电位。于高电位时的最大输出电流大约0.2AoPm4-Reset（重置）-一个低逻辑电位送至该脚位时会重置定时器且使输出回落到一个 低电位，加上低电平时可使输出为低

8、电平%它通常被接到电源或不用连接。Pin5-Conuolvoltage（控制）-控制电压端（Vc）,准许由外部电压控制触发和闸限电 压，可用它控制改变上下触发电平值。当计时器经营在振荡或稳定的运作方式下，这个输 入可以用來改变或调整输出的频率值。Pm6-Tlueshold（重置锁定）-乂称阈值端（TH）,是上比较器的输入；重置锁定并能 使输出呈低电平。当此接脚的电压从1/3VCC电压以下移至2/3VCC以上时启动这个动 作。Pm7-Discharge（放电端DIS）,它是内部放电管的输出，有悬空和接地两种状态， 也是由输入端的状态决定这个接脚和主要的输出接脚有相同的电流输出能力，当输出为 ON

9、时为LOW,对地为低阻抗，当输出为OFF时为HIGH,对地为高阻抗。Pm8-Vcc（V+）-a是555个计时器IC的正电源电压端。供应电压的范围是十4.5伏特 （最小值）至十16伏特（最大值）。图3555定时器输出波形图4555集成电路内部结构图1602液晶的介绍本设计使用的1602液晶为5V电压驱动，带背光，可显示两行，每行16个字符，不能显示汉字，内置含128个字符的ASCII字符集字库，只有并行接口，无串行接口。 接口说明：Pm-1-VSS电源地Pm-3-VQ液晶显器对比度调节Pm-5-R/W读写选择端（H/L）Pm-7-DO数据接口Pm-9-D2数据接口Pm-ll-D4数据接口Pm-1

10、3-D6数据接口Pm-15-BLA背光灯电源正极 基本操作时序：读状态输入：RS=L,RW=H,E=H 读数据输入：RS=H,RW=H,E=HPm-2-VDD电源正极Pm-4-RS数据/命令选择输入（H/L）Pm-6-E使能信号Pm-8-Dl数据接口P1H-10-D3 数据接口P1H-12-D5 数据接口P1H-14-D7 数据接口Pm-16-BLK背光灯电源负极输出：D0D7=状态字输出：无写指令输入：RS=L,RW=L,D0-D7=指令码，E=高脉冲输出：D0D7=数据写数据输入：RS=H,RW=L,D0-D7=指令码，E=高脉冲 输出：无1602与单片机接口：图51602与单片机接口系统

11、的总体设计思路是被测电容通过555定时器构成多谐振荡电路，频率输入单片机，通过分屏电路把频率送入单片机，并把频率通过单片机处理，运算出相应的数值, 再用LCD 1062显示出來。系统方框图*如下：主程序流程是先通过按键对单片机时钟和端口进行初始化，再对定时器进行初始 化，液晶初始化显示开机界面，再转入上面所设计的开机总中断，结束之后进入低功耗 模式，具体流程如图7所示。图7主程序流程图心得体会这次设计历时两个周左右。在此期间，查找资料，同学交流，反复调试，每一个过 程都是对我们这个团队的一次检验和挑战。通过这次实践，我们深入学习了 52单片机、 555定时器和LCD1602的用途及工作原理，掌

12、握了设计步骤，锻炼了实践能力，培养了 独立设计能力。这次课程设计收获很多，比如学会了查找相关资料相关标准，分析数据, 提高了自己的制作能力。但是此次比赛也暴露出了我们的知识基础有很多不足之处。由 于能力有限，未能做到用键盘输入电容的测量范围來筛选电容，因此感到有点儿遗憾。 这次实践是对自己模电和单片机所学的一次大检阅，使我明白自己的能力还有待提高。 本设计是在老师的精心指导和鼓励下完成的。在此，谨向老师和帮助我的同学表示衷心 的感谢！此外，我还要感谢在我的论文中所有被援引过的文献的作者们，他们是我的知 识之源。最后，再次向所有给予我帮助和鼓励的同学和老师致以最诚挚的谢意！附件附件1：电路图图8

13、总电路图附件2：元件清单表1元件型号位号数量单片机STC89C52RCU11排阻A103JRP11电磁继电器JWDRL1, RL2, RL33晶振12MXI1瓷片电容30pFCl, C22独石电容103 (O.OluF)C41电阻10KQRl, R2, R5, R6, R75按键JI, J2,2液晶LCD 1602LCD11555定时器NE555U21电阻1KQR3, R42电阻10QR9, RIO, Rll3与门HD74LS08U31电解电容50V, lOOOpFC31附件三：程序# mclude#includeHiiitriiis.hM/ 库函数#defineumtunsignedmt #

14、defineuchaninsignedchaf #defineulongunsignedlong uchartable4 16=”C(nF)=”； uchamum,b,x= ,i,a=2,thO,tl0; umtC;ulongf,Cpffl;sbitlcden=P2A7;液晶使能端sbitlcdis=P2A5;液晶数据命令选择端sbitRW=P2A6;/1602 写地址sbitkey_C=P3A7;测量电容按键sbitC_out= PIT;测量电容信号输入sbitswitchO=PlAO;sbits witch 1=P1A1;sbitswitcli2=P 1A2; sbitkey_C0=PlA

15、3; sbitkey_Cl=PlA4; sbitkey_C2=PlA5;延时函数液晶写命令函数声明子函数 voiddelayms(umtxins); voidwnte_com(uchaicom);voidwrite_data(uchardate);/ 液晶写数据函数voidled_uutQ;液晶初始化函数voidt_uutQ; voidkeyscanQ; voiddisplay_f(ulongf); voiddisplay_C(umtC);定时器0初始化函数键盘检测函数（确定被测元件为电阻、电容或电感）/频率显示函数电容显示函数voiddisplay_Cpf();主函数voidmain()sw

16、itchO=O;switch 1=0;switch2=0;kev_C0=0;kev_Cl=0;key_C2=0;RW=0;led_imtO； 清屏函数kevscan(); write_com(0x0c);开显示，不开光标 a=2;while(l)keyscan();switch(b)caseO:delayms(SO);C=(int)(0.069*f*2);if(Cl 0 )display_Cpf(); elseswitchO=l ;led_uut();break;easel:if(C)C=(int)(0.9*C+0.0069*f*2); elseC=(iiit)(0.069* f* 2); i

17、f(C49)table42=110;display_C(C);else switch 1=1 ;led_uut(); break; case2:if(C)C=(int)(0.9*C+0.0069*f*2); elseC=(mt)(0.069*f*2);if(C4999)C=4999;table42= 110;display_C(C); break;中断函数 voidTO_countOintennpt 1 switch(a) case2:wlule(C_out);while(!C_out); THO=O; TLO=O; while(C_out); while(!C_out); thO=THO;

18、tlO=TLO;TRO=1; break; fthO*256+tlO; 延时函数 voiddelayms(umtxins)UUltlJ； fbr(i=xnis;iO;i-) forO=110;j0;j-);液晶写命令函数 voidwnte_com(uchaicom) delavms(2); lcdis=0;P0=com; lcden=l;】op_()；】op_()；】op_()；】op_()；lcden=0; 液晶写数据函数 voidwnte_data(uchaidate)delavms(2); lcdis=l;lcden=l; PO=date;lcden=l;_nop_();_nop_();_nop_();_nop_(); lcden=O;液晶初始化函数voidled_uut(j设置16X2显示，5X7点阵，8位数据接口设置定时器0工作方式1(M1MO=OxOOO1) delavms(15); wnte_com(0x3 8); delavms(5); wnte_com(0x3 8); delavms(5); wnte_com(0x01); delavms(5); wnte_com(0x08); delavms(5); wnte_com(OxOC);定时器0初始化函数voi