贵州半导体硅片项目资金申请报告（范文）

1、泓域咨询 /贵州半导体硅片项目资金申请报告贵州半导体硅片项目资金申请报告xx（集团）有限公司目录第一章 市场分析8一、 半导体硅片介绍及主要种类8二、 半导体硅片介绍及主要种类13第二章 项目绪论19一、 项目概述19二、 项目提出的理由20三、 项目总投资及资金构成21四、 资金筹措方案21五、 项目预期经济效益规划目标22六、 原辅材料及设备22七、 项目建设进度规划23八、 环境影响23九、 报告编制依据和原则23十、 研究范围24十一、 研究结论25十二、 主要经济指标一览表25主要经济指标一览表25第三章 项目背景分析28一、 半导体行业发展情况28二、 半导体硅片需求情况31三、

2、项目实施的必要性34第四章 建设方案与产品规划36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表36第五章 建筑工程说明38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案40三、 建筑工程建设指标41建筑工程投资一览表42第六章 法人治理结构44一、 股东权利及义务44二、 董事46三、 高级管理人员50四、 监事52第七章 发展规划分析54一、 公司发展规划54二、 保障措施55第八章 SWOT分析58一、 优势分析（S）58二、 劣势分析（W）60三、 机会分析（O）60四、 威胁分析（T）61第九章 原辅材料分析65一、 项目建设期原辅材料供应情况65二

3、、 项目运营期原辅材料供应及质量管理65第十章 环保分析67一、 编制依据67二、 环境影响合理性分析68三、 建设期大气环境影响分析69四、 建设期水环境影响分析73五、 建设期固体废弃物环境影响分析73六、 建设期声环境影响分析74七、 建设期生态环境影响分析74八、 营运期环境影响75九、 清洁生产76十、 环境管理分析77十一、 环境影响结论79十二、 环境影响建议80第十一章 工艺技术方案81一、 企业技术研发分析81二、 项目技术工艺分析84三、 质量管理85四、 项目技术流程86五、 设备选型方案87主要设备购置一览表87第十二章 项目规划进度89一、 项目进度安排89项目实施进

4、度计划一览表89二、 项目实施保障措施90第十三章 项目投资计划91一、 投资估算的依据和说明91二、 建设投资估算92建设投资估算表94三、 建设期利息94建设期利息估算表94四、 流动资金96流动资金估算表96五、 总投资97总投资及构成一览表97六、 资金筹措与投资计划98项目投资计划与资金筹措一览表99第十四章 经济效益评价100一、 基本假设及基础参数选取100二、 经济评价财务测算100营业收入、税金及附加和增值税估算表100综合总成本费用估算表102利润及利润分配表104三、 项目盈利能力分析104项目投资现金流量表106四、 财务生存能力分析107五、 偿债能力分析108借款还

5、本付息计划表109六、 经济评价结论109第十五章 招标及投资方案111一、 项目招标依据111二、 项目招标范围111三、 招标要求112四、 招标组织方式112五、 招标信息发布116第十六章 附表附录117建设投资估算表117建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121营业收入、税金及附加和增值税估算表122综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表125利润及利润分配表125项目投资现金流量表126第一章 市场分析一、 半导体硅片介绍及主要种类1、半导体硅片简介常见的半

6、导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等化合物半导体。相较于锗，硅的熔点为1,415，高于锗的熔点937，较高的熔点使硅可以广泛应用于高温加工工艺中；硅的禁带宽度大于锗，更适合制作高压器件。相较于砷化镓，硅安全无毒、对环境无害，而砷元素为有毒物质；并且锗、砷化镓均没有天然的氧化物，在晶圆制造时还需要在表面沉积多层绝缘体，这会导致下游晶圆制造的生产步骤增加从而使生产成本提高。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。硅在地壳中占比约27%，是除了氧元素之外第二丰富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸盐的形

7、式大量存在于沙子、岩石、矿物中，储量丰富并且易于取得。通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，制成具有特定电性功能的单晶硅锭。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，而熔体中的硼（P）、磷（B）等杂质元素的浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭经过切片、研磨、蚀刻、抛光、外延（如有）、键合

8、（如有）、清洗等工艺步骤，制造成为半导体硅片。在半导体硅片上可布设晶体管及多层互联线，使之成为具有特定功能的集成电路或半导体器件产品。在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。2、半导体硅片的主要种类1965年，戈登摩尔提出摩尔定律：集成电路上所集成的晶体管数量，每隔18个月就提升一倍，相应的集成电路性能增强一倍，成本随之下降一半。对于芯片制造企业而言，这意味着需要不断提升单片硅片可生产的芯片数量、降低单片硅片的制造成本以便与摩尔定律同步。半导体硅片的直径越大，在单片硅片上可制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。

9、半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。在摩尔定律的影响下，半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。为提高生产效率并降低成本，向大尺寸演进是半导体硅片制造技术的发展方向。硅片尺寸越大，在单片硅片上制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。同时，在圆形的硅片上制造矩形的芯片会使硅片边缘处的一些区域无法被利用，必然会浪费部分硅片。硅片的尺寸越大，相对而言硅片边缘的损失会越小，有利于进一步降低芯片的成本。例如，在同样的工艺条件下，300mm半导体硅片的可使用面积超过2

10、00mm硅片的两倍以上，可使用率（衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标）是200mm硅片的2.5倍左右。半导体硅片尺寸越大，对半导体硅片的生产技术、设备、材料、工艺的要求越高。目前，全球市场主流的产品是200mm、300mm直径的半导体硅片，下游芯片制造行业的设备投资也与200mm和300mm规格相匹配。考虑到大部分200mm及以下芯片制造生产线投产时间较早，绝大部分设备已折旧完毕，因此200mm及以下半导体硅片对应的芯片制造成本往往较低，在部分领域使用200mm及以下半导体硅片的综合成本可能并不高于300mm半导体硅片。此外，在高精度模拟电路、射频前端芯片、嵌入式存储器、CMOS（互补金属氧化

11、物半导体）图像传感器、高压MOS等特殊产品方面，200mm及以下芯片制造的工艺更为成熟。综上，200mm及以下半导体硅片的需求依然存在。随着汽车电子、工业电子等应用的驱动，200mm半导体硅片的需求呈上涨趋势。目前，除上述特殊产品外，200mm及以下半导体硅片的需求主要来源于功率器件、电源管理器、非易失性存储器、MEMS、显示驱动芯片与指纹识别芯片等，终端应用领域主要为移动通信、汽车电子、物联网、工业电子等。目前，300mm半导体硅片的需求主要来源于存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、高性能FPGA（现场可编程门阵列）与ASIC（专用集成电路），终端应用主要为智能手机、计算机、云计算、人工

12、智能、SSD（固态存储硬盘）等较为高端领域。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。随着集成电路特征线宽的不断缩小，光刻机的景深也越来越小，硅片上极其微小的高度差都会使集成电路布线图发生变形、错位，这对硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面颗粒度和洁净度对半导体产品的良品率也有直接影响。抛光工艺可去除加工表面残留的损伤层，实现半导体硅片表面平坦化，并进一步减小硅片的表面粗糙度以满足芯片制造工艺对硅片平整度

13、和表面颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层，掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS电路中使用，如通用处理器芯片、图形处理器芯片等，由于外延片相较于抛光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了栅氧化层的完整性，改善了沟道中的漏电现象，从而提升了集成电路的可靠性。除此之外，通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层，应用于二极管、IGBT（绝缘栅

14、双极型晶体管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高电压的环境中，硅衬底的低电阻率可降低导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性，并减少了器件的能耗，因此在工业电子、汽车电子等领域广泛使用。SOI硅片即绝缘体上硅，是常见的硅基材料之一，其核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层。SOI硅片的优势在于可以通过绝缘埋层实现全介质隔离，这将大幅减少硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点。因此，SOI硅片适合应用在要求耐高压、耐恶劣

15、环境、低功耗、集成度高的芯片上，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等。二、 半导体硅片介绍及主要种类1、半导体硅片简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等化合物半导体。相较于锗，硅的熔点为1,415，高于锗的熔点937，较高的熔点使硅可以广泛应用于高温加工工艺中；硅的禁带宽度大于锗，更适合制作高压器件。相较于砷化镓，硅安全无毒、对环境无害，而砷元素为有毒物质；并且锗、砷化镓均没有天然的氧化物，在晶圆制造时还需要在表面沉积多层绝缘体，这会导致下游晶圆制造的生产步骤增加从而使生产成本提高。硅基半导体材料是目前产量最大、应

16、用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。硅在地壳中占比约27%，是除了氧元素之外第二丰富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中，储量丰富并且易于取得。通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，制成具有特定电性功能的单晶硅锭。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单

17、晶硅锭的尺寸和晶体质量，而熔体中的硼（P）、磷（B）等杂质元素的浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭经过切片、研磨、蚀刻、抛光、外延（如有）、键合（如有）、清洗等工艺步骤，制造成为半导体硅片。在半导体硅片上可布设晶体管及多层互联线，使之成为具有特定功能的集成电路或半导体器件产品。在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。2、半导体硅片的主要种类1965年，戈登摩尔提出摩尔定律：集成电路上所集成的晶体管数量，每隔18个月就提升一倍，相应的集成电路性能增强一倍，成本随之下降一半。对于芯片制造企业而言，这意味着需要不断提升单片

18、硅片可生产的芯片数量、降低单片硅片的制造成本以便与摩尔定律同步。半导体硅片的直径越大，在单片硅片上可制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。在摩尔定律的影响下，半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。为提高生产效率并降低成本，向大尺寸演进是半导体硅片制造技术的发展方向。硅片尺寸越大，在单片硅片上制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。同时，在圆形的硅片上制造矩形的芯片会使硅片边缘处的一些区域无法被利用，必然会浪费部

19、分硅片。硅片的尺寸越大，相对而言硅片边缘的损失会越小，有利于进一步降低芯片的成本。例如，在同样的工艺条件下，300mm半导体硅片的可使用面积超过200mm硅片的两倍以上，可使用率（衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标）是200mm硅片的2.5倍左右。半导体硅片尺寸越大，对半导体硅片的生产技术、设备、材料、工艺的要求越高。目前，全球市场主流的产品是200mm、300mm直径的半导体硅片，下游芯片制造行业的设备投资也与200mm和300mm规格相匹配。考虑到大部分200mm及以下芯片制造生产线投产时间较早，绝大部分设备已折旧完毕，因此200mm及以下半导体硅片对应的芯片制造成本往往较低，在部分领域使

20、用200mm及以下半导体硅片的综合成本可能并不高于300mm半导体硅片。此外，在高精度模拟电路、射频前端芯片、嵌入式存储器、CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器、高压MOS等特殊产品方面，200mm及以下芯片制造的工艺更为成熟。综上，200mm及以下半导体硅片的需求依然存在。随着汽车电子、工业电子等应用的驱动，200mm半导体硅片的需求呈上涨趋势。目前，除上述特殊产品外，200mm及以下半导体硅片的需求主要来源于功率器件、电源管理器、非易失性存储器、MEMS、显示驱动芯片与指纹识别芯片等，终端应用领域主要为移动通信、汽车电子、物联网、工业电子等。目前，300mm半导体硅片的需求主要来源于

21、存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、高性能FPGA（现场可编程门阵列）与ASIC（专用集成电路），终端应用主要为智能手机、计算机、云计算、人工智能、SSD（固态存储硬盘）等较为高端领域。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。随着集成电路特征线宽的不断缩小，光刻机的景深也越来越小，硅片上极其微小的高度差都会使集成电路布线图发生变形、错位，这对硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面颗粒度和洁净度对半导体

22、产品的良品率也有直接影响。抛光工艺可去除加工表面残留的损伤层，实现半导体硅片表面平坦化，并进一步减小硅片的表面粗糙度以满足芯片制造工艺对硅片平整度和表面颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层，掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS电路中使用，如通用处理器芯片、图形处理器芯片等，由于外延片相较于抛光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了栅氧化层的完整性，

23、改善了沟道中的漏电现象，从而提升了集成电路的可靠性。除此之外，通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层，应用于二极管、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高电压的环境中，硅衬底的低电阻率可降低导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性，并减少了器件的能耗，因此在工业电子、汽车电子等领域广泛使用。SOI硅片即绝缘体上硅，是常见的硅基材料之一，其核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层。SOI硅片的优势在于可以通过绝缘埋层实现全介质隔离，这将大幅减少硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片

24、具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点。因此，SOI硅片适合应用在要求耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等。第二章 项目绪论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：贵州半导体硅片项目2、承办单位名称：xx（集团）有限公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xxx5、项目联系人：覃xx（二）主办单位基本情况未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。公司满怀信心，发扬

25、“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通

26、过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 （三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx，占地面积约84.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx吨半导体硅片/年。二、 项目提出的理由半导体行业是中国电子信息产业的重要增长点、驱动力。近年来，中国政府颁布了一系列政策支持半导体行业发展。2016年，全国人大发布中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要，明确将培育集成电路产业体系

27、、大力推进先进半导体等新兴前沿领域创新和产业化作为中国近期发展重点。2017年，科技部将300mm硅片大生产线的应用并实现规模化销售列为“十三五”先进制造技术领域科技创新专项规划。2018年，国务院将推动集成电路、新材料等产业发展列入2018年政府工作报告。综合判断，“十三五”时期，贫困落后是主要矛盾、加快发展是根本任务的基本省情没有变，既要“赶”又要“转”的双重任务没有变，快于全国快于西部的发展态势没有变，可以大有作为，也必须奋发有为。必须增强机遇意识、责任意识、忧患意识，倍加珍惜加快发展的好势头，倍加珍惜团结和谐的好局面，倍加珍惜干事创业的好状态，奋发图强，励精图治，凝心聚力肩负起科学发展

28、、后发赶超、同步小康的历史使命。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资34123.02万元，其中：建设投资27699.84万元，占项目总投资的81.18%；建设期利息319.03万元，占项目总投资的0.93%；流动资金6104.15万元，占项目总投资的17.89%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资34123.02万元，根据资金筹措方案，xx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）21101.47万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额13021.55万元。五、 项目预期经济效益

29、规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：73700.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：62209.60万元。3、项目达产年净利润（NP）：8381.04万元。4、财务内部收益率（FIRR）：17.12%。5、全部投资回收期（Pt）：6.08年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：30292.35万元（产值）。六、 原辅材料及设备（一）项目主要原辅材料该项目主要原辅材料包括脂肪酸聚氧、乙烯醚水、脂肪醇聚氧、乙烯醚、脂肪酸聚氧、仲烷基磺酸钠、脂肪醇聚氧、脂肪酸聚氧、渗透剂、水、消泡剂、天然气、氨基改性硅油、非离子乳化剂、冰醋酸、多元嵌段硅油、非离子乳化剂、氨基改性硅油、多

30、元嵌段硅油。（二）主要设备主要设备包括：真空泵、制氮机、捏合机、滤胶机、三辊研研磨机、搅拌分散机、空压机。七、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。八、 环境影响本项目将严格按照“三同时”即三废治理与生产装置同时设计、同时施工、同时建成使用的原则，贯彻执行国家和地方有关环境保护的法规和标准。积极采用先进而成熟的工艺设备，最大限度利用资源，尽可能将三废消除在工艺内部，项目单位及时对生产过程中的噪音、废水、固体废弃物等都要经过处理，避免造成环境污染，确保该项目的建设与实施过程完全符合国家环境保护规范标准。九、 报告编制依据和原则（一）编制依据1

31、、国家建设方针，政策和长远规划；2、项目建议书或项目建设单位规划方案；3、可靠的自然，地理，气候，社会，经济等基础资料；4、其他必要资料。（二）编制原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合

32、治理，使其达到国家规定的排放标准。十、 研究范围1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模及产品方案；4、建设地点与建设条性；5、工程技术方案；6、公用工程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；8、企业组织机构及劳动定员；9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；11、经济评价。十一、 研究结论本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。十二、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积56000.00约84.00亩1.1总建筑

33、面积95910.001.2基底面积31920.001.3投资强度万元/亩314.912总投资万元34123.022.1建设投资万元27699.842.1.1工程费用万元23955.852.1.2其他费用万元3100.902.1.3预备费万元643.092.2建设期利息万元319.032.3流动资金万元6104.153资金筹措万元34123.023.1自筹资金万元21101.473.2银行贷款万元13021.554营业收入万元73700.00正常运营年份5总成本费用万元62209.606利润总额万元11174.727净利润万元8381.048所得税万元2793.689增值税万元2630.7410

34、税金及附加万元315.6811纳税总额万元5740.1012工业增加值万元20691.4613盈亏平衡点万元30292.35产值14回收期年6.0815内部收益率17.12%所得税后16财务净现值万元6018.54所得税后第三章 项目背景分析一、 半导体行业发展情况1、半导体简介半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、氮化镓等化合物半导体。半导体是电子产品的核心，是信息产业的基石，亦被称为现代工业的“粮食”。半导体行业具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点，产业链呈垂直化分工格局。半导体制造

35、产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、汽车电子、医疗电子、工业电子、人工智能、军工航天等行业。2、半导体行业发展情况2018年全球半导体行业销售额4,687.78亿美元，同比增长13.72%；中国半导体行业销售额1,581.00亿美元，同比增长20.22%。2008至2018年，中国半导体行业在国家产业政策、下游终端应用市场发展的驱动下迅速扩张，占全球半导体行业的比重比从18.16%上升至33.73%，在全球半导体行业中的重要性日益上升。半导体行业市场规模总体呈波动上升趋势，与宏观经济、下游应用需求以及自身产能

36、库存等因素密切相关。尽管半导体行业长期处于增长态势，但短期需求呈现一定的波动性。2009年，受全球经济危机影响，全球GDP同比下降1.76%，半导体行业销售额同比下降9.00%；2010年，宏观经济回暖，全球GDP同比增长4.32%，半导体行业销售额因宏观经济上行与第四代iPhone、第一代iPad等终端电子产品的兴起，同比增速高达31.80%，处于历史增长高位；2011年至2016年，全球GDP以3%左右的增长率低速发展，半导体行业销售额增速亦在10%以下。2017年，全球GDP增速3.14%，但因半导体产品终端市场需求强劲，下游传统应用领域计算机、移动通信、固态硬盘、工业电子市场持续增长，

37、新兴应用领域如人工智能、区块链、物联网、汽车电子的快速发展，全球半导体销售收入实现21.60%的年增长率，标志着全球半导体行业进入了新一轮的、受终端需求驱动的上行周期。WSTS预测2019年全球半导体市场规模为4,065.87亿美元，同比下降13.30%，并预测2020年全球半导体市场将出现反弹，市场规模达4,260.75亿美元，同比上升4.8%。虽然中国半导体行业销售规模持续扩张，但中国半导体产业依然严重依赖进口。根据海关总署统计，2018年，中国集成电路进口金额达3,120.58亿美元，连续第四年超过原油进口金额，位列中国进口商品第一位，并且贸易逆差还在不断扩大。中国半导体产业国产化进程严

38、重滞后于国内快速增长的市场需求，中国半导体企业进口替代空间巨大。当前，中国半导体产业正处于产业升级的关键阶段，实现核心技术的“自主可控”是中国半导体产业现阶段最重要的目标。半导体产业按产品类别可分为集成电路、光电子器件、分立器件和传感器四类。2018年，全球集成电路、光电子器件、分立器件和传感器销售额分别为3,932.88亿美元、380.32亿美元、241.02亿美元和133.56亿美元，较2017年分别增长14.60%、9.25%、11.32%和6.24%，在全球半导体行业占比分别为83.90%、8.11%、5.14%和2.85%。集成电路系半导体行业中增速最快、占比最高的行业。3、半导体材

39、料行业发展情况半导体材料包括半导体制造材料与半导体封测材料。根据SEMI统计，2018年全球半导体制造材料市场规模为330.18亿美元，同比增长17.14%；全球半导体封装测试材料市场规模预计为197.01亿美元，同比增长3.02%。2009年至今，制造材料市场规模增速一直高于封测材料市场增速。2009年，制造材料市场规模与封测材料市场规模相当，经过近十年发展，制造材料市场规模是封测材料市场规模的1.68倍。半导体制造材料主要包括硅片、电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等。根据SEMI统计，2018年硅片、电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品的销售额分别为

40、120.98亿美元、42.73亿美元、40.41亿美元、22.76亿美元，分别占全球半导体制造材料行业36.64%、12.94%、12.24%、6.89%的市场份额。半导体硅片占比最高，为半导体制造的核心材料。二、 半导体硅片需求情况90%以上的芯片需要使用半导体硅片制造。半导体硅片企业的下游客户是芯片制造企业，包括大型综合晶圆代工企业及专注于存储器制造、传感器制造与射频芯片制造等领域的芯片制造企业。半导体硅片的终端应用领域涵盖智能手机、便携式设备、物联网、汽车电子、人工智能、工业电子、军事、航空航天等众多行业。随着科学技术的不断发展，新兴终端市场还将不断涌现。1、下游产能情况（1）芯片制造产

41、能情况2017至2020年，全球芯片制造产能（折合成200mm）预计将从1,985万片/月增长至2,407万片/月，年均复合增长率6.64%；中国芯片制造产能从276万片/月增长至460万片/月，年均复合增长率18.50%。近年来，随着中芯国际、华力微电子、长江存储、华虹宏力等中国大陆芯片制造企业的持续扩产，中国大陆芯片制造产能增速高于全球芯片产能增速。随着芯片制造产能的增长，对于半导体硅片的需求仍将持续增长。目前，中国大陆企业的300mm芯片制造产能低于200mm芯片制造产能。随着中国大陆芯片制造企业技术实力的不断提升，预计到2020年，中国大陆企业300mm制造芯片产能将会超过200mm制

42、造芯片制造产能。（2）半导体器件需求增速情况3DNAND存储器芯片主要使用300mm抛光片。近年来，3DNAND存储器的产能快速增长，其主要原因是用于大数据存储的固态硬盘SSD（SolidStateDisk）需求的增长以及智能手机与便携式设备单位存储密度的提升。SEMI预计，2019年3DNAND存储器芯片产能增速将达4.01%，3DNAND存储器芯片产能的快速增长将拉动对300mm抛光片的需求。图像传感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。图像传感器用于将光学影像转化为数字信号，在智能手机、汽车电子、视频监视网络中广泛应用。随着多摄像头手机成为市场的主流产品，预计2019年图像传感器产能增速将

43、达到21%，图像传感器将成为半导体行业近年增长最强劲的细分领域之一。功率器件主要用于电子电力的开关、功率转换、功率放大、线路保护等，是在电力控制电路和电源开关电路中必不可少的电子元器件，主要使用200mm及以下抛光片与SOI硅片。2、全球晶圆代工市场规模2016年、2017年、2018年，全球晶圆代工市场规模分别为500.05亿美元、548.17亿美元、577.32亿美元，年均复合增长率7.45%。根据ICInsights统计，受益于中国近年来IC设计公司数量的增长、规模的扩张，中国晶圆代工企业业务规模随之扩大。2017年，中国晶圆代工企业销售收入增长30%，实现收入75.72亿美元；2018

44、年，中国晶圆代工企业销售收入增速进一步提高，高达41%，是2018年全球晶圆代工市场规模增速5%的8倍，实现收入106.90亿美元。3、半导体芯片制造市场规模根据WSTS分类标准，半导体芯片主要可分为集成电路、分立器件、传感器与光电子器件四种类别，其中，集成电路包括存储器、模拟芯片、逻辑芯片与微处理器。2018年，全球半导体销售额4,687.78亿美元，其中，集成电路、光电子器件、分立器件和传感器销售额分别为3,932.88亿美元、380.32亿美元、241.02亿美元和133.56亿美元。（1）集成电路市场规模2016年至2018年，在大数据存储的固态硬盘SSD（SolidStateDisk

45、）需求的增长，以及智能手机与便携式设备单位存储密度的提升的带动下，存储器销售额由767.67亿美元大幅增长至1,579.67亿美元，年均复合增长率43.45%。（2）传感器市场规模2016年至2018年，传感器销售额从108.21亿美元上升至133.56亿美元，年均复合增长率达11.10%。传感器主要包括单一材料传感器、复合材料CMOS传感器与MEMS传感器。随着多摄像头手机的普及，CMOS图像传感器增长迅速；手机新增的指纹识别功能也增加了对于传感器的需求；自动驾驶技术的快速发展，增加了对图像传感器、激光雷达、超声波传感器多种类型传感器的需求。三、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目

46、的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第四章 建设方案与产品规划一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积56000.00（折合约84.00亩），预计场区规划总建筑面积95910.00。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx（集团）有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx吨半导体硅片，预计年营业收入73700.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项

47、目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1半导体硅片吨xxx2半导体硅片吨xxx3半导体硅片吨xxx4.吨5.吨6.吨合计xx73700.00随着集成电路特征线宽的不断缩小，光刻机的景深也越来越小，硅片上极其微小的高度差都会使集成电路布线图发生变

48、形、错位，这对硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面颗粒度和洁净度对半导体产品的良品率也有直接影响。抛光工艺可去除加工表面残留的损伤层，实现半导体硅片表面平坦化，并进一步减小硅片的表面粗糙度以满足芯片制造工艺对硅片平整度和表面颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。第五章 建筑工程说明一、 项目工程设计总体要求（一）建筑工程采用的设计标准1、建筑设计防火规范2、建筑抗震设计规范3、建筑抗震设防分类标准4、工业建筑防腐蚀设计规范5、工业企业噪声控制设计规范6、建筑内部装修设计防火规范7、建筑地面设计规范8、厂房建

49、筑模数协调标准9、钢结构设计规范（二）建筑防火防爆规范本项目在建筑防火设计中从防止火灾发生和安全疏散两方面考虑。一是防火。所有建筑均采用一、二级耐火等级，室内装修均采用不燃或难燃材料，使火灾不易发生，即使发生也不易迅速蔓延，同时建筑内均设置了消火栓。防火分区面积满足建筑设计防火规范要求。二是疏散。建筑的平面布局、建筑物间距、道路宽度等均应满足防火疏散的要求，便于人员疏散。建筑物的平面布置、空间尺寸、结构选型及构造处理根据工艺生产特征、操作条件、设备安装、维修、安全等要求，进行防火、防爆、抗震、防噪声、防尘、保温节能、隔热等的设计。满足当地规划部门的要求，并执行工程所在地区的建筑标准。（三）主要

50、车间建筑设计在满足生产使用要求的前提下，本着“实用、经济”条件下注意美观的原则，确定合理的建筑结构方案，立面造型简洁大方、统一协调。认真贯彻执行“适用、安全、经济”方针。因地制宜，精心设计，力求作到技术先进、经济合理、节约建设资金和劳动力，同时，采用节能环保的新结构、新材料和新技术。（四）本项目采用的结构设计标准1、建筑抗震设计规范2、构筑物抗震设计规范3、建筑地基基础设计规范4、混凝土结构设计规范5、钢结构设计规范6、砌体结构设计规范7、建筑地基处理技术规范8、设置钢筋混凝土构造柱多层砖房抗震技术规程9、钢结构高强度螺栓连接的设计、施工及验收规程（五）结构选型1、该项目拟选项目选址所在地区基

51、本地震烈度为7度。根据现行建筑抗震设计规范的规定，本项目按当地基本地震烈度执行9度抗震设防。2、根据项目建设的自身特点及项目建设地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求，确定本项目生产车间采用钢结构，采用柱下独立基础。3、建筑结构的设计使用年限为50年，安全等级为二级。二、 建设方案1、本项目建构筑物完全按照现代化企业建设要求进行设计，采用轻钢结构、框架结构建设，并按建筑抗震设计规范（GB500112010）的规定及当地有关文件采取必要的抗震措施。整个厂房设计充分利用自然环境，强调丰富的空间关系，力求设计新颖、优美舒适。主要建筑物的围护结构及屋面，符合建筑节能和防渗漏的要求；车间厂房设有天窗进

52、行采光和自然通风，应选用气密性和防水性良好的产品。.2、生产车间的建筑采用轻钢框架结构。在符合国家现行有关规范的前提下，做到结构整体性能好，有利于抗震防腐，并节省投资，施工方便。在设计上充分考虑了通风设计，避免火灾、爆炸的危险性。.3、建筑内部装修设计防火规范，耐火等级为二级；屋面防水等级为三级，按照屋面工程技术规范要求施工。.4、根据地质条件及生产要求，对本装置土建结构设计初步定为：生产车间采用钢筋混凝土独立基础。.5、根据项目的自身情况及当地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求，确定本项目生产生间拟采用全钢结构。.6、本项目的抗震设防烈度为6度，设计基本地震加速度值为 0.05g，建筑抗

53、震设防类别为丙类，抗震等级为三级。.7、建筑结构的设计使用年限为50年，安全等级为二级。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积95910.00，其中：生产工程58930.70，仓储工程16665.43，行政办公及生活服务设施7928.91，公共工程12384.96。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程16279.2058930.707608.311.11#生产车间4883.7617679.212282.491.22#生产车间4069.8014732.671902.081.33#生产车间3907.0114143.371825.991.44#生产车间34

54、18.6312375.451597.752仓储工程7341.6016665.431871.882.11#仓库2202.484999.63561.562.22#仓库1835.404166.36467.972.33#仓库1761.983999.70449.252.44#仓库1541.743499.74393.093办公生活配套1761.987928.911250.943.1行政办公楼1145.295153.79813.113.2宿舍及食堂616.692775.12437.834公共工程6384.0012384.961161.70辅助用房等5绿化工程6781.60110.53绿化率12.11%6其他

55、工程17298.4086.087合计56000.0095910.0012089.44第六章 法人治理结构一、 股东权利及义务1、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配；（2）依法请求、召集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会，并行使相应的表决权；（3）对公司的经营进行监督，提出建议或者质询；（4）依照法律、行政法规及本章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份；（5）查阅本章程、股东名册、公司债券存根、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议、财务会计报告；（6）公司终止或者清算时，按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配；（7）对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东，要求公司收购其股份；（8）法律、行政法规、部门规章或本章程规定的其他权利。2、公司股东大会、董事会决议内容违反法