5场效应管及其基本放大电路PPT学习教案

1、会计学1 5场效应管及其基本放大电路场效应管及其基本放大电路PPT课件课件 栅极栅极 漏极漏极 源极源极 导电导电 沟道沟道 第1页/共22页 此时此时UGD= UGS =UGS（ （off） 第2页/共22页 预夹预夹 断断 uGDUGS （off） uGDUGS（ （off） uGD UGS（ （th） uGD VT ， ， VT 0 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET ： vGS VT ， ， VT 0 P沟道增强型沟道增强型MOSFET ： vGS VT ， ， VT 0 P沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET ： vGS 0 4 4种种MOSFET导通时有如下不同特点：导通时有如下不同特

2、点： 2 2种种JFET导通时有如下特点：导通时有如下特点： N沟道沟道JFET ： VT vGS 0 ， ， VT 0 P沟道沟道JFET ： 0 vGS 0 iD(mA ) vGS (V ) 30 (a) (a)N沟道增强型沟道增强型MOSFET 解：解： iD(mA ) vGS (V ) -20 (b) (b)N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET 第12页/共22页 iD(mA ) vGS (V ) -30 (c) iD(mA ) vGS (V )-3 0 (d) iD(mA ) vGS (V ) 20 (e) iD(mA ) vGS (V ) 30 (f) (c)N沟道沟道JFET(d)

3、P沟道增强型沟道增强型MOSFET (e)P沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET(f)P沟道沟道JFET 第13页/共22页 dDQDDDSQ 2 GS(th) BB DODQ BBGSQ ) 1( RIVU U V II VU 1. 基本共源放大电路 5.2 5.2 场效应管基本放大电路 第14页/共22页 sDQSQGQGSQ sDQSQGQ 0 RIUUU RIUU ， 2 GS(off) GSQ DSSDQ )1 ( U U II )( sdDQDDDSQ RRIVU 由正电源获得负偏压由正电源获得负偏压 称为自给偏压称为自给偏压 第15页/共22页 sDQSQ DD g2g1 g1 AQ

4、GQ RIU V RR R UU 2 GS(th) GSQ DODQ ) 1( U U II )( sdDQDDDSQ RRIVU 典型的典型的Q点稳定电路点稳定电路 第16页/共22页 求静态工作点./1 . 0,1 5,30,60,90 2 21 VmAKVV VVkRkRkR nT DDdgg mAVVKI TGSnD 1 . 0) 12( 1 . 0)( 22 VRIVV dDDDDS 2301 . 05 满足满足VDS VGS -VT ，假设成立，结果，假设成立，结果即为所求。即为所求。 VV RR R V DD gg g GS 25 9060 60 21 2 解：解： 可见可见VGS VT ，假设工作在饱和区。，假设工作在饱和区。 第17页/共22页 DS GS D mU u i g 近似分析时可认近似分析时可认 为其为无穷大！为其为无穷大！ 根据根据iD的表达式或转移特性可求得的表达式或转移特性可求得 gm。 5.2.2 场效应管的交流等效模型 第18页/共22页 do i dm gs dd i o RR R Rg U RI U U A u 第19页/共22页 i sm sm sdgs sd i o 1 R Rg Rg