模拟电子电路 第三章场效应管及其基本电路

1、2021-7-12模拟电子技术1 第三章第三章 场效应管及其基本电路场效应管及其基本电路 （1）了解场效应管内部工作原理及性能特点。）了解场效应管内部工作原理及性能特点。 （2）掌握场效应管的外部特性、主要参数。）掌握场效应管的外部特性、主要参数。 （3）了解场效应管基本放大电路的组成、工作原）了解场效应管基本放大电路的组成、工作原 理及性能特点。理及性能特点。 （4）掌握放大电路静态工作点和动态参数（）掌握放大电路静态工作点和动态参数（ ）的分析方法。）的分析方法。omoi URRAu、 2021-7-12模拟电子技术2 场效应晶体管（场效应管）利用多数载流 子的漂移运动形成电流。 场效应管

2、FET (Field Effect Transistor) 结型场效应管JFET 绝缘栅场效应管IGFET 双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数 载流子的扩散运动形成电流。 2021-7-12模拟电子技术3 JFET：利用栅源电压（ 输入电压）对耗尽层厚度 的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极 电流（输出电流）的控制。 IGFET：利用栅源电压（ 输入电压）对半导体表面 感生电荷量的控制来改变导电沟道的宽度，从而实 现对漏极电流（输出电流）的控制。 FET 输入电压输入电压输出电流输出电流 2021-7-12模拟电子技术4 N沟道沟道 P沟道沟道 增强型增强型 耗尽型耗尽型 N沟道沟道

3、P沟道沟道 N沟道沟道 P沟道沟道 （耗尽型）（耗尽型） FET 场效应管场效应管 JFET 结型结型 MOSFET 绝缘栅型绝缘栅型 (IGFET) 分类：分类： 2021-7-12模拟电子技术5 31 结型场效应管结型场效应管 311 结型场效应管的结构及工作原理结型场效应管的结构及工作原理 N 型 沟 道 PP D G S D S G (a)N沟道JFET 图31结型场效应管的结构示意图及其表示符号 Gate栅极 Source源极 Drain 漏极 箭头方向表示栅 源间PN结若加 正向偏置电压时 栅极电流的实际 流动方向 ID 实际 流向 结型场效应三极管的结构结型场效应三极管的结构.a

4、vi 2021-7-12模拟电子技术6 P 型 沟 道 NN D G S D S G (b)P沟道JFET 图31结型场效应管的结构示意图及其表示符号 ID 实际 流向 2021-7-12模拟电子技术7 D G S D G S (a) N型沟道 PP N 型 沟 道 源极 栅极 漏极D G S (b) P型沟道 NN P 型 沟 道 源极 栅极 漏极 D G S (c) N沟道(d) P沟道 图3-1 结型场效应管的结构示意图和符号 2021-7-12模拟电子技术8 3.1.2 工作原理工作原理 N 型 沟 道 D G S (a) UGS 0 PP ID0 N 型 沟 道 D G S (b)

5、UGS 0 PP ID0 UGS D G S (c) UGS UP PP ID0 UGS 图 4-2 当UDS=0时UGS对导电沟道的影响示意 1. UGS对导电沟道的影响 2021-7-12模拟电子技术9 N D G S PP (a) UGS =0，沟道最宽 图32栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图 2021-7-12模拟电子技术10 (b) UGS负压增大，沟道变窄 D S PP UGS 图32栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图 横向电场作用： UGS PN结耗尽层宽度 沟道宽度 2021-7-12模拟电子技术11 (c) UGS负压进一步增大，沟道夹断 图32栅源电压UGS对沟道的控

6、制作用示意图 D S PP UGS UGSoff夹断电压 2021-7-12模拟电子技术12 图33JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线；(b)输出特性曲线 uGS/V 0123 1 2 3 4 5IDSS UGSoff iD/mA (a) 2021-7-12模拟电子技术13 2. ID与与UDS、UGS之间的关系之间的关系 N D G S (a) UGS0, UDG| UP| UDS ID UGS N D G S UDS UGS ID PPPP ISIS (b) UGS0 , UDG| UP| 预夹断 D G S UDS UGS ID PP IS (c) UGSUP ,

7、UDG| UP| 夹断 图 3-3 UDS对导电沟道和ID的影响 2021-7-12模拟电子技术14 312 结型场效应管的特性曲线结型场效应管的特性曲线 一、转移特性曲线一、转移特性曲线 2 )1 ( GSoff GS DSSD U u Ii CuGSD DS ufi )( 式中：IDSS饱和电流，表示uGS=0时的iD值； UGSoff夹断电压，表示uGS=UGSoff时iD为零。 恒流区中： uGS0， iD0 2021-7-12模拟电子技术15 2. 转移特性曲线转移特性曲线 常数 DS UGSD UfI)( iD / mA 6 5 4 3 2 1 uGS / V UDS 4V UP

8、4 V 01234 IDSS 图4- 5 N沟道结型场效应管的转移特性曲线 2 1 P GS DSSD U U II 2021-7-12模拟电子技术16 根据工作情况, 输出特性可划分为4个区域, 即: 可 变电阻区、 恒流区、击穿区和截止区。 2021-7-12模拟电子技术17 二、输出特性曲线二、输出特性曲线 1. 可变电阻区 iD的大小同时受uGS 和uDS的控制。 栅、漏间电压uGDUGSoff（或uDSUGSoff 预夹断前所对应的区域。 uGS0， uDS0 2021-7-12模拟电子技术18 图33JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线；(b)输出特性曲线 1

9、2 3 4 iD/mA 0 1020 uDS/V 可 变 电 阻 区 恒 截止区 2V 1.5V 1V UDSUGSUGSoff 515 流 区 击 穿 区 UGS0V (b) UGSoff 0.5V 2021-7-12模拟电子技术19 当uDS很小时， uDS对沟道的影响可以忽略， 沟道的宽度及相应的电阻值仅受uGS的控制。输 出特性可近似为一组直线，此时，JFET可看成一 个受uGS控制的可变线性电阻器（称为JFET的输 出电阻）； 当uDS较大时， uDS对沟道的影响就不能忽略， 致使输出特性曲线呈弯曲状。 2021-7-12模拟电子技术20 2.恒流区 iD的大小几乎不受uDS的控制。

10、 预夹断后所对应的区域。 栅、漏间电压uGDuGS-UGSoff） 栅、源间电压uGSUGSoff 2021-7-12模拟电子技术21 (1)当UGSoffuGS0时，uGS变化，曲线平移，iD与uGS 符合平方律关系， uGS对iD的控制能力很强。 (2) uGS固定，uDS增大，iD增大极小。 2021-7-12模拟电子技术22 4.击穿区 随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压 uDG(=uDS-uGS)也随之增大。 当UGSUGSoff时，沟道被全部夹断，iD=0，故 此区为截止区。 3. 截止区 2021-7-12模拟电子技术23 图34 uDS对导电沟道的影响 D G S (a)

11、 UDS ID0 UGS D G S (b) UDS UGS 沟道局部夹断 IDIDSS PPPP 截止区 （恒流区）饱和区且 临界饱和区 可变电阻区 )( )()( )( )( offGSGS offGSGSoffGSDSGS offGSDSGS offGSDSGS uu uuuuu uuu uuu G D(2V) S(0V) -4 -5 -6 -7.5 Vu offGS 7 )( 设 2021-7-12模拟电子技术24 综上分析可知综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管所以场效应管也称为单极型三极管。

12、JFETJFET是电压控制电流器件，是电压控制电流器件，i iD D受受v vGS GS控制 控制 预夹断前预夹断前i iD D与与v vDS DS呈近似线性关系；预夹断后， 呈近似线性关系；预夹断后， i iD D趋趋 于饱和。于饱和。 JFET JFET栅极与沟道间的栅极与沟道间的PNPN结是反向偏置的，因结是反向偏置的，因 此此i iG G 0 0，输入电阻很高。，输入电阻很高。 2021-7-12模拟电子技术25 32 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管(IGFET) 栅极与沟道之间隔了一层很薄的绝缘体，其阻 抗比JFET的反偏PN结的阻抗更大。功耗低，集 成度高。 绝缘体一般为二氧化硅（S

13、iO2），这种IGFET称 为金属氧化物半导体场效应管，用符 号MOSFET表示（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。此外，还有以氮化硅 为绝缘体的MNSFET等。 一、简介一、简介 2021-7-12模拟电子技术26 (a) 源极栅极漏极 氧化层 (SiO2) B W P型衬底 NN L 耗 尽 层 A1层 S GD 图35绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图 (a)立体图；(b)剖面图 2021-7-12模拟电子技术27 MOSFET N沟道 P沟道 增强型 N-EMOSFET 耗尽型 增强型 耗尽型 N-DMO

14、SFET P-EMOSFET P-DMOSFET 二、分类二、分类 2021-7-12模拟电子技术28 321 绝缘栅场效应管的结构绝缘栅场效应管的结构 322 N沟道增强型沟道增强型MOSFET (Enhancement NMOSFET) 一、导电沟道的形成及工作原理一、导电沟道的形成及工作原理 2021-7-12模拟电子技术29 图36N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号 B (b) N UDS 导电沟道 P型衬底 UGS N D G S (c) B 2021-7-12模拟电子技术30 二、转移特性二、转移特性 (1)当uGSUGSth时，iD 0，二者符合平方律关系。 2 )( 2

15、 GSthGS oxn D Uu L WCu i 2 )( GSthGS Uuk iD0 2021-7-12模拟电子技术31 式中：UGSth开启电压(或阈值电压)； n沟道电子运动的迁移率； Cox单位面积栅极电容； W沟道宽度； L沟道长度(见图35(a)； W/LMOS管的宽长比。 在MOS集成电路设计中，宽长比是一 个极为重要的参数。 2021-7-12模拟电子技术32 iD 0)(VuGS GSth U (a).转移特征曲线转移特征曲线: 2021-7-12模拟电子技术33 三、输出特性三、输出特性 (1)截止区 uDS0 uGSUGSth uGDUGSth（或uDSUGSth uG

16、DuGS-UGSth） 2021-7-12模拟电子技术36 G D(1V) S(0V) 4 3 2.5 1.5 设VuGSth2 截止区 （恒流区）饱和区且 临界饱和区 可变电阻区 GSthGS GSthGSGSthDSGS GSthDSGS GSthDSGS uu uuuuu uuu uuu 2021-7-12模拟电子技术37 323 N沟道耗尽型沟道耗尽型 MOSFET (Depletion NMOSFET) 2 0 )1 ( GSoff GS DD U u Ii 式中： ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。 )( 2 2 0 GSoff oxn D U L WCu I 2021-7-

17、12模拟电子技术38 iD uGSUGSoff0 (a) ID0 图310N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 2021-7-12模拟电子技术39 图310N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 1 2 3 4 iD/mA 0 1020 uDS/V 0V 515 (b) UGS 3V 6V 3V GSoffGSDS Uuu 2021-7-12模拟电子技术40 图310N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 (c) D G S B 2021-7-12模拟电子技术41 3

18、24各种类型各种类型MOS管的符号及特性对比管的符号及特性对比 D G S D G S N沟道 P沟道 结型 FET 图311各种场效应管的符号对比 2021-7-12模拟电子技术42 D S G B D S G B D S G B D S G B N沟 道P沟 道 增 强 型 N沟 道P沟 道 耗 尽 型 MOSFET 图311各种场效应管的符号对比 2021-7-12模拟电子技术43 iD uGSUGSoff0 IDSS ID0 UGSth 结型P沟 耗尽型 P沟 增强型 P沟 MOS 耗尽型 N沟 增强型 N沟 MOS 结型N沟 图312各种场效应管的转移特性和输出特性对比 (a)转移特

19、性 N沟道：0 D i P沟道：0 D i 2021-7-12模拟电子技术44 图312各种场效应管的转移特性和输出特性对比 uDS iD 0 线性线性可变电阻区可变电阻区 0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 1 2 3 3 4 5 6 7 8 9 结型 P 沟 耗尽型 MOS P沟 3 4 5 6 0 1 2 0 1 2 3 1 2 33 4 5 6 7 8 9 结型 N沟 耗尽型 增强型 MOS N沟 UGS/V UGS/V 增强型 (b)输出特性 N沟道：0 D i P沟道：0 D i )( GSthGSoffGSDS uuuu 2021-7-12模拟电子技术45 33 场效应管

20、的参数和小信号模型场效应管的参数和小信号模型 331 场效应管的主要参数场效应管的主要参数 一、直流参数一、直流参数 1. 结型场效应管和耗尽型MOSFET的主要参数 (1)饱和漏极电流IDSS(ID0)： (2)夹断电压UGSoff：当栅源电压uGS=UGSoff时，iD=0。 IDSS指的是对应uGS=0时的漏极电流。 2.增强型MOSFET的主要参数 对增强型MOSFET来说，主要参数有开启电压UGSth。 2021-7-12模拟电子技术46 3.输入电阻RGS 对结型场效应管，RGS在1081012之间。 对MOS管，RGS在10101015之间。 通常认为RGS 。 二、极限参数二、

21、极限参数 (1)栅源击穿电压U(BR)GSO。 (2)漏源击穿电压U(BR)DSO。 (3)最大功耗PDM：PDM=IDUDS 2021-7-12模拟电子技术47 D G S D G S N沟道 P沟道 结型FET 图311各种场效应管的 符号对比 D S G B D S G B D S G B D S G B N 沟 道P 沟 道 增 强 型 N 沟 道P 沟 道 耗 尽 型 M O S F E T 2021-7-12模拟电子技术48 三、交流参数三、交流参数 1跨导gm )/(Vm du di g Cu GS D m DS 对JFET和耗尽型MOS管，电流方程为 2 )1 ( GSoff

22、GS DSSD U u Ii 那么，对应工作点Q的gm为 式中，IDQ为直流工作点电流。 DSS DQ GSoff DSS GSoff GS GSoff DSS Q GS D m I I U I U u U I du di g 2 )1 ( 直流工作点电流IDQ ，gm 。 2021-7-12模拟电子技术49 22 )()( 2 GSthgsGSthgs oxn D UukUu L WCu i 而对增强型MOSFET，其电流方程为 那么，对应工作点Q的gm为 DQDQ oxn m kII L WCu g2 2 直流工作点电流IDQ ，gm 。 2021-7-12模拟电子技术50 2.输出电阻r

23、ds GSQ u D DS ds di du r 恒流区的rds可以用下式计算： 其中，UA为厄尔利电压。 DQ A ds I U r D S G B 2021-7-12模拟电子技术51 D G S D G S N沟道 P沟道 结型FET 图311各种场效应管的 符号对比 D S G B D S G B D S G B D S G B N 沟 道P 沟 道 增 强 型 N 沟 道P 沟 道 耗 尽 型 M O S F E T 2021-7-12模拟电子技术52 图38输出特性 uDS iD 0 UGS UA(厄尔利电压) (b)厄尔利电压 2021-7-12模拟电子技术53 DS ds GSm

24、DS DS D GS GS D D DSGSD du r dugdu u i du u i di uufi 1 ),( 若输入为正弦量，上式可改写为 ds ds gsmd U r UgI 1 通常rds较大，Uds对Id的影响可以忽略，则 332 场效应管的低频小信号模型场效应管的低频小信号模型 gsmd UgI 2021-7-12模拟电子技术54 rds (a) gmUgs Uds Id D S (b) gmUgs Uo Id D S 图313 场效应管低频小信号简化模型 2021-7-12模拟电子技术55 34 场效应管放大器场效应管放大器 341 场效应管偏置电路场效应管偏置电路 偏置方

25、式 自偏压方式 混合偏置方式 确定直流工 作 点 方 法 图解法 解析法 适宜 JFET、DMOSFET 适宜 JFET、DMOSFET、EMOSFET 2021-7-12模拟电子技术56 图314场效应管偏置方式 (a)自偏压方式； (b)混合偏置方式 RD UDD RS(自偏压 电阻) ui RG V (a) RD UDD RS(自偏压 电阻) ui RG2 (b) RG1 (分压式 偏置) RD UDD RS(自偏压 电阻) ui RG V (a) 2021-7-12模拟电子技术57 一、图解法一、图解法 SDGS Riu SDDD GG G GS RiU RR R u 21 2 栅源回

26、路直流负载线方程 1.对于自偏压方式 2.对于混合偏置方式 栅源回路直流负载线方程 RD UDD RS(自偏压 电阻) ui RG V (a) RD UDD RS(自偏压 电阻) ui RG2 (b) RG1 (分压式 偏置) 2021-7-12模拟电子技术58 RD UDD RS(自偏压 电阻) ui RG V (a) SDGS Riu 栅源回路直流负载线方程 1.对于自偏压方式图解法图解法 iD uGS0 (a) Q1Q2 RS 1 - 2021-7-12模拟电子技术59 2.对于混合偏置方式 图解法图解法 iD uGS0 (b) Q1 Q2 Q2 Q3 Q3 RS 1 - RG1+RG2

27、 RG2 UDD RD UDD RS(自偏压 电阻) ui RG2 RG1 (分压式 偏置) SDDD GG G GS RiU RR R u 21 2 栅源回路直流负载线方程 2021-7-12模拟电子技术60 解析法解析法 SDGS GSoff GS DSSD Riu U U Ii 2 )1 ( 已知电流方程及栅源直流负载线方程，联立 求解即可求得工作点. 例如对于自偏压方式 如： 2021-7-12模拟电子技术61 Ui C2 C1 RD RG1 RS UDD 20V RG2 150k 50k 2k 10k RL 1M (a) Uo . RG31M . C3 图316共源放大器电路及其低频

28、小信号等效电路 (a)电路；(b)低频小信号等效电路 342场效应管放大器分析场效应管放大器分析 一、共源放大器一、共源放大器 2021-7-12模拟电子技术62 rds D S Uo . RDRL Ui . G RG3 RG2RG1 (b) gmUgs . 图316共源放大器电路及其低频小信号等效电路 (a)电路；(b)低频小信号等效电路 2021-7-12模拟电子技术63 式中， ，且一般满足RDRLrds。所以， 共源放大器的放大倍数Au为 若gm=5mA/V，则Au=50。 igs UU )( LDm i o u RRg U U A rds D S Uo . RDRL Ui . G R

29、G3 RG2RG1 (b) gmUgs . )( LDdsgsmo RRrUgU 2021-7-12模拟电子技术64 rds D S Uo . RDRL Ui . G RG3 RG2RG1 (b) gmUgs . kRrRR DdsDo 10 输入电阻： 输出电阻： MRRRR GGGi 0375. 1 213 2021-7-12模拟电子技术65 例例 场效应管放大器电路如图318(a)所示，已知工 作点的gm=5mA/V，试画出低频小信号等效电路，并 计算增益Au。 ui C2 C1 C3 RD uo RG1 RG3 RS2 UDD RG2 RS1 150k 50k 2k 10k 1k 1M

30、 RL 1M gm2mA/V 2021-7-12模拟电子技术66 ui C2 C1 C3 RD uo RG1 RG3 RS2 UDD RG2 RS1 150k 50k 2k 10k 1k 1M RL 1M gm2mA/V 图318带电流负反馈的放大电路 (a)电路；(b)等效电路；(c)简化等效电路 (a) 1sgsmgsi RUgUU 2021-7-12模拟电子技术67 RS1 rds D S Uo . RDRL + - + - Ui . G RG3 RG2RG1 gmUgs . )( 1S di m gs m dRIUgUgI 输出电压 )( LD doRRIU i Sm m dU Rg

31、g I 1 1 故 3 . 8 )( 1 1 Lm LD Sm m i o u Rg RR Rg g U U A 2021-7-12模拟电子技术68 1. 放大倍数Au i Lm m d L di mLS di m gs m d i LS d i o u U Rg g I RIUgRRIUgUgI U RRI U U A 1 )( )( 式中： 故 所以 33 33 106 . 11021 106 . 1102 1 Lm Lm u Rg Rg A 2021-7-12模拟电子技术69 图318带电流负反馈的放大电路 (a)电路；(b)等效电路；(c)简化等效电路 gmUgs . D S Uo .

32、 RS1 RDRL rds (b)(c) Uo . RL 1gmRS1 gmUi . 2021-7-12模拟电子技术70 C2 C1 RG1 RS UDD RG2 150k 50k 2k RL 10k Uo . RG3 1M Ui . gm2mA/V 图319共漏电路及其等效电路 (a)电路；(b)等效电路 二、共漏放大器二、共漏放大器 2021-7-12模拟电子技术71 图319共漏电路及其等效电路 (a)电路；(b)等效电路 (b) Uo . RLRS S D Id . gmUgs . gmUiId(RSR L) . 2021-7-12模拟电子技术72 1. 放大倍数Au )( L di

33、mLS di m gs m dRIUgRRIUgUgI 式中： 故 所以 33 33 106 . 11021 106 . 1102 1 Lm Lm u Rg Rg A C2 C1 RG1 RS UDD RG2 150k 50k 2k RL 10k Uo . R G3 1M Ui . gm 2mA/V i LS d i o u U RRI U U A )( i Lm m dU Rg g I 1 2021-7-12模拟电子技术73 C 1 R G1 R S U DD (a) R G2 R o I o . U o . 图320计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路 2. 输出电阻Ro C2 C1 RG1

34、 RS UDD RG2 150k 50k 2k RL 10k Uo . R G3 1M Ui . gm 2mA/V 2021-7-12模拟电子技术74 图320计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路 R S (b) I S . I o . g m U gs . g m ( U o) . U o . R o I S R C 1 R G1 R S U DD (a) R G2 R o I o . U o . 2021-7-12模拟电子技术75 o m o m gs m S S o R SRo UgUgUgI R U I III S S )( 由图可见 式中： 所以，输出电阻为 400 102 1 102

35、 1 3 3 m So g RR m S o m S o o o o o g R Ug R U U I U R 1 11 1 2021-7-12模拟电子技术76 3.输入电阻 M RRRRR GGGGi 0375. 1 213 C2 C1 RG1 RS UDD RG2 150k 50k 2k RL 10k Uo . R G3 1M Ui . gm 2mA/V 2021-7-12模拟电子技术77 2021-7-12模拟电子技术78 新型半导体MOS器件研究 2021-7-12模拟电子技术79 19581958年集成电路发明以来年集成电路发明以来, ,为了提高电子集成系统的性能，降为了提高电子集成

36、系统的性能，降 低成本低成本 (1)(1)集成电路的特征尺寸不断缩小，制作工艺的加工精度不断集成电路的特征尺寸不断缩小，制作工艺的加工精度不断 提高提高 (2)(2)同时硅片的面积不断增大同时硅片的面积不断增大 (3)40(3)40多年来，集成电路芯片的发展基本上遵循了摩尔定律，多年来，集成电路芯片的发展基本上遵循了摩尔定律， 即每隔三年集成度增加即每隔三年集成度增加4 4倍，晶体管尺寸按倍，晶体管尺寸按0.70.7的因子减小。的因子减小。 (4) (4) 集成电路芯片的特征尺寸已经从集成电路芯片的特征尺寸已经从19781978年的年的10m10m发展到现发展到现 在的在的0.130.08m0

37、.130.08m；硅片的直径尺寸也逐渐由；硅片的直径尺寸也逐渐由2 2英寸、英寸、3 3英寸、英寸、 4 4英寸、英寸、6 6英寸、英寸、8 8英寸发展到英寸发展到1212英寸。更新的预测表明英寸。更新的预测表明, ,到到20162016 年年,MOS,MOS的沟道长度将缩小到的沟道长度将缩小到20nm20nm以下以下. . 2021-7-12模拟电子技术80 MOS器件缩小到亚器件缩小到亚100nm面临许多挑战面临许多挑战,有很多问有很多问 题需要解决题需要解决: (1)SCE(短沟道效应短沟道效应); (2)DIBL(漏场感应势垒降低漏场感应势垒降低)效应效应; (3)氧化层的可靠性氧化层的可靠性;(对器件的静态功耗产生影响对器件的静态功耗产生影响); (4)量子效应量子效应;(使栅电容减小使栅电容减小); (5)杂质数涨落杂质数涨落;(杂质数统计起伏对器件性能影响杂质数统计起伏对器件性能影响). 2021-7-12模拟电子技术81 Source Drain Tunneling Thermioni