霍尔效应实验.

1、霍尔效应及其应用置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向 会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为 研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以 判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数和 电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。 如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发 展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（

2、高达10GHZ、寿命长、 可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产 要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。 了解这一富有实用性的实验，对日后的工作将有益处。一、实验目的1 了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识。2学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量并绘制试样的Vh Is和VHI M曲线。3确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。二、实验原理霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。 当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场 的方向上产生正

3、负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。对于图（1）（a）所示的N型半导体试样，若在X方向的电极D E上通以电流Is，在Z方向加磁 场B,试样中载流子（电子）将受洛仑兹力Fz 二 e V B（1）其中e为载流子（电子）电量，V为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B为磁感应强度无论载流子是正电荷还是负电荷，Fz的方向均沿丫方向，在此力的作用下，载流 子发生便移，则在丫方向即试样A A电极两侧就开始聚积异号电荷而在试样 A A 两侧产生一个电位差Vh，形成相应的附加电场E霍尔电场，相应的电压 M称为霍尔 电压，电极A、A称为霍尔电极。电场的指向取决于试样的导电类型。 N型半导体的 多

4、数载流子为电子，P型半导体的多数载流子为空穴。对 N型试样，霍尔电场逆丫方 向，P型试样则沿丫方向，有图（1）样品示意图显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，试样中载流子将受一个与Fg方向相 反的横向电场力FE=eEH（ 2）其中Eh为霍尔电场强度。Fe随电荷积累增多而增大，当达到稳恒状态时，两个力平衡，即载流子所受的横向电场力e Eh与洛仑兹力e v B相等，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有e Eh = e V B （ 3）设试样的宽度为b,厚度为d,载流子浓度为n则电流强度Is与的V关系为Is 二nev bd （4）19由（3）、（ 4）两式可得V厂丄理n e dd(5)即霍尔电压Vh

5、 （A、A电极之间的电压）与IsB乘积成正比与试样厚度d成反比。1比例系数R称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。根据霍尔n e效应制作的元件称为霍尔元件。由式（5）可见，只要测出M （伏）以及知道Is （安）、 B （高斯、和d （厘米）可按下式计算Rh （厘米3/库仑）。VHd8Rh -108（6）IsB上式中的108是由于磁感应强度B用电磁单位（高斯、而其它各量均采用 C G S实用单位而引入。注:磁感应强度B的大小与励磁电流I m的关系由制造厂家给定并标明在实验仪上。霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件，对于成品的霍尔元件，其FH和d已知，因此在实际应用中式（5）

6、常以如下形式出现：Vh=K! sB（7）其中比例系数K尸匹二丄 称为霍尔元件灵敏度（其值由制造厂家给出），它表示 d ned该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。I s称为控制电流。（7）式中的单位取Is为mA B为KGS V-为mV贝U匕的单位为 mV/（ mA KGS。K-越大，霍尔电压V-越大，霍尔效应越明显。从应用上讲，K-愈大愈好。Kh与载流子浓度n成反比，半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，因此用半导体材 料制成的霍尔元件，霍尔效应明显，灵敏度较高，这也是一般霍尔元件不用金属导体 而用半导体制成的原因。另外，K-还与d成反比，因此霍尔元件一般都很薄。本实 验所

7、用的霍尔元件就是用N型半导体硅单晶切薄片制成的。由于霍尔效应的建立所需时间很短（约 10-12 10-14s），因此使用霍尔元件时用直 流电或交流电均可。只是使用交流电时，所得的霍尔电压也是交变的，此时，式（7）中的Is和V-应理解为有效值。根据R可进一步确定以下参数1 由Rh的符号（或霍尔电压的正、负）判断试样的导电类型判断的方法是按图（1）所示的Is和B的方向，若测得的Vh= Va V 0,（即点A A的电位低于点A的电位）则Rh为负，样品属N型，反之则为P型。2 由Q求载流子浓度n1 1由比例系数2 =得，n=.n eRe应该指出，这个关系式是假定所有的载流子都具有相同的漂移速率得到的，

8、严格 一点，考虑载流子的漂移速率服从统计分布规律，需引入3n /8的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著半导体物理学）。但影响不大，本实验中可以忽略此因素。3结合电导率的测量，求载流子的迁移率 卩电导率c与载流子浓度n以及迁移率卩之间有如下关系c = n e 卩（8）1由比例系数R得，卩=|Rb| c，通过实验测出c值即可求出卩0n e根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移率卩高、 电阻率P亦较高）的材料。因|Rh| =卩P，就金属导体而言，卩和P均很低，而不良 导体P虽高，但卩极小，因而上述两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器 件。半导体卩高，P适中，是制造霍尔器

9、件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴 的迁移率大，所以霍尔器件都采用 N型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反 比，因此薄膜型的霍尔器件的输出电压较片状要高得多。就霍尔元件而言，其厚度是 一定的，所以实用上采用1Kh（9）n e d来表示霍尔元件的灵敏度，Kh称为霍尔元件灵敏度，单位为mV/（ mAT）或mV/（mAKGS。三、实验仪器1. TH H型霍尔效应实验仪，主要由规格为2500GS/A电磁铁、N型半导体硅单 晶切薄片式样、样品架、Is和Im换向开关、M和Vc （即VAc）测量选择开关组成。2. TH -H型霍尔效应测试仪，主要由样品工作电流源、励磁电流源和直流数字毫伏表组成。四

10、. 实验方法1. 霍尔电压VH的测量应该说明，在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致实验测得的A、A两电极之间的电压并不等于真实的 VH值，而是包含着各种副效应引起的附加电压， 因 此必须设法消除。根据副效应产生的机理（参阅附录）可知，采用电流和磁场换向的 对称测量法，基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除，具体的做法是Is和B（即Im）的大小不变，并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列四组不同方向的Is和B组合的A、A两点之间的电压V V2、V3、和V4 ,即+Is+BV1+Is-BV2-Is-BV3-Is+BV4然后求上述四组数据V、V2、V3和U的代数平均值，可得、

11、/Vi _V2 V3 _V4VH 二4通过对称测量法求得的VH,虽然还存在个别无法消除的副效应，但其引入的误差 甚小，可以略而不计。2 .电导率CT的测量C可以通过图1所示的A C （或A、C）电极进行测量，设A、C间的距离为I， 样品的横截面积为S= b d，流经样品的电流为Is，在零磁场下，测得 A C （A、C）间的电位差为 V （Sc）,可由下式求得c(10)Is l(T =VcS3. 载流子迁移率卩的测量电导率c与载流子浓度n以及迁移率卩之间有如下关系c= n e 卩1由比例系数R得，卩=|Rb| （T .n e五、实验内容仔细阅读本实验仪使用说明书后， 按图（2）连接测试仪和实验仪

12、之间相应的Is、 VH和Im各组连线，Is及Im换向开关投向上方，表明Is及Im均为正值（即Is沿X方 向，B沿Z方向），反之为负值。Vh Vt切换开关投向上方测VH,投向下方测 匕。经教 师检查后方可开启测试仪的电源。注意：图（2）中虚线所示的部分线路即样品各电极及线包引线与对应的双刀开 关之间连线已由制造厂家连接好）。必须强调指出：严禁将测试仪的励磁电源“ Im输出”误接到实验仪的“ Is输入” 或“Vh、Vt输出”处，否则一旦通电，霍尔元件即遭损坏！为了准确测量，应先对测试仪进行调零，即将测试仪的“Is调节”和“ I M接狈甌仪接耐仪接测试仪输出饥V端入m输出图（2） 霍尔效应实验仪示意

13、图调节”旋钮均置零位，待开机数分钟后若 M显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位器实现调零，即“ 0.00 ”。转动霍尔元件探杆支架的旋钮X、Y,慢慢将霍尔元件移到螺线管的中心位置。1 .测绘Vh Is曲线将实验仪的“ Vh、V切换开关投向Vh侧，测试仪的“功能切换”置 Vho保持Im值不变（取Im= 0.6A）,测绘Vh Is曲线，记入表1中，并求斜率，代入（6）式求霍尔系数代入（7）式求霍尔元件灵敏度Kh表 1 IM= 0.6A Is 取值：1.00-4.00 mA 。Is(mA)V1 (mVV2 (mVVb (mVV4 (mVV1 _V2 +V3 _V4M (mV)4+Is 、+

14、B+Is、-B-Is、-B-Is、+B1.001.502.002.503.004.002.测绘Vh Is曲线实验仪及测试仪各开关位置同上。保持Is值不变，（取Is = 3.00mA），测绘v Is曲线，记入表2中表 2 Is = 3.00mA I m取值：0.300-0.800A 。I M(A)V1(mV)V2 (mVV3 (mVV4 (mVV1 _V2 +V3 _ V4+Is、+B+Is、-B-Is、-B-Is、+Bv h (mv)40.3000.4000.5000.6000.7000.8003测量V。值将“ VH、V 切换开关投向V。侧，测试仪的“功能切换”置 V。在零磁场下，取Is =

15、2.00mA 测量V。注意：Is取值不要过大，以免V。太大，毫伏表超量程（此时首位数码显示为 1, 后三位数码熄灭）。4 确定样品的导电类型将实验仪三组双刀开关均投向上方，即Is沿X方向，B沿Z方向，毫伏表测量电 压为VkAo取Is = 2mA Im= 0.6A，测量Vh大小及极性，判断样品导电类型。5、求样品的FH、n、。和卩值。六、预习思考题1. 列出计算霍尔系数 Q、载流子浓度n、电导率。及迁移率卩的计算公式，并注 明单位。2. 如已知霍尔样品的工作电流Is及磁感应强度B的方向，如何判断样品的导电 类型。3. 在什么样的条件下会产生霍尔电压，它的方向与哪些因素有关？4. 实验中在产生霍尔

16、效应的同时，还会产生那些副效应，它们与磁感应强度B和电流Is有什么关系，如何消除副效应的影响？附录实验中霍尔元件的副效应及其消除方法（1）不等势电压降Vo图（3）如图（3）所示，由于元件的测量霍尔电压的 A A两电极不可能绝对对称地焊在 霍尔片的两侧，位置不在一个理想的等势面上，因此，即使不加磁场，只要有电流Is通过，就有电压Vo= Is r产生，其中r为A、A所在的两个等势面之间的电阻，结果 在测量Vh时，就叠加了 Vo,使得Vh值偏大，（当Vo与M同号）或偏小（当Vo与Vh 异号）。由于目前生产工艺水平较高，不等势电压很小，像本实验用的霍尔元件试样N 型半导体硅单晶切薄片只有几百微伏左右，

17、故一般可以忽略不计，也可以用一支电位 器加以平衡。在本实验中，Vh的符号取决于Is和B两者的方向，而Vo只与Is的方 向有关，而与磁感应强度 B的方向无关，因此Vo可以通过改变Is的方向予以消除。（2）热电效应引起的附加电压 Ve如图（4）所示，由于实际上载流子迁移速和服从统计分布规律，构成电流的载流子速度不同，若速度为v的载流子所受的洛仑兹力与霍尔电场的作用力刚好抵消， 则速度小于v的载流子受到的洛仑磁力小于霍尔电场的作用力，将向霍尔电场作用力方向偏转，速度大于V的载流子受到的洛仑磁力大于霍尔电场的作用力，将向洛仑磁 力力方向偏转。这样使得一侧咼速载流子较多，相当于温度较咼，另一侧低速载流子

18、 较多，相当于温度较低，从而在 丫方向引起温差Ta Ta，由此产生的热电效应，在 A A电极上引入附加温差Ve,这种现象称为爱延好森效应。这种效应的建立需要一定的 时间，如果采用直流电则由于爱延好森效应的存在而给霍尔电压的测量带来误差，如 果采用交流电，则由于交流变化快使得爱延好森效应来不及建立，可以减小测量误差，因此在实际应用霍尔元件片时，一般都采用交流电。由于VexIsB，其符号与Is和B的方向的关系跟Vh是相同的，因此不能用改变Is和B方向的方法予以消除，但其引 入的误差很小，可以忽略。（3）热磁效应直接引起的附加电压 VN如图（5）所示，因器件两端电流引线的接触电阻不等，通电后在接点两

19、处将产 生不同的焦尔热，导致在X方向有温度梯度，引起载流子沿梯度方向扩散而产生热扩散电流，热流Q在z方向磁场作用下，类似于霍尔效应在 丫方向上产生一附加电场 N，相应的电压Vn x Q B,而Vn的符号只与B的方向有关，与Is的方向无关，因此可 通过改变B的方向予以消除。图（5）（4）热磁效应产生的温差引起的附加电压 VRl如图（6）所示，（3）中所述的X方向热扩散电流，因载流子的速度统计分布，在 Z的方向的磁场B作用下，和（2）中所述的同一道理将在丫方向产生温度梯度Ta Ta ，由此引入的附加电压 *lX Q B，Vrl的符号只与B的方向有关，亦能消除。dTdT AIT ”d7 *图（6）综

20、上所述，实验中测得的 A、A之间的电压除VH外还包含VO、VN、Vrl和 Ve各电压 的代数和，其中V。、2和Vrh均通过Is和B换向对称测量法予以消除。具体方法是在 规定了电流和磁场正、反方向后，分别测量由下列四组不同方向的Is和B的组合的A、 A之间的电压。设Is和B的方向均为正向时，测得 A、A之间电压记为VI，即卩当 +ls、+B 时V1 = Vh +VO +VN +VRl +VE将B换向，而IS的方向不变，测得的电压记为V2，此时VH、Vn、Vrl、VE均改号而V。符号不变，即当 +ls、-B 时V同理，按照上述分析当-I S、-B 时V当-I s、+B时V2=-Vh +Vo -Vn

21、 -V RL -Ve3 =M -V O -V N -V RL +Ve4 =-V H -V O +Vn +VrL -V E求以上四组数据Vi、V V3和V4的代数平均值，可得由于Ve符号与Vl_ V2 + V3 _ MVh Ve ：4f I s和B两者方向关系和Vh是相同的，故无法消除，但在非大电流,非强磁场下，VE,因此Ve可略而不计，所以霍尔电压为 Vi _V2 +V3 V4Vh =4TH- H型霍尔效应实验组合仪使用说明书霍尔效应发现于1879年，随着电子技术的进展，利用霍尔效应制成的电子器件 （霍尔元件），由于结构简单，频率响应宽（高达10GHZ、寿命长、可靠性高等优点, 已广泛用于非电

22、量电测、自动化控制和信息处理等方面。霍尔效应实验既结合教学内容又富有实用性，是一个能深化课堂教学、培养学生 实验技能以及启发学生创造思维和应用设想的典型实验。为此，热忱向各院校推荐我 企业生产的TH- H型霍尔效应实验组合仪。TH- H型霍尔效应实验组合仪可测定霍尔系数和载流子浓度，此外，结合电导率 测量可确定试样的载流子迁移率。TH- H型霍尔效应实验组合仪设计合理，性能稳定，各项技术指标完全符合实验 要求。此外，其测试单元还具有多用功能，如用于电阻-温度实验，也可单独作为直 流恒流源或直流数字毫伏表使用。一、实验装置简介TH- H型霍尔效应实验组合仪由实验仪和测试仪两大部份组成。A.实验仪

23、（如图（1）所示）图（1）霍尔效应实验仪示意图1 电磁铁规格为3.00 KGS/A磁铁线包的引线有星标者为头（见实验仪上图示），线包绕 向为顺时针（操作者面对实验仪）根据线包绕向及励磁电流 Im流向，可确定磁感应强 度B的方向，而B的大小与励磁电流I M的关系由制造厂家给定并标明在实验仪上。2 样品和样品架样品材料为N型半导体硅单晶片，根据空脚的位置不同，样品分两种形式，即图（2） （&）和（b），样品的几何尺寸为：厚度d = 0.5mm 宽度b= 4.0mm A C电极间距I = 3.0mm样品共有三对电极，其中 A A或C C用于测量霍尔电压Vh, A C或A、C用 于测量电导；D E为样

24、品工作电流电极。各电极与双刀换接开关的接线见实验仪上图 示说明。样品架具有X、丫调节功能及读数装置，样品放置的方位（操作者面对实验仪）如 实验指导书图（2）所示。3. Is和Im换向开关及M和V。测量选择开关。Is和Im换向开关投向上方，则Is及Im均为正值，反之为负值；M和V。测量选择 开关投向上方测Vh,投向下方测V。B、测试仪（如图（3）所示）1“Is输出”为010mA羊品工作电流源，“Im输出”为01A励磁电流源。讎切换VoOVHIs-. IiiSS测量选择 isO Im n戸图（3）测试仪面板图两组电流源彼此独立，两路输出电流大小通过 Is调节旋钮及Im调节旋钮进行调 节，二者均连续

25、可调。其值可通过“测量选择”按键由同一只数字电流表进行测量， 按键测I M,放键测I so2. 直流数字电压表Vh和V。通过功能切换开关由同一只数字电压表进行测量。 电压表零位可通过调零 电位器进行调整。当显示器的数字前出现“一”号时，表示被测电压极性为负值。二、技术指标1 .励磁电流源I M输出电流：01A,连续可调，调节精度可达1mA最大输出负载电压：25V。电流稳定度：优于103 （交流输入电压变化土 10%）。电流温度系数：V 10匕。负载稳定度：优于10_3 （负载由额定值变为零）。1电流指示：3位发光管数字显示，精度不低于 0.5 %。22样品工作电流源Is输出电流：010mA连续

26、可调，调节精度可达10卩A。最大输出负载电压：12V。电流稳定度：优于103 （交流输入电压变化土 10%）。电流温度系数：V 10_ 3C。负载稳定度：优于103 （负载由额定值变为零）。1电流指示：3 位发光管数字显示，精度不低于 0.5 %。23. 直流数字毫伏表测量范围土 20mV 200mV13 位发光管数字显示，精度不低于 0.5 %。2注：Is和Im两组电流源也可用于需要直流恒流供电的其他场合，用户只要将“Vh匕”输出短接，可按需要选取一组或两组恒流源使用均可。三、使用说明1.测试仪的供电电源为 220V, 50Hz,电源进线为单相三线。2 .电源插座和电源开关均安装在机箱背面，

27、保险丝为0.5A，置于电源插座内。3. 样品各电极及线包引线与对应的双刀换接开关之间连线（已由厂家连接好）见 实验仪上图示说明。4. 测试仪面板上的“ Is输出”、“ I M输出”和“ M、V。输入”三对接线柱应分别与实验仪上的三对相应的接线柱正确连接5 仪器开机前应将Is、Im调节旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电流趋于最小 状态，然后再开机。6“VH、y切换开关”应始终保持闭合状态。7仪器接通电源后，预热数分钟即可进行实验。8“ Is调节”和“ Im调节”分别用来控制样品工作电流和励磁电流的大小，其电流随旋钮顺时针方向转动而增加，细心操作，调节的精度分别可达10卩A和1mA Is和I m读数可通过“测量选择”按键来实现。按键测 Im,放键测Is。9三个开关，各用来控制或选择励磁电流、工作电流和霍尔电压的方向。10.关机前，应将“ I S调节”和“ Im调节”旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电 流趋于零，此时指示器读数为“ 000”，然后才可切断电源。四. 仪器检验步骤1 .仪器出厂前，霍尔片已调至电磁铁中心位置。霍尔片性脆易碎、电极甚细易 断，严防撞击，或用手去触摸，否则，即遭损坏！在需要调节霍尔片位置时，必