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文档简介
1、带电粒子在匀强磁场中作圆周运动的分析方法(2008.02.20)一.找圆心、画轨迹、找角度。 数学模型:(1) 已知圆的两条切线,作它们垂线,交点 为0,即为圆心。(2) 已知圆的一条切线,和过圆上的另一点 B,作过圆切线的垂线,再作弦的中垂线 交点即为圆心0。(3) 偏向角补角的平分线,与另一条半径的交点直线边界磁场例1找到下面题中粒子的圆心, 画出轨迹。求从左边界或右边 界射出时与竖直方向夹角 $以及粒子在磁场中经历的时间。(第 3图作出粒子刚好不从右侧穿出磁场)图1图2图3-# -EF练1:已知B、+ q、m、B、d、a、V。求从左边界穿出时经 历的时间。(1) 刚好不从上边界穿出(2)
2、 刚好不从下边界穿出(3) 能从左边界穿出。d IVm、电量为q,从a 从 b点离开磁练3.如图所示,在水平直线MN上方有一匀强磁场,磁感强度 为B,方向垂直向里。一带电粒子质量为 点以与水平线MN成B角度射入匀强磁场中, 场。问:(1) 带电粒子带何种电荷?(2) 带电粒子在磁场中运动的时间为多少?练4.一个正粒子,质量为m,电量为q,从A点以 速度V沿垂直于磁感线且垂直于磁场边界MN的方向,进入磁感强度为 B的匀 强磁场中,如图所示。经过时间t到达位 置P。试求直线AP与射入方向之间的夹 角6o测:AB、CD、EF为三条平行的边界线, AB、CD、相距Li,CD、EF相距L2,如图所示,A
3、B、CD之间有垂直纸面向里 的匀强磁场,磁感强度为Bi, CD、EF之间也有垂直纸面向里 的匀强磁场,磁惹感强度为 B2。现从A点沿A方向垂直磁场 射入一带负电的粒子,该粒子质量为 m,带电量为-q,重力不 计,求:(1) 若粒子运动到CD边时速度方向恰好与 CD边垂直,则 它从A点射入时速度Vo为多少?(2) 若已知粒子从A点射入时速度为u (uVo),则粒子运动 到CD边界时,速度方向与 CD边的夹角B为多少?(3) 若已知粒子从A点射入时速度为u ( uV)粒子运动到EF边界时恰好不穿出磁场,则B2为多少?CD、EF之间磁场的磁感强度X.VA -B常K x L1KM:KMH91MMXM3
4、CM3t2.如图所示,M、N、P是三个足够长的互相平行的边 界,M、N与N、P间距离分别为Li、L2,其间分别有 磁感强度为 Bi、B2的匀强磁场区I与区U,磁场方向 均垂直纸面向里。已知 BqHJB。一个带正电的粒子,质 量为m,电量为q,以大小为Vo的速度垂直于边界面 M射入MN间的磁场区,讨论粒子速度Vo应满足什么 条件,才可通过这两个磁场区,并从边界面P射出(不 计重力)?MN PX X X X:Lm斗产气q 0 S2为板上正对的小孔,N板右侧有两个宽度均为 d 的匀强磁场区域,磁感强度大小均为 B,方向分别垂直于纸面向外 和向里。磁场区域右侧有一个荧光屏,取屏上与S1 S2共线的O点
5、为原点,向上为正方向建立x轴,M板左侧电子枪发射出的热电子经小孔Si进入两板间,电子的质量为 m,电荷量为e,初速 度可以忽略。(1)当两金属板电势差为Uo时,求从小孔S2射出的电子速度 Vo (2)求金属板间电势差 U在什么范围内,电子不能穿过磁场区域。荧光屏O(3) 若电子能够穿过磁场区域而打 到荧光屏上,试在图上定性画出电 子运动的轨迹。(4) 求电子打到荧光屏上的位置坐标x和金属板间电势差U的函数关 系。练4.如图所示,abed是一边长为L的正方形,它是磁感强度 为B的匀强磁场横截面的边界线。 一带电粒子从ad边的中点 O与ad边成0 =30角且垂直于磁场方向射入。若该带电粒子 所带的
6、电荷量为q,质量为m(重力不计)则该带电粒子在磁场 中飞行时间最长是多少?若要带则粒子飞行时间最长,带电粒子的速度必须满足什么条件?圆形边界磁场一.找圆心、画轨迹、找角度。数学模型:三个结论:(1)(2)(3)例题1.电视机的显像管中,电子束的偏转是用磁偏转技术实现 的。电子经过电压为 U的加速电场后,进入一圆形匀强磁场 区,如图所示。磁场方向垂直于圆面。磁场区的中心为0,半径为r。当不加时,电子束将通过 0点打到屏幕的中心M点。 为了让电子束射到屏幕边缘 P。需加磁场,使电子束偏转一已 知角度0此时磁场的磁感强度B应为多少?练1.如图所示,磁感强度 B的匀强磁场存在于半径为 R的光 滑的圆环
7、内部。圆环 A处开一小孔,带电粒子经电压为 U的 电场加速后,沿着半径方向由小孔射入圆环。 粒子在环内和圆 环发生两次不损失能量的碰撞(碰撞过程中带电粒 子电量不变,圆环固定不动)后仍从A孔射出环处, 试求带电粒子的荷质比。A练2.带电粒子的质量为 m,带电量为q,以速度Vo从0点处 进入磁感强度为 B的匀强磁场,从磁场射出经过 b点,射出 方向与x轴成9= 30试求,(1)圆形磁场区域的最小半径(带电质点重力可忽略不计)(2)写出b点的坐标(3)计算出粒子在磁场中运动的时间x-9 -拓展:如图所示,一带电质点,质量为 m,电量为q,以平行 b于ox轴的速度Vo从y轴上a点射入图中第一象限所示
8、的区 域。为了使该质点能从x轴上的b点以垂直于ox轴的速度Vo射出,可在适当的地方加一个垂直于 xy平面、磁感强度为 B 的匀强磁场。若此磁场仅分布在一个圆形区域内, 试求这圆形磁场区域的最小半径(带电质点重力可忽略不计)练3.(2005广东)如图所示,在一圆形区域内,两个方向相反 且都垂直于纸面的匀强磁场分布在以直径为A2A4为边界的两个半圆形区域I、H中,A2A4与A1A3的夹角为60 一质量 为m,带电量为+q的粒子以某一速度从I区的边缘 A1处沿与 A1A3成30角的方向射入磁场,随后该粒子以垂直于A2A4的方向经过圆心0进入区,最后再从 A4处射出磁场。已知该 粒子从射入到射出磁场所
9、用的时间为t,求I区和区中磁感强度的大小(忽略粒子的重力)。多方向的带电粒子专题:1.如图所示,在X轴上方(y-0)存在着垂直纸面向外的匀强 磁场,磁感应强度为B。在原点0有一离子源向各个方向发射 出质量为m、电量为q的正离子,速率都是 V。,对那些在xy 平面内运动的离子,在磁场中,可能到达的最大x=,最大y=画出粒子能到达的区域图。练3.(2004广东、广西)如图所示,真空室内存在匀强磁 场,磁场方向垂直于图中纸面向里,磁感应强度大小 B=060T。磁场内有一块平面感光板 ab,板面与磁场方 向平行。在距ab的距离为L=16cm处有一个点状的a 放射源S,它向各个方向发射 a粒子。a粒子的
10、速度都 是V=3.0 106m/s。已知a粒子 比荷专=5.0汉佰c/kg。现 只考虑在图纸平面中运动的a粒子,求ab上a粒子打中的区域的长度。abL2 .如图所示为一长度足够长,宽度 d=8.0cm的匀强磁场,磁 感强度B= 0.33T,磁场方向垂直纸面向里。在磁场边界 aa上 有一放射源 S,它可沿纸面向各个方向射出初速度V。=3.2 X06m/s的a粒子。已知a粒子的电量q=3.2 10 19C,质量 m=6.6X10-27Kg,试求a粒子从磁场的另一边界 bb射出的长 度范围。b bas a练2. (99年全国高考)如图所示,虚线 MN是一垂直纸面的 平面与纸面的交线,在平面右侧的空间
11、存在一磁感强度为 B的 匀强磁场,方向是垂直纸面向外。0是MN上的一点,从0点可以向磁场区域发射电量为+ q,质量为m,速度为v的粒 子,粒子射入磁场时的速度可在纸面内各个方向。已知先后射入的两个粒子恰好在磁场中的 P点相遇,P到0的距离为L , 不计重力及粒子间的相互作用,求:(1) 所考察的粒子在磁场中的轨道半径。M :. *:PN;I(2) 这两个粒子从0点射入磁场中的时间间隔练3核聚变反应需几百万度咼温,为把咼温条件下咼速运动的 离子约束在小范围内(否则不可能发生核反应),通常采用磁约 束的方法(托卡马克装置)。如右图所示,环状均强磁场围成中 空区域,中空区域中的带电粒子的只要速度不是
12、 很大,都不会穿出磁场外缘,设环状磁场的内半 径为Ri=05m,外半径为R2=1 0m,磁场的感应 强度B=1.0T,方向垂直纸面向里,若被束缚带电 粒子的荷质比为q =4X104C/kg,中空区域内带电 m粒子具有各个方向的速度,试计算:(1) 粒子沿环状的半径方向射入磁场,不能穿越磁场的最大 速度。(2) 所有粒子不能穿越磁场的最大速度。(07全国I 25)两平面荧光屏互相垂直放置于两屏 内分别取垂直于两屏交线的直线为 x轴和y轴,交 点0为原点,如图所示。在yO,Ox0)的粒子沿x轴经孔射入磁场, 最后打在竖直和荧光屏上,使荧光屏发亮。入射粒 子的速度可取从零到某一最值之问的各种数值。已
13、知最大的粒子在 Ovxva的区域中运动的时问与在为B的匀强磁场中做圆周运动的周期。xa的区域中运动的时问之比 2: 5,在磁场中运动 的总时问为7T/12,其中T为该粒子在磁感应强度 试求两个荧1光屏上亮线的范围(不计重力的影响)-ii -带电粒子在复合场中运动例1.(2004全国理综W 24)空间存在方向垂直于纸面向里的匀强 磁场,磁感应强度为 B,带电量为+q、质量为m的粒子, 在P点以某一初速度开始运动,初速度方向(在图中纸面内) 如图中P点箭头所示。该粒子运动到图中Q点时速度方向与P 点时速度方向垂直,如图中Q点箭头所示。已知P、Q间的距 离为L。若保持粒子在P点时的速度不变,而将匀强
14、磁场换成 匀强电场,电场方向与纸面平行且与粒子在 P点时速度方向垂 直。在此电场作用下粒子也由P点运动到Q点,不计重力。求:(1)电场强度大小(2)两种情况中粒子由P点运动到Q点所经历的时 - 间之差。拓展:1.如图所示,宽度为d=8cm的匀强磁场和匀强电场共存的区域 内,电场方向竖直向下,磁场的方向垂直纸面向里,一带电粒 子沿水平方向射入电磁场区域, 恰好不发生偏转,若入射时撤 去磁场,带电粒子穿过场区射出时,向上侧移了 射时撤去电场,求带电粒子穿过场区时射出时的侧移 力)如图,xoy平面内的圆O与y轴相切于坐标原点0。在该圆形 区域内,有与y轴平行的匀强电场和垂直于圆面的匀强磁场 一个带电
15、粒子(不计重力)从原点为0沿x轴进入场区,恰好作 匀速运动,穿过场区的时间为 T。若撤去磁场,只保留电场,其他条件不变,该 带电粒子穿过场区的时间为T/2。若撤去电场,只保留磁场,其他条件不变,该带电粒子 穿过场区的时间。练2.(2004全国理综口 24)如图所示,在y0的空间存在匀强电场,场强沿y轴负方向;在y0空间中存在匀强磁场,磁场的 方向垂直xy平面(纸面)向外。一电荷量为q、质量为m的带 正电的运动粒子,经过 y轴上y=h处的点Pi时速率为Vo,方 向沿x轴正方向,然后,经过x轴上x=2h处的P2点进入磁场,并经过y轴上y=-2h处的P3点。不计重力, 求(1)电场强度的大小; 粒子
16、到达P2时速度的大小和方向;(3)磁感应强度的大小。练3.如图所示的坐标中,x轴沿水平方向,y轴沿竖直方向 在x轴上方空间的第一、第二象限内,既无电场也无磁场,在 第三象限,存在沿y轴正方向的匀强电场和垂直于 xy平面(纸iX*1 1XL X fvcXX*XXXX*XX .乳1X巴1ri , u! X a X X X 0的区域,有一束带电量为q的负粒子(重力不计)垂直y轴射入磁场,十役莒/ 粒子的质量为m,粒子在各入射点的速度与三严“入射点的y轴坐标值成正比,即 v=by, (b =是常数,且b0)。要求粒子穿过磁场区域后,三都垂直于x轴射出,求:直线0A与x轴的 叫1夹角B多大?(用题中已知
17、物理量符号表示)练6.如图所示,坐标空间中有场强为 E的匀强电场和磁感应强 度为B的匀强磁场,y轴为两种场的分界面,图中虚线为磁场 区域的右边界,现有一质量为m,电荷量为-q的带电粒子从电场中坐标位置(-1,0)处,以初速度Vo沿x轴正方向开始运动。 试求:使带电粒子能穿越磁场区域而不再返回电场中, 满足的条件?磁场宽度Y Bd应iiX练7.如图所示,在X轴的方向上有垂直于 XY平面向里的匀强 磁场,磁感应强度为 B,在X轴的下方有沿Y负方向的电场,场强为E。一质量为m,电量为-q粒子从坐标原点0沿Y轴 的正方向射出。射出之后,第三次到达 X轴时,它与置$点的距离为L。求此粒子射出时的速度 计
18、)v和运动的总路程-15 -练8.某空间存在一个变化的电磁场, 电场的方向向右,即图中 由B到C的方向,电场的大小为图中所示的 E-1图,磁感强 度为图C所示的B-1图象。在A点从t=1s (即1s末)开始 每隔2s有一相同的带电粒子(不计重力)沿 AB的方向(垂 直于BC)以速度V射出,恰能击中 C点。若AC = 2BC,且 粒子在AC间运动时间小于1s,求:(1)图中Eo和Bo的比值;(2)磁场的方向(3)若第一个粒子击中C的时刻已知为(“ + t) s,那么第 二个粒子击中C的时刻是多少?E(V/m)B(T)B CIiIA- 16 -带电粒子在磁场中动量变化 P = qBd问题的讨论和应
19、用带电粒子在磁场中的运动, 是电磁学中典型问题之一, 除 了运用基本的动力学规律和功能关系外, 可运用两个基本观点 推理论证出较为简便的方法,对分析问题带来方便。原理:如图所示,在某一区域内存在磁感应强度为 B,方向垂直 纸面向外的匀强磁场,一带电粒子电量为+ q、质量为m的粒 子在垂直与磁场的平面内从 M点到达N点时,假设带电粒子 只受磁场力的作用,其速度和受力如图(不计其它力和重力):X X X XX X X if X-25 -例1.如图所示,一质量为m,带电量为q的带电粒子(重力不 能忽略),以速度Vo从上面竖直向下进入宽度为 d的水平向里 的匀强磁场区域中,磁感应强度为 B,试求粒子飞
20、出磁场的方 向?XV练1.如图所示,当极板足够长的平行板电容器的负极板被一定 波长的光所照射时,负极板上有电子从各外方向射出来, 电子 脱离极板时的速率极小,可以忽略不计,设电容器两极板间的 距离为d,极板间的电势差为U,两极板间有垂直纸面向里的 匀强磁场,为使这些电子不能到达正极板, 磁感强度B至少多 大?练2.如图所示,与竖直面垂直的均匀磁场磁感强度为B,高为d, 质量为m,带电量为q的小颗粒从距离磁场上边缘高为 h处从静止开始自由下落而进入磁场,试求粒子从磁场中出来 时的速度大小和方向?练3.如图所示,在竖直向下的足够宽的xoy平面的下方,存在 着许多沿y方向等宽的区域,每个区区域的宽度
21、为 2d,每个 区域又分为两个小区域,上区域内既无电场,又无磁场,宽度 为d,下区域内有垂直xoy平面的匀强磁场和竖直向上的匀强 电场,有一带电量为+q,质量为m的带电粒子从;8点开始从.1T静止开始自由下落。令d q =2.0 10A0C, d=10cm, m=11X10-I1kg,试求当粒子到第几区域时 带电粒子不能从该区域的下方出来?T速度选择器、流量计、等离子发电机(1) 速度选择器:如图是一个速度选择器的示意图,速率不 同的带电粒子水平地进入场区, 路径不发生偏转的粒子条件是 Eq=Bqv,即v= E,能通过速度选择器的带电BJ 彌J *粒子,其速度必为-,它与带多少电和电性、兰_厶
22、一i_一Bi_质量都无关。(2)磁流体发电机:如右图是磁流体发电机,其原理是:等 离子气体喷入磁场,正、负离子在洛伦兹力作用下发生上下偏转而聚集到A、B板上,产生电势差,设 A、B 平行金属板的面积为S,相距为L,等离子气体 的电阻率为p,喷入气体速度为v,板间磁场的 磁感应强度为B,板外电阻为R,当等离子气 体匀速通过A、B板间时,A、B板上聚集的电 荷最多,板间电势差最大,即为电源电动势,此时,离子受力 平衡:E场q=Bqv,E场=Bv,电动势E= E场L=Blv,电源内电 阻r=p L,故R中的电阻1= L = BLv二BLvSSR+rL RS + plR十p S(3)电磁流量计:电磁流
23、量计原理可以解释为:如图所示, 一圆形导管直径为d,用非磁性材料制成,其中有可以导电的 液体向左流动,导电流体中的自由电荷(正负离子)在洛伦兹力作用下横向偏转,a、b间出现电势差。当自由电荷所受电场力和洛伦兹力平衡时,a、b间的电势差就保持稳定由 Bqu=Eq=UqXX a KXM X X Kd可得v=Bd2流量Q=Sv=旦=辿.4 Bd 4B例题1. (2003年辽宁综合)如图所示,a、b是位于真空平行 金属板,a板带正电,b板带负电,两板间的 电场为匀强电场,电场强为 E。同时在两之_ + _卜-间的空间中加匀强磁场,磁场方向垂直于纸一一- _面向里,磁感应强度 B。一束电子以大小为vo的
24、速度从左边S处沿图中虚线方向入射,虚线平行于两板, 要想使电子两板间能沿虚线运动,则Vo、E、B之间的关系应该是A. v0=E/BB. v0= B/EC v0= e/bD. v0=b/e例题2. (2000全国)如图所示,厚度为h、宽度为d的导体板 放在垂直于它的磁感强度为 B的均匀磁场中,当电流通过导体板时,在导体板的上侧面 A和下侧面A 之间会产生电势差这种现象称为霍尔效 应,实际表明,当磁场不太强时,电势差U、电流I和B的关系为:u = kIB,式中d的比例系数K称为霍尔系数。霍尔效应可解释如下;外部磁 场的洛伦兹力使运动的电子聚集在导体板的一侧,在导体板的另一侧会出现多余的正电荷, 从
25、而形成横向电场,横向电场对 电子施加与洛伦兹力方向相反的静电力。 当静电力与洛伦兹力达到平衡时,导体板上下两侧之间就会形成稳定的电势差。设电流I是由电子的定向流动而形成的,电子的平均定向速度为v,电量为e,回答下列问题:(1)达到稳定状态时,导体板上侧面 A的电势下侧面A 的电势(填高于、低于或等于)(2) 电子所受的洛伦兹力的大小为 。(3)当导体板上下两侧之间的电势差为 U时,电子所受静电力的大小为。(4)由静电力和洛伦兹力平衡的条件,证明霍欠系数为K=1,ne 其中n代表导体单位体积中电子的个数。例题3. (2001全国)电磁流量计广泛应用于测量可导电流体(如污水)在管中的流量(在单位时
26、间内通过管内横截面积的 流体的体积),为了简化,假设流量计是如右图所示的横截面 为长方形的一段管道,其中空部分的长、宽、高分别为图中的 a、b、c,流量计的两端与输送流体的管道相连(图中虚线) , 图中流量计的上下两面是金属材料, 前后两面是绝缘材料,现 于流量计所在处加磁感应强度 B的匀强磁场,磁场方向垂直于前后两面,当导电流体稳定地流经流量计时, 在管外将流量计上、下两表面分别与一串接了电阻 R 电流表的两端连接,I表示测得的电 值,已知流体的电阻率为 p,不计电 的内阻,则可求得流量为A.B(bR pC)B.舟(aR p-)BcC. 1(cR pa)D.1(R PbC)Ba例题4. (2
27、002全国)右图所示是测量带电粒子质量的仪器工作 原理示意图,设法使某有机化合的气态分子导入如右图所示的 容器A中,使它受到电子束轰击,失去一个电子变成为正一价 的分子离子,分子离子从狭缝 Si以很小的速度进入电压为 U 的加速电场区(初速不计),加速后,再通过狭缝 S2,S3射入 磁感应强度为B的匀强磁场,形成垂直于纸面且平行狭缝 S3 的细线,若测得细线到狭缝 S3的距离为do(1)导出分子离子的质量 m的表达式。(2)根据分子离子的质量数 M可以推测有机化合物的结构简 式,若某种含C , H和卤素的化合物的质量数 M为48,写出 其结构简式。(3)现有某种含C , H和卤素的化合物,测得两个的质量数 M分别为64和66,试说明原因,并写出它们的结构简式。在推测有机化合物的结构时,可能用到的含量较多的同位素的 质量数如下表:丄四 感光片 U戸含量较 多的同 位素的 质量数1召盘
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