模拟电子技术5章习题答案(20210427050223)

1、1.数下降，主要是因为倍数下降，主要是因为AC.晶体管的极间电容和分布电容）2.放大倍数的幅值约下降为中频时 的A;或者说是下降了5放大电路的频率响应自我检测题选择和填空放大电路对高频信号的放大倍 V的影响；低频时放大的影响。（A.耦合电容和旁路电容；B.晶体管的非线性；共射放大电路中当输入信号频率为fL、fH时，电路D dB;此时与中频相比，放大倍数的附加相移约为_G度。(A. 0.7, B. 0.5, C. 0.9) ;(D. 3dB, E. 5dB, F. 7dB) ; (G. -45 ,H. -90 0,1.-180 fL时电路的实际增益=57dBo20lg3.题压增益|Am|=100

2、0;上限频率fH=当f fH时电路的实际增益=5Z dB;当f某放大电路|Av|的对数幅频响应如图选择 3所示。由图可见，该电路的屮频电10 Hz ;下限频率 fL=10 Hz ;4.若放大电路存在频率失真，则当Vi为正弦波时，V。Do （A.会产生线性失真B.为非正弦波C.会产生非线性失真D.为正弦波）放大电路如图选择 Do （A.输5.题5所示，其屮电容Ci增大，则导致入电阻增大B.输出电阻增大C工作点升高D.下限频率降低）+V cc图选择题5.判断题（正确的在括号内画，错误的画X）1 .改用特征频率仃高的晶体管，可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。（V ）2增大分布电容的容量，可以改

3、善阻容耦合放大电路的低频响应特性。（X ）3 幅度失真和相位失真统称为非线性失真。（X ）4 当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电压波形将为非正弦。（X ）5 当放大电路输入一个三角波电压时，输出电压波形的上升、下降斜线明显弯曲，因此可以肯定该放大电路的非线性失真较大。（V ）6 当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电路增益与信号频率乘积近似 为一个常数。（X）7 当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲 放大电路 的频带宽度。（V ）&在阻容耦合放大电路屮，增大耦合电容的容量，有利于高频信号畅通，因此可以改善高频响 应特性

4、。（X ）习题5.1某放大电路的fL 100Hz, fn1MH乙现输入信号频率为2MHz的正弦波，试问输出波形是 否会产生频率失真？若输入信号是由100kHz和2MHz两种频率分量组成的波形，问此时输出信号波形有无频率失真？解：（1）输入信号频率为2MHz的正弦波时，输出不会产生频率失真。（2）若输入信号是由100 kHz和2MHz两种频率分量组成的波形，则输岀波形有频率失真。5.2 一共射放大电路的通频带为100Hz 100kH乙中频电压增益& 40dB ,最大不失真交流输出电压范围为4V+4V,试求：（1）若输入一个10sin4 10若 Vi50sin 4 若 V10sin 4解：（1）因

5、为输入信号的工作频率tmV的正弦信号，输出波形是否会产生频率失真和非线性失真？若不失真，则输出电压的峰值是多大?V&与V间的相位差是多少?25 103t mV,重复回答（1）中的问题。60 103t mV,输出波形是否会失真？f2kH乙处于屮频区Vom Vim Avm 10mV 100 1V 4V所以输出波形不会产生非线性失真，又因为输入信号是单一频率的正弦波，所以输岀也不 会产生频率失真。根据上述计算可知，输出电压的峰值为1V,因是共射电路，V&与V间的相位差是180 0（2）因为输入信号的工作频率f50kH乙 处于中频区Vom Vim 怎 50mV 100 5V 4V所以输出波形会产生非线

6、性失真，但因输入是单一频率的正弦波，故不会产生频 率失真。(3)因为输入信号的工作频率f 120kHz,处于高频区，电压放大倍数小于屮频放大倍数，即Vom Vim Avm 10 mV 100 1V所以输出即不会产生非线性失真。又因为输入信号是单一频率的正弦波，输出不会产生频 率失真。5.3已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为101000jJ10 1 j6 106试求该电路的上、下限频率，中频电压增益的分贝数,输出电压与输入电压在屮频区的相 位差。1000j101 jifo 1 j 10解：将A&的表达式分子、分母同时除以吐，可得:10004 10fJ106对比简单RC高通、低通滤波电路的放大

7、倍数表达式，可知：上限频率fH 1000kH乙 下限频率L 10Hz,屮频电压增益|AL| 1000 60dB,输入电压与输出电压在屮频区的相位差为0 5.4已知某放大电路的电压放大倍数的频率特性为IOAv （1 岸）（1105试画出该电路的幅频响应波特图，并求出屮频增益、上限频率fH和下限频率fL。解：将Av的表达式与简单RC高通、低通滤波电路的放大倍数表达式进行对比，可知:| 届 Ml 105100dB,上限频率 fn 100kHz,下限频率 fL20Hzo该电路的幅频响应波特图如下:5.5 个高频晶体管，在Ieq 管的特征频率MOOMH乙Cbc2mA时，其低频H参数为：1.5ko 100

8、,晶体3 pF,试求混合n型模型参数：gm、be、rbb、CbeI EQ2 mA77mVt26mV be1生 1 100 26I EQbbb*erbb-1.51.3Cb egm77解:g20.2k102 3.14 100 101.3ke 123 pF220ke ,41 pF ,RbCb1+Vs()+Vccfc图题5.6解：(1)高频小信号等效电路如下：RlRb360kCi+Vcc(+12V)Rc C210FVo5.6放大电路如图题5.6所示，已知三极管为3DG8D ,50, Rs 2kF 2k , Rl 10k, CbilOF, Cb220 F, Vcc5V , gm38.5mscbb 100

9、 C%4pF, Vbe0.6V,试求：(1) 画出电路的高频小信号等效电路，估算其上限频率(2) 画岀电路的低频小信号等效电路，估算其下限频率(a)原理图51 3k(b)高频小信号等效电路be nm 38.5mSgmrbe rbb rbe 0.11 .3 1 .4kR (RsRrbb) rbe 220 2 0.13 0.8k41138.51024302pF1! 659kHz2 RC 2 3.140.81 03302 1 012(2)低频小信号等效电路如下:2 RCbi 2 (Rs Rb/rbe)Cbi2 (2 220/1.4) 1031 1 2L 32 R2G 22 (RcRl)G222 10

10、 10 20 10Q fn fL2fL fu 4.68 Hz横 4 68HS0.66 Hz50 , rue 1k ,要求屮频增益为40dB,下限截止频O)L10Hz,试确定Rc和Ci的大小。RbRcCb2 +Vcc (+12V)CblRb360kn Rc C2CiRlVo10F1VoVi0图题5.7解：40dB100r3100 10 01Rcbe2k505.7已知图题5.7所示放大电路屮，晶体管的fL 2 (RorM)C10Hz120,2 (R M fL2360k 1k 105.8电路如图题5.8所示，设信号源内阻Rs 500 ,其中晶体管参数为:其余参数如图屮所示。试求:Vbe 0.7V,

11、rbb 50 , fT500MHz, Cbc 1 pF ；(1) 混合n型模型参数：gm、rbe Cbe ；(2) 电路的上限频率fH :(3) 中频区电压增益；增(4) 益带宽积。+Vcc (+15V)+ V dd(+15V)Rd C2c2CiRgRlVo 20kb1 04.7kc33k图题5.82fT53.82 3.14100 10617 pF22解：（1）I EQV BQVBEQ33 2215 0.71.4mA3.911.4gmEQ w虱53.8mSrVt120 空 2.2kILC1.4be EQrbb-J 0.052.22.25k（flr。 r）33 22 0.5 0.05 | 2.2

12、0.44 kJCoegRG171 53.84.7 41133pFf”13122.72MHzRC2 3.140.4410133 10942.72 106255.68 MHz5.9已知晶体管电路如图题 5.8所示,设信号源内阻为Rs 500 ,已知晶体管100,bb*50，Vbe 0.7V 估算电路的下限频率fLo解:QRejCeRe可视为开 路(1)输入回路:101000.09 F12 (FL PQC10.5 2.25100.09 10&645 HzR|_ Roll1204.7 433 22 | 2.2594be2.250.533 22 2.25（2）输出回路:1 2L2 (Rc PG 2Q J

13、 JfL fn 645Hz5.10有一个N沟道耗尽型MOS4.7 41031 10 18HZ100k、10k）和两个电容（分别为组装一个如图题5.10所示的放大电路输入电阻和尽量低的下限截止频率。场效应管（Idss二1mA），三个电阻（分别为1M0.1疔、10诉），要求从中选择合适的电阻、电容（其负载电阻为20k）,并希望该放大电路有较高RcReVcc (+15V)c2RlvCe解：（1）为使电路有尽可能高的输入电阻,Rg必须取大值，所以应取（2）在此电路中，VgsO,贝IIo loss1mA,所以，为保证电路具有合适的静态工作点，Rd应取10k。1因为仁-,f2RgG2 Ra Rl Ca,若仁、f“两者相差4倍以上,下隠截i卜烦率取决干两老中轩大的下限颊率.所以取伸下隠截HI率尽可能低.电路最终的Cl应取0.1 F, C2取 10 Fo250 , rbe1 -be25.11已知图题5.11所示电路中，两个晶体管的 和rbe相同，12k,试分析：（1）定性分析G、C2、C3中哪一个电容对放大电路的下限截止频率fL起决定性作用？（简要说明理由）（2）估算该放大电路的下限截止