[整理]FM收音机指导书.

1、2.1产品1 SMT实习（fm收音机）（训练6）（训练7）电子系统的微型化和集成化是当代技术革命的重要标志，也是未来发展的重要方向。 日新月异的各种高性能、高可靠、高集成、微型化、轻型化的电子产品，正在改变我们的 世界，影响人类文明的进程。安装技术是实现电子系统微型化和集成化的关键。20世纪70年代问世，80年代成熟的表面安装技术（Surface Mou nting Techn ology简称SMT）,从元器件到安装方式，从PCB设计到连接方法都以全新面貌出现，它使电子产品体积缩小，重量变轻，功能增强，可靠 性提高，推动信息产业高速发展。SMT已经在很多领域取代了传统的通孔安装（ Throug

2、hHole Tech no logy简称THT ）,并且这种趋势还在发展，预计未来9 0%以上产品将采用SMT。通过SMT实习，了解SMT的特点，熟悉他的基本工艺过程，掌握最起码的操作技艺 是跨进电子科技大厦的第一步。2.1.1 SMT 简介、THT 与 SMT图2.1.1是THT与 SMT的安装尺寸比较，表 2.1.1是THT与SMT的区别表2.1.1 THT与 SMT的区别年代技术缩写代表元器件r安装基板安装方法焊接技术通孔 安装20世纪6070年代THT晶体管，轴向引 线元件单、双面PCB手工/半自动插装手工焊浸 焊7080 年代单、双列直插IC, 轴向引线元器 件编带单面及多层PCB自

3、动插装波峰焊，浸焊， 手工焊表面 安装20世纪80年代开始SMTSMC、 SMD 片式封装VSI、VLSI高质量SMB自动贴片 机波峰焊， 再流焊图2.1.1 THT与 SMT的安装尺寸比较SMT主要特点1. 高密集 SMC、SMD的体积只有传统元器件的 1/31/10左右，可以装在 PCB的 两面，有效利用了印制板的面积，减轻了电路板的重量。一般采用了SMT后可使电子产品的体积缩小 40%60%，重量减轻60%80%。2 高可靠 SMC和SMD无引线或引线很短，重量轻，因而抗振能力强，焊点失效率 可比THT至少降低一个数量级，大大提高产品可靠性。3.高性能 SMT密集安装减小了电磁干扰和射频

4、干扰，尤其高频电路中减小了分布参数的影响，提高了信号传输速度，改善了高频特性，使整个产品性能提高。4 .高效率SMT更适合自动化大规模生产。采用计算机集成制造系统（CIMS）可使整个生产过程高度自动化，将生产效率提高到新的水平。5 .低成本 SMT使PCB面积减小，成本降低；无引线和短引线使SMD, SMC成本降低，安装中省去引线成型、打弯，剪线的工序；频率特性提高，减少调试费用；焊 点可靠性提高，减小调试和维修成本。一般情况下采用SMT后可使产品总成本下降3 0%以上。三、SMT工艺及设备简介SMT有两种基本方式，主要取决于焊接方式。3、固化用加热使贴片固化波峰焊机4、焊接用波峰焊机焊接铜箔

5、 胶 SMB1、点胶用手动/自动点胶机1 .采用波峰焊：见图2.1.22、贴片手动/自动 贴片机图 2.1.2 SMT 工艺（1）此种方式适合大批量生产。对贴片精度要求高，生产过程自动化程度要求也很高。2 .采用再流焊(见图2.1.3)在PCB上用印刷机 印制焊锡膏贴片(c)焊接用手动/半自动/自动贴片机贴片用再流焊机焊接图 2.1.3 SMT 工艺(2)这种方法较为灵活，视配置设备的自动化程度，既可用于中小批量生产，又可用 于大批量生产。混合安装方法，则需根据产品实际将上述两种方法交替使用2.1.2 SMT元器件及设备一、表面贴装元器件 SMD(surface mounting device

6、s)SMT元器件由于安装方式的不同，与THT元器件主要区别在外形封装。另一方面由于SMT重点在减小体积，故 SMT元器件以小功率元器件为主。又因为大部分SMT元器件为片式，故通常又称片状元器件或表贴元器件，一般简称SMD1. 片状元件表贴元件包括表贴电阻、电位器、电容、电感、开关、连接器等。使用最广泛的是 片状电阻和电容。片状电阻电容的类型、尺寸、温度特性、电阻电容值、允差等，目前还没有统 一标准，各生产厂商表示的方法也不同。目前我国市场上片状电阻电容以公制代码表示外型尺寸。(1 )片状电阻。表2.1.2是常用片状电阻尺寸等主要参数 表2.1.2常用片状电阻主要参数、代码16082012321

7、6322550256332参数*0603*0805*1206*1210*2010*2512外型长X宽1.6 X 0.82.0 X 1.253.2 X 1.63.2 X 2.55.0 X 2.56.3 X 3.2功率(W)1/161/101/81/41/21电压(V)100200200200200注：1. *英制代号2. 片状电阻厚度为 0.4-0.6mm3. 最新片状元件为 1005（ 0402）, 0603（ 0201）, 0402（01005）目前应用较少。4. 电阻值采用数码法直接标在元件上（参见教材P60），阻值小于10Q用R代替小数点，例如8R2表示8.2 Q , 0R为跨接片，电流

8、容量不超过2A。（2 ）片状电容片状电容主要是陶瓷叠片独石结构，其外型代码与片状电阻含义相同，主要有：1005/*0402 , 1608/ *0603 , 2012/ *0805 , 3216/ *1206 , 3225/ *1210 , 4532/ *1812 , 5664/*2225 等。片状电容元件厚度为 0.94.0片状陶瓷电容依所用陶瓷不同分为三种，其代号及特性分别为：NPO :1类陶瓷，性能稳定，损耗小，用于高频高稳定场合X7R : n类陶瓷，性能较稳定，用于要求较高的中低频的场合。Y5V:川类低频陶瓷，比容大，稳定性差，用于容量、损耗要求不高的场合。表2.1.3常用表面贴分立器件

9、封装S0T-23SOT-89TO-252引1.发射极脚 2.基极功3.集电极能1. 发射极2. 基极3. 集电极1. 基极2. 集电极3. 发射极 0.1卩）除可测短路和漏电外，还可估测电容量，电解电容须注意极性。 方法是：a.先将电容器两端短接放电。b. 用表笔接触两端正常情况下表针将发生摆动，容量越大摆动角度越大；且回摆越接近出发点，电容器质量越好（漏电越小），见图2.2.3。c. 利用己知容量电容对比可估测电容量。图2.2.3用指针表检测电容器四、电感器检测（用万用表可测量线圈短路和断路）方法是测线圈电阻及线圈间绝缘电阻。一般线圈电阻值较小， 约几十Q到零点几Q，宜用数字表测。线圈之间绝

10、缘电阻应为无穷大。五、二极管检测（用数字表和指针表均可）1.普通二极管用指针表：采用测量二极管正反向电阻法，正常二极管正向电阻几 kQ以下，反 向几百kQ以上。!特别提示：指针表中，黑表笔为内部电池正极，红表笔为内部电池负极。用数字表：用二极管档，测量的是二极管的电压降， 正常二极管正向压降约0.1V（锗管）到0.7V（硅管）,反向显示“ 1”2 .发光二极管LED-用指针表 MF368 Q X1档，表笔 红负黒正,LED亮,从LI刻度读正向电流，LV 刻度读正向电压。-用数字表 DT9236 HFE档丄ED正负极分别插入 NPN的C、E孔（或PNP的E,C）,LED 发光（注意！由于电流较大

11、，点亮时间不要太长）。3 .变容二极管采用测量普通二极管方法可测好坏。进一步测试需借助辅助电路。六、开关及连接器检测用测量小电阻的方法可检测开关及连接器好坏和性能，接触电阻越小越好（常 用开关及连接器 Rc1Q）,用数字表较方便。-用高阻档可检测开关及连接器的绝缘性能。七、三级管的检测1.判定基极和管型（NPN型或PNP型）:（b）所示，其中半导体三极管是具有两个PN结的半导体器件，如图2.2.4（a）为PNP型三极管，（b）为NPN型三极管。(a) PNP型 (b)NPN型slitn芳1 !1IM如正向耳诵基极判断(0图2.2.4三极管管型、内部PN结及基极判断用指针表：用电阻档的 Q X

12、100或Q X 1k挡，以黑表笔（接表内电池正极）接三极管的 某一个管脚，再用红表笔（接表内电池负极）分别去接另外两个管脚，直到出现测 得的两个电阻值都很小（或者很大），那么黑表笔所接的那一管脚就应是基极为了 进一步确定基极，可再将红黑表笔对调，这时测得的两个电阻值应当与上面的情况 刚好相反，即都是很大（或都是很小），这样三极管的基极就确认无误了，参见图2.2.4（c）.当黑表笔接基极时，如果红表笔分别接其它两脚，所测得的电阻值都很小说 明这是NPN型三极管。如果电阻都很大，说明这是PNP型三极管。用数字表：要用二极管档用电阻档时各管脚电阻均为无穷大（显示1），方法同上，只是要注意数字表笔接表

13、内电池极性与指针表相反，显示的是PN结的正反向压降。2 判定发射极和集电极及放大倍数：判定三极管的发射极 E和集电极C,通常用放大性能比较法。图2.2.5 发射极和集电极及放大倍数检测 （NPN型三极管）（1）一般方法：用指针表找到基极 B并确定为NPN（或PNP型三极管后，在剩下的两个管脚 中可以假定一个为集电极，另一个为发射极；观察放大性能，方法如图225所示：将黑表笔接假设的集电极，红表笔接假设的发射极，并在集电极极与基极之间加一个100kQ左右的电阻（通常测量时可用人体电阻代替，即用手指捏住两管脚，下同）,观察测得的电阻值。然后对调表笔，并在假设的发射极与基极之间加一个100k Q的电阻，观察测得电阻值。将两次测得的电阻值作一个比较，电阻值较小的那一次测量，黑表笔所接的是NPN型三极管的集电极 C,红表笔所接的是三极管的发射极E,假设正确。若是PNP型三极管，测量方法同上，只是测得的电阻较大的一次为