内存电路详解

1、内存电路详解dam内存使用33供电,dr内存使用2.5v供电。使用sdra内存的主板，常见的都是直接由at电源供电,只有少数高档主板上才采用独立供电。如图5-1所示,用万用表测量电源插座的第1脚与sra内存插槽.3v电源输入脚，它们之间是直通的。 而使用ddr内存的主板,都设计有独立的内存供电电路。内存供电电路工作原理 内存供电电路人多采用集成运算放大器驱动场效应管的方式，其供电原理如图5-2所示，内存供电实际电路如图5-所示。图2内存供电电路的原理是这样的：从a点取得2.5v的基准电压进入到运算放大器的同相输入端in，运算放大器将in+与in的电压相比较，如果i+的电压大于i-的电压，那么o

2、ut的电压上升，t的电压上升使得q1场效应管进一步导通,漏极(d）与源极（s)之间的管压降下降，使得b点的电压上升。通过反馈，in-的电压也上升,直到in+n，也就是i+= 。这个过程可以简单地描述为： (+in-)(ou )(ds）(b ）(in-）,直到in=in。 同理，当i+in-时,它的稳压过程是这样的： （n+in)(out)（d）（）（n-），直到in+=in。这个电路通过反馈比较,间接地控制b点的电压与基准电压相等,因此有时也称运算放大器为比较放大器。 要使b点的电压稳定，必须保证a点的电压稳定,也就是要求基准电压要稳定。在图-的电路中,根据串联电路分压的原理，电阻两端的电压与

3、其阻值的大小成正比,可以算出a点对地的电压为: 3.3v(3.2k/(k+3.24.5v这是使用最简单的串联分压方法取得2.5v的基准电压。这种串联分压电路的缺点是当3.3v的电压波动时，基准电压也会跟着波动，所以有的内存供电电路使用tl431（三端可调分流式电压基准源）来提供基准电压,如图5-4所示。 那么tl1是如何提供5v稳定电压的?请看l31的典型接法,如图5-5左边电路所示。按照典型接法，根据tl431内部电路设计,输出电压与r2、r3有关，由下面的公式得出：vout=（r+3）2.5v/r3当r2=时,上面的公式则变成: ou= （r3） x 2.5/r3=2.5v 也就是说当r2

4、=0时，3可以忽略。 当r2=0(相当于将r两端短接),且忽略r3时,就可以由典型接法演变出直接输出2.v的接法，如图5-5右边电路所示。 还有另一种内存供电电路,它是使用w8331d或w8330r系列芯片驱动场效应管给内存供电,这种芯片同时还能组成内存总线终结电路。图5-所示为由w831dr-o组成的内存供电电路及内存总线终结上拉电路。图5-7为由83301dr-组成的内存供电实际电路。q1漏极的3.3v电压由芯片控制q6、q7供给,q漏极的电压从1源极取得。内存供电vr1与内存总线终结控制vtr2的电压由se2和set3设置,它们之间的关系如表51所示。vse2vset3vstr1vs20

5、vo21.5v5vov2.1.325vvst2s3str1vsro52.7v185v5v2.9v1.45v 由表5-可以知道，sr2s/。对于内存无供电或供电不正常的故障，下面以图5-8所示的原理图来进行讲解 首先观察c2电解电容有无爆浆的现象,如有则应更换电容。 观察q1场效应管有无烧焦痕迹，如有则更换场效应管。还可以用手触摸场效应管，感觉一下是不是特别烫手,如是则应更换之。 测量点（q1源极)有2.v电压输出（sdrm内存供电为33v）,如果电压正常，但内存检测不通过，通常是c电解电容失效或内存插槽接触不良所致,此时应更换c2或内存插槽。 如果b点无电压，检测q1的漏极是否有供给电压以及栅极是否有控制电压，如漏极、栅极电压正常,通常为q1损坏,应更换之。如漏极无电压,则应检查3.3v供电线路。如栅极无电压，则是l324芯片部分电路有问题。检测m24的第2脚（in)是否有2.5电压输入(sm内存供电为3.3v