半导体制造中常用化学品

精品文档 1欢迎下载 半导体制造中常用化学品半导体制造中常用化学品 半导体制造过程中常用的酸半导体制造过程中常用的酸 名称名称符号符号用途用途 氢氟酸氢氟酸 HF 刻蚀二氧化硅 SiO2 以及清洗石英器皿 盐酸盐酸 HCl 湿法清洗化学品 2 号标准清洗液的一部分 用来去除硅中的重金属元素 硫酸硫酸 H2SO4 piranha 溶液 7 份 H2SO4和 3 份 30 的双氧水 用来清洗硅片 缓冲氧化层蚀刻 缓冲氧化层蚀刻 BOEBOE 氢氟酸和氟化铵溶液氢氟酸和氟化铵溶液 HF NH4F 刻蚀二氧化硅薄膜 SiO2 磷酸磷酸 H3PO4 刻蚀氮化硅 Si3N4 硝酸硝酸 HNO3 用 HF 和 HNO3的混合溶液来 刻蚀磷硅酸盐玻璃 PSG 半导体制造过程中常用的碱半导体制造过程中常用的碱 名称名称符号符号用途用途 氢氧化钠氢氧化钠 NaOH 湿法刻蚀 氢氧化铵氢氧化铵 NH4OH 清洗剂 氢氧化钾氢氧化钾 KOH 正性光刻胶显影剂 氢氧化四甲基铵氢氧化四甲基铵 TMAH 正性光刻胶显影剂 精品文档 2欢迎下载 精品文档 3欢迎下载 半导体制造过程中常用的溶剂半导体制造过程中常用的溶剂 名称名称符号符号用途用途 去离子水去离子水 DI water 广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂 异丙醇异丙醇 IPA 通用的清洗剂 三氯乙烯三氯乙烯 TCE 用于硅片和一般用途的清洗溶剂 丙酮丙酮 Acetone 通用的清洗剂 比 IPA 更强 二甲苯二甲苯 Xylene 强的清洗剂 也可以用来去除硅片边缘光刻胶 半导体制造过程中常用的通用气体半导体制造过程中常用的通用气体 性质性质名称名称 符号符号用途用途 氮气 N2 排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿气和 残余气体 有时也作为某些淀积工艺的工艺气 体 氩气 Ar在硅片工艺过程中用在工艺腔体中 惰性惰性 氦气 He工艺腔气体 也用于真空室的漏气检查 还原性还原性氢气 H2 外延层工艺的运载气体 也用在热氧化工艺中 与 O2反应生成水蒸气等 氧化性氧化性氧气 O2工艺腔气体 精品文档 4欢迎下载 半导体制造过程中常用的特种气体半导体制造过程中常用的特种气体 性质性质名称名称 符号符号用途用途 硅烷 SiH4气相沉积工艺的硅源 砷化氢 AsH3n 型硅片离子注入的砷源 磷化氢 PH3n 型硅片离子注入的磷源 乙硼烷 B2H6p 型硅片离子注入的硼源 原硅酸四乙酯 TEOS Si OC2H5 4 气相沉积工艺的二氧化硅源 氢化物氢化物 二氯硅烷 SiH2Cl2气相沉积工艺的硅源 三氟化氮 NF3等离子刻蚀工艺中的氟离子源 六氟化钨 WF6金属淀积工艺的钨源 四氟甲烷 CF4等离子刻蚀工艺中的氟离子源 氟化物氟化物 四氟化硅 SiF4等离子刻蚀工艺中的氟离子源 三氟化氯 ClF3工艺腔体清洁气体 三氟化硼 BF3p 型硅片离子注入的硼源 氯气 Cl2金属刻蚀中所用氯的来源 酸性气体酸性气体 三氯化硼 BCl3 p 型硅片离子注入的硼源 金属刻蚀中所用氯的来源 氯化氢 HCl工艺腔体清洁气体和去污剂 氨气 NH3 工艺气体用来和 SiH2Cl2反应生成淀积用的 Si3N4 其他其他 笑气 一氧化二 与硅反应生成二氧化硅的氧源 精品文档 5欢迎下载 氮 N2O 一氧化碳 CO用在刻蚀工艺中 精品文档 6欢迎下载 硅片湿法清洗化学品硅片湿法清洗化学品 沾污沾污名称名称配料配料分子式分子式 piranha SP W 硫酸 过氧化氢 去离子 水 H2SO4 H2O2 H2O 颗粒颗粒 SC 1 APW 氢氧化铵 过氧化氢 去离子水 NH4OH H2O2 H2O 有机物有机物SC 1 APW 氢氧化铵 过氧化氢 去离子水 NH4OH H2O2 H2O SC 2 HPW 盐酸 过氧化氢 去离子 水 HCl H2O2 H2O piranha SP W 硫酸 过氧化氢 去离子 水 H2SO4 H2O2 H2O 金属 不含铜 金属 不含铜 DHF 氢氟酸 水溶液 HF H2O DHF 氢氟酸 水溶液 HF H2O 自然氧化层自然氧化层 BHF 缓冲氢氟酸 NH4F HF H2O 典型的硅片湿法清洗顺序典型的硅片湿法清洗顺序 步骤步骤目的目的 piranhapiranha 清洗清洗有机物与金属 UPWUPW 清洗 超纯水 清洗 超纯水 清洗 DHFDHF 清洗清洗自然氧化层 UPWUPW 清洗清洗清洗 SC 1SC 1 清洗清洗颗粒 UPWUPW 清洗清洗清洗 DHFDHF 清洗清洗自然氧化层 精品文档 7欢迎下载 UPWUPW 清洗清洗清洗 SC 2SC 2 清洗清洗金属 UPWUPW 清洗清洗清洗 DHFDHF 清洗清洗自然氧