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文档简介

1、主要内容,1.研究磁介质的宏观现象 2.了解各种磁效应的微观机制,6.1 分子电流观点,1.磁介质的磁化 磁化强度矢量M及其与磁化电流的关系 2.磁介质内的磁感应强度B 3.磁场强度矢量H与有磁介质时的安培环路定理和“高斯定理”,6.1.1磁介质的磁化 磁化强度矢量M及其与磁化电流的关系,有关磁介质（铁芯）磁化的理论，有两种不同的观点分子电流观点和磁荷观点。两种观点假设的微观模型不同，但是最后得到的宏观规律的表达式完全一样在这种意义下两种观点是等效的。本节介绍分子电流观点 分子电流观点就是就是安培分子环流假说，即： 组成磁铁的最小单元（磁分子）就是环形电流。若这样一些分子环流定向地排列起来，在

2、宏观上就会显示出N、S极来。,磁化强度矢量: 为了描述磁介质的磁化状态引入磁化强度矢量的概念，它定义为单位体积内分子磁矩的矢量和，用M代表磁化强度矢量 式中mi 代表小体积元V内第 i个分子的磁矩，求和遍及V内所有分子。单位：安培/米 (A/m)。,用平均分子磁矩代替每个分子的真实磁矩，于是介质中的磁化强度为M=nmi=nIa,n为单位体积内的分子环流数。 磁介子公式： 它是反映磁介质中磁化电流I的分布与磁化强度之间联系的普遍公式。,6.1.2 磁介质内磁感应强度B,如果磁化强度M已知，我们可以计算出它产生的附加磁感应强度B来。然后将它叠加在磁化场的磁感应强度B上，就可得到有磁介质时的磁感应强

3、度B B=B0+B 对于很薄的磁介质片 B0, B=B0+BB0,6.1.3 磁介质的安培环路定理和“高斯定理”,有磁介质时的安培环路定理 引入磁场强度矢量H H=B/0-M0 磁场强度B满足的高斯定理,6.2 介质的磁化规律,1.磁化率和磁导率 2.顺磁质和抗磁质,6.2.1 磁化率和磁导率,定义：实验证明，如果磁介质是各向同性的，在外磁场不太强的情况下，任一点的磁化强度MJ与磁场强度H之间有如下关系 ,式中 为磁介质的磁化率，它是只和磁介质的性质有关的纯数。将 代入 可得: 这更直接地表达了磁介质中任意点的B与H的关系，式中： ，是磁介质的相对磁导率: 称为磁介质的磁导率。,试验表明：磁介质在外磁场B0中可以被磁化，从而产生附加磁场B，使空间的总磁场B改变:B=B0+B 。 （1）顺磁质 如果附加磁场B 的方向与外磁场B0 同向，二者叠加使磁场B 增强，这种磁介质叫顺磁质; （2）抗磁质 如果附加磁场B 的方向与外磁场B0反向，二者叠加使磁场B 削弱，这种磁介质叫抗磁质。,6.2.2顺磁质和抗磁质,磁介质的分类 如果能在同一传导电流的磁场中，先后测出在真空和充满某种磁介质时的磁感强度B0和B，则它们的比值就是该磁介质的相对磁导率 ，即: 按r值

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