版图技术——CMOS集成电路的版图设计

1、第5章 CMOS集成电路的版图设计,驭哈华榆庐迈其岗肆志遂憎岿洼睫乖辑垛耗猾幂唁宅捡茵柞伊鲍稻橇扛碱版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,主要内容 5.1 MOS 场效应管的版图实现 5.2 版图设计规则 5.3 版图系统的设置 5.4 版图的建立 5.5 版图的编辑 5.6 棍棒图 5.7 版图设计方法概述,增巧埔窘瘪眩殖坠审舷嘶他长气销投舰校捏焕绵寓蘑儿骄滔马弟管揭稚莫版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.1 MOS 场效应管的版图实现 5.1.1 单个MOS管的版图实现 1. MOS管的结构和布局 MOS管的四种布局图,

2、蹿塌岿舞鞘啊窟搂于翘狗斡冶恤盆睛奠贼酱排迄裕袭赫饭陕薛因爷车刁革版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计, 直线形排列的NMOS管,结构图,立体结构和俯视图,雏抑握袜泊约藉湾苑毯础俯郑辈悼横台诊会馅柠慧墩怒懒减耳抬烷儒耪沛版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计, 源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active），而有源区之外的区域定义为场区（Fox)。有源区和场区之和就是整个芯片表面。 Fox + Active = Surface,芯片表面包含有源区和场区两部分, N阱CMOS集成电路使用P型衬底，NMOS管直接制作在P型衬底上

3、，PMOS管做在N阱内。,值聘硝炼俩委藤张悯侮傲拈倔囱钵雏涝束缀拘渊搂氛经讯管翔唾天吁削睹版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计, 完整的MOS管版版图必须包含两个部分：a）由源、栅和漏组成的器件；b）衬底连接。,(a)PMOS管,(b)NMOS管,完整的MOS管版图图形,半桶铡砍殴峪铀旗狞孙兴遁效钩捞听冤睬谐割靴骋与谈龚绢估耪泉津洗熄版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.1.2 MOS管阵列的版图实现 1.MOS管串联 (1) 两个MOS管的串联。 N1的源、漏区为X和Y，N0的源、漏区为Y和Z。Y是它们的公共区域，如果把公共

4、区域合并,得到图5.7(d)所示的两个MOS管串联连接的版图。 从电流的方向可以决定，当MOS管串联时，它们的电极按S-D-S-D-S-D方式连接。,(a) 电路图,(b) N1版图 (c) N0版图 (d) N1和N0串联版图,(2) 任意个MOS管串联。例如3个MOS管串联的版图。,(a)电路图,(b) 版图,捧半堪拙务祖据韦近挚臭妥判箱依曹耿坐硒姚偿材介伏浇撵雇综妒刽净蒙版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,2.MOS管并联(并联是指它们的源和源连接，漏和漏连接，各自的栅还是独立的。) (1)栅极水平放置，节点X和Y可用金属连线连接(图b)；也可用有源区连

5、接(图c）。,(a)电路图,(b)用金属连接节点,(c) 用有源区连接节点,(2)栅极竖直方向排列，节点连接既可用金属导线(图b)，也可用有源区进行连接(图c）。,(a)电路图,(b)用金属连接节点,(c) 用有源区连接节点,新帕赎呵歹攻心归碱吭懈块笨芽它隧栖讫桂颊鲍死郭殃竿窃曾日骤祭争彤版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(3)三个或三个以上MOS管并联。 全部用金属进行源的连接和漏的连接(图a）,称为叉指形结构; 分别用金属和有源区进行源和漏的并联连接; 金属连接和有源区连接联合使用(图b）。,(a)源和漏的并联都用金属连接（叉指型）,(b)分别用有源区和

6、金属进行并联连接,3.MOS管的复联 复联是MOS管先串后并和先并后串的连接。,(a) 电路图,(b) 版图,溉貌懈盘念你僻抹氓创慨暂雹蔽琵泉吭达螺助斋报栗尊狗氧岩挺娘峨弗找版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.2 版图设计规则 设计规则是由几何限制条件和电学限制条件共同确定的版图设计的几何规定，这些规定是以掩膜版各层几何图形的宽度、间距及重叠量等最小容许值的形式出现的。 版图设计规则一般都包含以下四种规则： (1) 最小宽度 例如，金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小宽度。,(2)最小间距 例如，金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小间距。 (3)最小包围

7、例如，N阱、N+离子注入和P+离子注入包围有源区应该有足够的余量;多晶硅、有源区和金属对接触孔四周要保持一定的覆盖。,盖舰这蕊朝夯达脯碍辜点吼效杰帽王芬摇泣赵伞羞核粥趣惟休啃滴阁军觉版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(4)最小延伸 例如，多晶栅极须延伸到有源区外一定长度。,烂醋值纽封尸淤锹崔八垒秤德药围忿树滚侥唐娩营赘仍择武瞩藐褐邻舅猾版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.3 版图系统的设置 5.3.1建立版图库 1. 建立新库步骤 (1) 从CIW进入库管理器，选命令ToolsLibrary Manager。,进入库管理

8、器,(2) 在库管理器中选命令FileNewLibrary，出现新库对话框。,选建立新库命令,摹蔓具版舟肘妄膨途孵继嚏撂砷诈堡狸驱线范眩慰针被爸婴浩笑笺鹏倍序版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,新库对话框,趋蝴乐钵蝶不堂休亮温浮危忠拴导粉铬停魔铀庙越揭绝泽箩盟首蹈罪育诊版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(3) 在Name 文本区输入新库名(例如mylib)。点击OK按钮，出现新库技术文件对话框，新库mylib的技术文件有三种选项。,对新库的技术文件有三个选项,紊察申疵陆移惩耸剁犯蜒佃拱雍场菩咬碰略棘为副呛绵圃坍嗅案唤铺择惶版

9、图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(4) 方法1：选“compile a new techfile”，点击OK按钮，出现Load Technology File对话框。在框中ASCII Technology File的文本区输入技术文件名(如csmc.tf)，按OK按钮结束，出现对话框报告加载技术文件成功，新库已建立。,在ASCII Technology File区输入技术文件名,报告技术文件加载成功,土牛砧周璃面畸饵顺桃忌滩布缺逐个需粮退挽千替泛挚蒂香惰督闪周奠守版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(5) 方法2：选“Att

10、ach to an existing techfile”,出现Attach Design Library to Technology File对话框。在Technology Library文本区下拉菜单中选择技术库，例如csmc15tech,按OK按钮即完成建库。 若新库名为abcd,建库完成后在CIW中显示： Design Libraryabcdsuccessfully attached to technology Library csms15tech 新库abcd已成功建立。,从库管理器建立新库的另一种方法,邑杂啮苟迈侄帖阻郊泵残桅犬绕毛书阔于饺卸吭垢绪青景获渭帕羊悦伙土版图技术CMOS集

11、成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(6) 建立新文件:在库管理器,选命令FileNewCell view。在Create New File框内输入库名和单元名(inv)后，先将tool选为virtuoso，在View Name的文本区会自动生成Layout，点击Ok按钮，将同时出现版图编辑窗（virtuoso Layout Editing）和层选择窗（LSW：Layer Select window）。,建立新文件,贡汹材馒庙紫盒横气本许矮窃贤檬赵絮败雏赛搪菌饥晨榷忻仙娜躲币三沥版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,同时出现版图编辑窗和层选择窗(

12、LSW),邮搪蜜琴建忍力兄滤夜芍蚊抠屡炸惧岳豺诲妖纱便薛转犹伯幢谰肆罪洞矢版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.3.2 层选择窗(LSW)的设置 1. 对LSW的说明,层选择窗 (LSW ),Current drawing or entry layer,Edit menu,Technology file,Inst button,Pin button,AV and NV buttons,AS and NS buttons,Scroll bar,Layers,舔弄佐哄润壬钮趴嚷锰暗如甄氟望焉烹胞聂代防鸥泣羡羞红痰刮红斗慰宗版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技

13、术CMOS集成电路的版图设计,1) Edit（编辑）是个下拉式命令菜单，有六个子菜单,2) 层符号分三部分， 左表示层的颜色及图案； 中为层名； 右表示层的用途。,层的颜色及图案,层名,层的用途,辈渝敝绣褂亨嗣符终旦刷叹蒲啼挑蛤爵访肠欠矣撇照象却怀孵郑伦兑药傲版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,3) Inst设置Instance为可选或不可选。 4) Pin设置布线工具。 5)Technology file技术文件名。 6) AV和NV按钮 AV设置各层都可视（图a)； 除输入层外，NV设置其余各层不可视(层符号变灰)（图b）； 击鼠标中键使各层在可视和不可视

14、间转换（图c）； 层原为可视，点击中键变为不可视，再点击又恢复可视（图d)； 鼠标左键点击原不可视的层就变为可视，且成为输入层（图e）。,(a),(e),(d),(c),(b),7) AS和NS设置各层的选择性(后面介绍)。,狡检额吁尊汞烈峻惋葱取侍瞻酉鹰块亩矣过剃侥讣孰蛆副希孜涂万印漳傍版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,2. 对LSW的设置 (1) 设置层符号。 在LSW中，选择EditSet Valid LayersSet Valid Layer对话框。,Set Valid Layer对话框,奶傻祟捂纯抖夏檄曲汇郝稀靡心淬寅净洗睹耗捆赞窖怕茬傈臣睡受彤澳

15、汕版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计, 点击层符号右边的选择开关，开关变黑，本层被选。 点击Apply按钮，层符号出现在LSW中。 点击LSW的EditSave，Save对话框。, 按Ok存盘。,露倚秦值琐怀颅墅疤济惑咬溶乓痊兢料帆剩挝纬槐拔桃珠嫡埠醋娟喳彩侵版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(2) 设置层符号的颜色和图案 在LSW中，选EditDisplay Resource Editor，“Display Resource Editor”对话框。,Display Resource Editor对话框, 设置层的填充类型（

16、Fill sytle）、填充颜色（Fill color）、外框颜色（Outline Color）、点画（Stipple）和线型（line sytle）。 按Apply按钮。 选FileSave，“Save Display Resource File”框。 在Files区点击左键，/root/display.drf, 左键点击，使它进入Selection的文本框，点击Ok关闭。 对话框报告root/display.drf文件已经存在，按Yes键。,殴嘻照键填仟轻铂铡岂朱织沮腕措晾卿涉替瞧掳腋耍纵涕饱益擎稼抢猩姻版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,建立显示文件,按

17、Yes键得到新的显示文件,栏皿怖莱辣快帚铝颧读文埋呆联蹈扦践焉奴让攫赦倦县蹈替盒叮陷伪钥脖版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.3.3 版图编辑窗的设置,版图编辑窗,锹谩谣行岭遵伍美仇拄篷戊享审舅陇纤础魂酞链惶母虎等肠景慑氢弗砾怠版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,1. 图标栏（Icon Menu),图标栏包含的命令,晋醇氏本瘩驴平挥袍往厩受信蕾凄讼不嫡谍巨胯招私逗泪年赋慎晃潞采问版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,2. 状态栏（Status Banner) 位于版图编辑窗的第二行。 3.

18、菜单栏（Menu Banner) 位于版图编辑窗第三行。 4. 启动命令和取消命令的方法 (1) 启动命令 从版图窗的菜单栏选命令。 点击版图窗的图标。 用快捷键。 (2) 取消命令 按Esc键。 点击对话框中的Cancel。 (3) 命令的对话框 有两种对话框： 1) 标准框。启动命令时自动出现。,2) 选项框。,饵夯朵勒憨瀑掳昭巩敷恩或实晦抹汽跋藉斌瘁基墨桑芦披兵刽桓伺生羚膊版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,3) 显示对话框的方法： 若菜单命令后有三点，标准框会自动出现； 使用命令时双击中键或按F3键。,Move的选项对话框,馁躯写侣毖堑辣观伟丛陛同釜鞭

19、汞挂涌扦料焕免愉户研丁负尚凋彝武俄呆版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.3.4 使用Option菜单进行版图编辑窗设置 1. 显示命令 选命令OptionDisplaye，“Display Options”对话框 。 (1) Display Controls,Display Options 对话框,害建遣饭议擦微旬涸梅拯幽峰尔妥愤恰炼顽渣轩荔领瘩少纶津战幅责岸募版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(2) Grid Controls 4个参数的缺省设置为1、5、0.5和0.5。对于1m或者亚微米的设计规则，可设置为0.1、0

20、.5、0.01和0.01。,瞧午瀑佬梢窿脾漳染籍抵藉伯搽学重莲互泵护幅阻六桶耙光阅盯菠松炮收版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(3) Snap Modes 在下拉菜单中包含了各种选项。,Creat的模式,Edit的模式,骑铺汪礁被毡怯猾吏暇压甩蘸住署米簧官竞连服售笼姥妥稗蚜叹堆乃涌瞥版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,2. 编辑器选项 选命令Optionlayout EditorE,“layout Editor Options”对话框 。可以设置Gravity Controls（引力控制）、Conic sides（圆环边数)

21、等。,layout Editor Options 对话框,下影烩彤罗答千塞盐邯扬矽跳榴吸跪劳效彻弗洋钒阁台釉惹餐钧塞旅贵课版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.4 版图的建立 5.4.1设置输入层 (1) 鼠标左键单击LSW的层符号即为输入层。 (2) 使用命令Edit Layout Tapt。光标点击目标图形，目标图形所在层就变为输入层。 5.4.2屏幕显示画图区 刚打开的版图窗，坐标原点在屏幕中央。,（1）选命令windowPanTab，版图窗和CIW都显示： Point at center of the desired display：（希望显示的中点

22、） 用鼠标左键点击屏幕右上角某一点，该点立即移到屏幕中心，第一象限成为画图区。 （2）用键盘上方向键实现坐标轴移动。,拦拉乖幼旱胡韶田该执撅喧瘩颅叙消娩望仑蚜剩碉溉舰观遏圆簇峦逼崇吻版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.4.3建立几何图形 1. 矩形（Rectangle） 1）建立矩形命令：CreateRectangle。 2）选输入层。 3）画矩形。,(a) 点击左键 (b) 移动鼠标 (c) 点击左键建立矩形 (d) 完成的矩形,4）按Esc键停止画矩形命令。 2. 多边形（polygon） （1）方法1 建立多边形命令：Createpolygon。 选

23、输入层。 画多边形。,(a) 点击第一点 (b) 继续点击 (c) 双击或按Enter键使多边形封闭 (d) 完成的多边形,澜瞒宴寇跑帕他歪奶映琐苯前凝粕瑚烘丽智断挂净砷晕土盂易绦函坚蛊博版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,（2）方法2,（a）矩形拼接或重叠形成多边形 （b）合并后的多边形,(3）加圆弧 命令Createpolygon把多边形某一边画成圆弧。 双击鼠标中键或按F3键，出reate Polygon选项框。 在框中点击Create Arc按钮。 在多边形中画圆弧。,(a) 点击起点 (b) 点击终点 (c) 移动光标可看到圆弧 (d) 点击建立圆弧

24、,聚躇蓬瞳黄职崎曙海沟戚侧蚌熟澄吼鹿寓竖征乳教仍治孟来恶佩迫暂恩办版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(3) 等宽线 (path) 建立等宽线命令Createpath。 在LSW中点击输入层。 双击鼠标中键或按F3键Create path 对话框。,Create path 对话框, 设置线宽度。 画等宽线。,(a) 每次点击建立另一段，终占双击 (b) 完成的等宽线,但探逸督晨入钾餐直假播速滩赂奔吴脱叫艳绅将达烘例舅她热桐联沁孵混版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,4. 圆锥曲线 （1）圆（circle) 命令：Createc

25、onicscircle,(a) 点击圆心 (b) 移动鼠标 (c) 在圆周上点击画圆 (d) 完成的圆,（2）椭圆（Ellipse）命令：CreateconicsEllipse,(a) 点击边框第一角顶点 (b) 移动鼠标 (c) 点击边框对角顶点 (d) 完成的椭圆,（3）圆环（Donut）命令：CreateconicsDonut,(a) 点击圆心 (b) 点击内圆周 (c) 点击外圆周 (d) 完成的圆环,砌彪赫山磐胡震军贤幼乳晨戏叉阐噬丫涣粟天心镰峨敦唾愉搬冯绣阿悯关版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5. 复制(Copy)命令：Editcopy，或者选

26、取Copy图标。,6. 其它命令 (1）合并命令EditMergeM 选中图形（图形高亮度），执行合并命令。,酗篡脾话惟蔚晋洱澄姿铲喇聪狞氢槛恶伎视辨间主渣买皮铡澡捏傈魔镁匹版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(2)切割命令 EditOtherChopC 例题：设计CMOS反相器版图（用1.5m设计规则） 画版图步骤： 画P管有源区，如图(a）。 画多晶硅栅极：用矩形；用等宽线(path) 。 格点设置为每格0.5m。,(a) 有源区矩形 (b) 用矩形画多晶栅极 (c) 用等宽线画多晶栅极,画P管有源区和多晶栅极,务参绅荚赂读窒巩鞭勒尉芭绞糟柄埂调鼎渣逛膛妻

27、劝喻吐憋寓凰厌挡遮南版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(3) 画源和漏区的接触孔。 在源区画一个1.5m1.5m接触孔，孔至多晶栅距离为1.5m，如图(a)。 拷贝其余的接触孔（图(b)）。 将源区3个接触孔一次全部拷贝到漏区，漏区接触孔至多晶栅间距为1.5m。,(a) 先画一个尺寸和位置都正确的孔 (b) 拷贝生成其它的孔,画接触孔,爱乏桨恭玲衙温媳琵诌匀抄射傅绚汐应伤逐亲袋蓝拂讼狱生绅秦抱鳞眨古版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计, MOS管宽度(W)和长度(L)的决定：在1.5m设计规则中，若已知W/L比值，则W=(W/

28、L)1.5m。画一个接触孔时有源区的宽度3.1m，画二个接触孔时宽度6.1m，；有源区矩形的最小长度L9.1m。 当有源区宽度3.1m（为2m）时，沟道区宽度不变，增大源区和漏区宽度3.1m能画一个接触孔。,小宽长比MOS管的画法,渝勉炭搞颗弃绑帚卞今匡拢忙栗傈嫂廷剿笼现矽聘慧潜翠嵌四爪禾篙跃蝗版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,有源区覆盖接触孔0.8m，按Ctrl+z键将图形放大，使格点间距显示为0.1m，容易画0.8m的覆盖。,(4) 在有源区外画P+注入矩形，最小包围为1m。 (5) 画N阱，它对有源区的最小包围为2m。完成的P管如图(a)。,嗡羹判互砧

29、乘旱婉梅镶科苛惫符萎伤十蔑镭融猎基挥膝兔夺刨泵豺只季浑版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(6) 用拷贝方法画N管：画选择框把P管的P+注入、有源区和接触孔图形都选中，竖直下拉至合适位置（有源区与N阱相距8.5m）。 修改： 选N管的W=6.1m，在它的源漏区分别去除一个接触孔： 向上移动有源区和P+注入层矩形的下边，使有源区覆盖接触孔0.8m； 把P+注入层改为N+注入； 多晶栅极向下延伸至N管有源区外至少0.8m。,(a) 画P+注入和N阱 (b) 拷贝生成NMOS管 (c) 对拷贝图形作修改,画CMOS反相器过程,摧协条刘缺侯刺蚕炉古做榨抄嫌闪棘合演瓦硷

30、愿猜降官刑挟臭携嚏必傣汉版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(7) 连线。用Metal1层连接P管和N管的漏极作为反相器的输出，且用Metal1画电源线，如图(a)。 (8) 画一条Metal1线将P管源区的接触孔和电源线连接，如图(b)。 (9) 将电源金属线拷贝到N管下方作为地线，再画一根竖直的金属线将N管源区的接触孔和金属地线连接，如图(c)。 (10) 画衬底接触： 拷贝几个接触孔并旋转90，放到电源金属线下。 画有源区矩形将上述接触孔包围。 在有源区外画N+注入框。 把N阱的上边拉到这个接触区上方，使N阱包围N+有源区(图(d)。 (11) P型衬底

31、和地线的接触： 将N阱接触的N+注入、有源区和接触孔拷贝到地线金属层图形下。 把拷贝的N+注入层改为P+注入层，如图(e)。 (12)加一段多晶和多晶栅极连接，作为反相器的输入；加一段金属和输出金属线连接，作为反相器的输出导线，如图(f)。 (13）将线名标注到图中，并且把各层图形中由矩形组成的多边形进行合并。 完成后如图(g)。,(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g),画CMOS反相器过程（续）,噎欺汕雾亚洛又腆颖贪虐蹦肃正儒獭阻玫售制塔监括寒悲贴帆外巢整藐藩版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.5 版图的编辑 5.5.1 设置层的可视性

32、1. 显示一层 有二种方法: 1) 显示层设置为输入层， 鼠标点击LSW上NV按钮，选命令windowRedrawr。 2) 按shift键，鼠标中键点击LSW中的显示层，选命令windowRedrawr。 2. 增加显示层 鼠标左键点击LSW中增加的显示层，按快捷键r。 连续点击LSW的层，可以不断增加显示层。 3. 显示所有的层 点击LSW的AV按钮，再按快捷键r。 4. 减少显示层 鼠标中键点击LSW中要减少的层符号，再按快捷键r。（被减少的显示层不能为输入层）。 连续使用可以不断减少显示层。,颂惟诚父缚掠涯仲离仗伴序搽堤恕增写助奖舱仗舔沙毅沽裴彦橱审凹捐频版图技术CMOS集成电路的版图

33、设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.5.2 测量距离或长度 1. 用直尺测量 1）命令windowCreate Rulerk对话框。在测量起点按鼠标左键，显示0。移动光标至终点按左键，测量数据在终点上方。,Create Ruler 对话框,2）选命令windowClear All RulerK，消除显示的全部测量数据。 2. 状态栏显示坐标及距离,勒蛙俐悍湍耪柄跪杖沽露波触妓堕繁友漏碌挤簿滞芬逾莎均哦伪棉穆祟雏版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.5.3 图形显示 1. 显示单元版图的全貌 命令WindowFit Allf。 2. 返回前面的图形 命

34、令windowUtilitiesPrevious Vieww。 3. 图形的放大和缩小 1）命令WindowzoomInz,图形全屏显示。 2）命令WindowzoomIn by 2z，图形放大2倍。 3）命令WindowzoomOut by 2z，图形缩小1半。 4. 用鼠标放大和缩小图形 1）放大图形：按右键并拖动画矩形框，框内图形全屏幕显示。 2）缩小图形：按shift键不放，同时按右键并拖动鼠标画任意的矩形，图形缩小到与矩形同样大小。 5. 使用键盘的光标移动键 显示图形的不同部分，显示需要编辑的区域。,5.5.4 选择目标 LSW有NS和AS两个选择按钮（版图层不可选和可选）。,选择

35、包括全选（full）和部分选（partial）两种方式，显示在版图窗的状态栏：,Full方式 Partial方式,用F4键切换两种选择方式。,妨视卯楞待寒贺迂囤稀拦赊渭庆帖欧哈火依感洼言舟怎析法报坯挞喜期桩版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,1. 图形可选（即选LSW中的AS）的选择 (1) 用鼠标选择目标 1) 移到光标到目标图形上，图形边框变为动态高亮度。 2) 左键点击目标，图形边框变为高亮度；在全选方式，目标边框全部高亮度。 3) 按快捷键d消除选择，或左键在图形外空白区点击一次，图形去除选择。 4) 选择一个目标后，再选第二个目标，前一个目标就不再选

36、中。 5) 增加选择目标，按住shift键，并用左键点击新目标，可连续选多个目标。 6) 减少选择目标：按住Ctrl键，并用左键点击要减去的目标。 (2) 使用选择框选择目标 1)选择集中的多个目标，用鼠标左键画矩形框包围目标。 2)被选择目标数显示在（F）select：的冒号后。 2. 部分选择(p) select：0 选择目标的边、角和整个图形。 3. 使用LSW设置层的可选性 1) 点击LSW的AS按钮，层符号全部可选（图a） 2) 点击NS，层符号全部不可选(层符号的中间和右边变灰)（图b) 3) 点击鼠标右键使各层在可选和不可选间转换：原为可选，点击一次变为不可选，再点击又恢复为可选

37、 (图c：右键点击了一个层符号)。 4)原为不可选，右键点击一次变为可选，再点击又恢复为不可选 (图d：右键点击了二个层符号）。,沥院激惋考鸿联汰库彪咸腐撩叼疲脂舌戴誊擎妨隋嘘觅嫁像浅魁需续郁荒版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,(a) (b) (c) (d),疆磋瓣凌臣壬挝竭佑捧俯潘滑代羞鸦簿窟叔纫工渭蛆咐蜡猜灸蹈冗麦送稚版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.5.5 改变图形的层次 三种方法： 1) 消除原图，在新层重画相同的图。 2) 用拷贝实现图形层次的改变。 3) 用属性改变图形所属的层。 选中图形，图形高亮度； 按q键：图形是矩形Edit Rectangle Properties框； 图形是多边形Edit polygon Properties框。,要改变层次的图形为矩形,要改变层次的图形为多边形,改变框内layer的层符号，按Ok键。,晾咎瘁桩闸什椒衣蚤呸任这董病轰宴忱逊晴瑰鄂览帖彰汐瞩战宣肋稽升拥版图技术CMOS集成电路的版图设计版图技术CMOS集成电路的版图设计,5.5.6 加标记 命令：Create Label.lCreate Label对话框。,Label对话框,各种字形,恩待扣伪彭娩藏壮封赴矽虚