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文档简介
1、传感器 练习题及解答,宋 佳,一、电阻式传感器,1、何为金属的电阻应变效应?怎样利用这种效应制成应变片? 解:金属的电阻应变效应是指当应变片的结构尺寸发生变化时,其电阻也发生相应的变化。 将应变片粘贴在各种弹性敏感元件上,当弹性敏感元件感受到外力、位移、加速度等参数作用时,弹性敏感元件产生应变,再通过粘贴在上面的电阻应变片将其转换成电阻的变化。通常,它主要由敏感元件、基底、引线和覆盖层等组成,其核心元件是电阻应变片(敏感元件),主要作用是实现应变电阻的变换。,2、两金属应变片R1和R2阻值均为120,灵敏系数K=2;两应变片一受拉,另一受压,应变均为800。两者接入差动直流电桥,电源电压U=6
2、V。 求:(1)R和R/R;(2)电桥输出电压UO。 已知条件: (1)R1=R2=120, (2)灵敏系数 (3)轴向应变 (4)电源电压U=6V 解:由上述公式可知,3、在材料为钢的实心圆柱形试件上,沿轴线和圆周方向各贴一片电阻为120的金属应变片R1和R2,把这两个应变片接入差动电桥如右图。若钢的泊松系数 0.285,应变片的灵敏系数k2,电桥电源电压U2V,当试件受轴向拉伸时,测得应变片R1 的电阻变化值 ,试求电桥的输出电压U0。 解:有轴向形变和径向形变,是半桥双臂, 所以,4、金属应变片与半导体应变片在工作原理上有何不同? 解: 金属应变片主要由几何尺寸的形变决定,其电阻率的变化
3、很小,忽略不计;半导体应变片是基于压阻效应,由电阻率的变化决定。,二、电容式传感器作业,1、上图为变介电常数式电容传感器 ,其中 若有 : (1) (2) (3)并如何设计成差动式? 解: 并有 所以: 进而可知: 差动式的设计如下:,2、如图,C1与C2是两个差动式传感器的两个电容,A1、A2是电压两个比较器,Ur是参考电压,电源电压为U,设接通电源时,Q为高电平。试作图分析uA、uB、uAB、UF、UG的电压波形图(分C1=C2与C1=C2两种情况) 解:先A高,对C1充电, 当UFUr时翻转,于是A低, C1放电。B与A相反。 图略,3、如右图(1、3为固定极,2为可动极板)所示电容式传
4、感器,其可动极筒外径为9.8mm,定极内径为10mm,上下遮盖长度各为1mm,试求两个电容值?当供电频率为60KHz时,求它们的容抗值? 解: 容抗值,4如右图(1为固定极,2为可动极板)所示的电容式传感器,极板宽度b4mm,间隙,极板间介质为空气,试求其静态灵敏度。若动极板移动2mm,求其电容变量。 解:,三、电感式传感器,某螺管型差动式自感传感器(如右图,1、4为圆盖,2为磁筒,3为磁心)的结构参数为N800匝,h10mm、t6mm、 2mm(磁心直径)、 10mm(螺管线圈内径),并设 1.30,(1)试求在平衡状态下单个线圈的电感量 =?(2)若将其接入变压器电路,电桥变压器二次侧电源
5、频率为10000Hz,u/20.9V,设电感线圈有效电阻可以忽略,求该传感器的灵敏系数 ?,解:(1),(2)实质为调相电路,总灵敏度:,当铁芯发生位移后:,即,五、热电偶传感器,1、将一灵敏度为0.08mV/的热电偶与电压表相连接,电压表接线端是50,若电位计上读数为60mV,热电偶的热端温度是多少? 解:冷端温度为50,等效热电势: 0.08mV/*50=4mV; 热端实际热电势为: E(t , to)=E(t , t1)+ E(t1 , to)60464mV, 可以计算出热端实际温度为:64mV/0.08mV/=800 或者:600.08x(T-50),则T=800,2、欲测量变化迅速的
6、200的温度应选用何种传感器? 测1500的高温度又应选用何种传感器? (不考虑测量精度与线性度的要求) 解:测200选择热敏电阻或者薄膜热电偶; 测1500选择铂铑30-铂铑6热电偶。,3、为什么在实际应用中要对热电偶进行冷端补偿? 解:因为热电偶输出的热电势是相对于冷端温度的相对温度,如果测量热端的绝对温度,则必须要知道冷端的温度,或者冷端的等效热电势是多少。,六、光电式传感器:,1 根据P90,图3.73(b)选择,当光源波长 = 0.8 0.9 m 时宜采用那种光敏晶体管作测量元件?为什么? 解:选用硅材料做光电器件。根据光谱特性,此处硅相对灵敏度高。,2 试用光敏三极管控制以及直流电
7、磁继电器设计一个电灯控制电路的原理图。 (逻辑:没有光照时,电灯亮),(a) (b) (c),其中,VO端接电磁继电器,控制电灯。,3、解释CCD势阱的概念,论述CCD的电荷转移过程。 解:从半导体的原理可知,当在金属电极上施加一正电压时,在电场的作用下,电极下面的P型硅区里的空穴将被赶尽,从而在表面附近形成一个带负电荷的耗尽区。也就是说,对带负电的电子而言,这个耗尽区是一个势能很低的区域,成为电子的势阱,简称为“势阱”,这是蓄积电荷的场所。表面势阱的深度,近似地与极板上所加的电压成正比。 电荷转移过程详见课件中t=t1、t=t2、t=t3、t=t4四个时刻的电荷转移过程(略)。,七、霍尔传感
8、器,某霍尔元件l、b、d尺寸分别为1.0cm x 0.35cm x 0.lcm,沿l方向通以电流I=1.0mA,在垂直lb面方向加有均匀磁场B=0.3T,传感器的灵敏度系数为22V/A.T,试求其输出霍尔电动势及载流子浓度。 解:,八、光纤传感器,1、求光纤n0=1、n1=1.46、n2=1.45的NA值,以及最大入射角c=? 解 :,2、光纤传感器有哪几种调制方式? 解:强度调制、相位调制、频率调制 3、光纤的数值孔径NA的物理意义是什么?NA的取值大小有什么作用? 解:NA= n0sinc,NA值越大,说明最大入射角度越大,入射的光越多(集光能力强)。,4、说明弯头型光纤传感器的工作原理。
9、 解:如图所示 工作过程: 锯齿板受外力作用 产生位移使中间的裸光 纤微弯曲在微弯处使光束以小于临界角的角度入射到界面,会有部分光逸出纤芯而散射入包层,引起光强调制。锯齿板位移较小时,光纤中光强的变化与位移量是呈线性关系的。,九、超声波传感器,1、解释多普勒效应。已知多普勒超声波流量计的发射波频率为5MHz,传感器角度为60度,液体中声速为1500m/S,多普勒频移为6MHz。求流体流速v。 解:在声源和接受器之间存在相对运动的情况下,所接受到的声信号频率与声源频率有差别,即:多普勒效应。,2、比较AE传感器与超声波探伤仪工作原理的异同点。 解:AE传感器原理:金属材料在损伤前会发生微弱超声波,即:AE现象。特点:只收不发; 超声波探伤仪是利用一对探头,一收一发。有伤时,将影响收到的超声波的强度。,3、解释超
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