BJT与场效应管课件

1、1.3双极晶体管，双极晶体管的几种常见形式(a)低功率管(b)低功率管(c)的功率管(d)高功率管，双极晶体管也称为晶体管。电路表现法符号：BJT。不同功率的外形结构不同。I .由两个PN连接(包含不同的掺杂浓度和背靠背)组成的基本结构，每个PN连接的相应区域可以分为发射区域、默认区域和称为收集器区域的NPN类型和PNP类型。晶体管制造的材质可以是Si或Ge。基本区域：更薄，低掺杂浓度，集电极区域：更大的面积，发射区域：高掺杂浓度，BJT是非线性分量，操作特性与操作模式相关：EB连接和CB连接都处于饱和模式，加上正偏差；如果EB接头加上0或相反、CB接头和相反符号，则BJT处于封闭模式。EB连

2、接加正，CB连接加反，BJT为放大模式；BJT主要用于放大不断变化的电流、电压信号，饱和模式和阻塞模式主要用于数字电路。ii .以电流放大原理NPN型BJT为例，其结论与PNP型BJT相同，但外部电压与电子相反。输入电路输出电路施工极放大电路，工作基本条件：EB接头正偏置；CB节点相反。VCCVBBVEE，BJT的放大可能显示为使用较小的基极电流控制较大的集电极电流，或按比例将较小的电压放大到较大的电压。a) EB结加正偏压，扩散运动形成IE。b)扩散到基座的自由电子和孔复合形成IB。C) CB结加逆，漂移运动形成IC。1 .BJT内部载波运动、EB、RB、EC、p区域中电子的一小部分与基本区

3、域中的孔相结合，形成电流IBE，大部分通过集电极结扩散。发射结为正，发射区电子继续扩散到基地区，已形成发射极电流IE。RC、EB、Rb、EC、收集器接合反向偏移、子系形成的反向电流ICBO。电子从基座扩散，形成ICE，收集进入集电极节点，作为集电极节点的小儿子。ICBO:发射极打开时集电极连接反向饱和电流ICEO:基极打开时集电极和发射极VCC半偏置下的电流，称为穿透电流。分析时可以忽略，但可以反映BJT的质量。IB=IBE-icboibe，2。电流分配关系，忽略对极间电流影响较小的电子和孔运动形成的电流，BJT中的电流关系如下：IE=IC IB，3。BJT电流放大系数，3 .特性曲线，实验线

4、，1 .输入性质，作业压力降：矽管ube 0.6至0.7v，锗管ube 0.2至0.4v，死区电压，矽管0.5V，锗管0.2V .2。输出特性，IC(mA)，此区域满足IC=IB的要求称为线性区域(放大区域)。如果UCE大于特定的数值，则IC仅与IB相关；IC，该区域中的UCE K，此区域中的：IB=0，IC=ICEO，UBEIC，UCE0.3V，(3)时间栏：UBE死分区电压，IB=0，IC=ICEO，4 .BJT的主要参数，1 .电流放大系数，a)C-B极反向饱和电流ICBO硅线管比锗管小，并且受温度影响很大。使用小于ICBO的BJT。2 .极间反向电流，3 .特性频率fT，BJT在交流电

5、状态下工作，由于接合电容器的作用，信号频率增加，减少，产生相移，因此减少到1时的信号频率称为特性频率fT。应尽可能选择具有高fT的BJT。4 .极限参数a)收集器最大允许电流ICMb)收集器最大允许功率PCMc)极点间反向击穿电压UCBO:大小可达数十到数千伏特。UCEO:与ICEO相关，UCEO0，4，耗尽n通道MOS管的特性曲线，耗尽MOS管UGS=0时，存在导电通道，可以通过添加反向电压进行修剪。、传输特性曲线、输出特性曲线、UGS=0、UGS0、单接头晶体管和晶闸管、单接头晶体管由一个PN接头组成的负电阻器件晶闸管由晶闸管、三个PN接头组成的大功率控制整流器、自学习、集成电路简介、集成电路介绍、集成电路介绍晶体管、集成电路集成