微电子概论（第3版）课件2-6-6A四种MOSFET的对比分析_第1页
微电子概论（第3版）课件2-6-6A四种MOSFET的对比分析_第2页
微电子概论（第3版）课件2-6-6A四种MOSFET的对比分析_第3页
微电子概论（第3版）课件2-6-6A四种MOSFET的对比分析_第4页
微电子概论（第3版）课件2-6-6A四种MOSFET的对比分析_第5页
已阅读5页，还剩6页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一目录1.MOSFET器件特点2.6.6MOSFET模型2.MOSFET符号4.MOSFET模型与模型参数3.四种MOSFET特性对比1.MOSFET器件特点①MOSFET是一种表面型器件，提高器件性能的关键是改善表面特性和缩小表面沟道几何尺寸。②沟道电流IDS为多子漂移电流，所以MOSFET为单极器件由于电子迁移率比空穴迁移率高，因此NMOS性能优于PMOS。③MOSFET是电压控制器件：VGS控制IDS④栅、源间有栅介质，栅电流极小，因此MOSFET是容性高输入阻抗器件。⑤由于沟道和衬底之间构成pn结，在同一衬底上形成的多个MOS晶体管之间具有自隔离的效果。1.MOSFET器件特点⑥MOSFET的IDS-VDS输出特性曲线从原点“扇形”展开

饱和区指VDS↑增加沟道电流IDS基本不变的区域。

BJT的IC-VCE输出特性曲线是从一条“包络线”弹出

饱和区指集电极电流IC增加但是VCE基本不变的区域。JFET器件特性BJT器件特性2.MOSFET符号(1)基本符号

MOSFET分n沟MOSFET和p沟MOSFET两类，每类均可采用耗尽型和增强型两种工作模式，因此MOSFET器件一共分为四种。2.MOSFET符号(1)基本符号电路符号中，衬底电极上的箭头方向代表源极-衬底之间电流的方向按照箭头方向区分n沟与p沟器件。

D-S之间连线为实线表示零偏时已存在导电沟道，代表耗尽型器件。D-S之间连线为虚线表示零偏时不存在导电沟道，代表增强型器件。2.MOSFET符号

(2)电路中常用符号

CMOS数字IC中都采用增强型器件。而且衬底均与源极连接。借用数字电路中代表“低电平有效”的小圆圈区分n沟和p沟MOS器件符号。p沟MOS器件符号栅极带有小圆圈表示栅极加低电平才能在半导体表面形成p型导电沟道。因此n沟和p沟MOS器件均只需一种符号。2.MOSFET符号

(2)电路中常用符号模拟IC中通常在源端加表示电流方向的箭头区分n沟和p沟MOS器件符号。n沟MOS器件源端提供电子，对应电流方向流出源极。p沟MOS器件源端提供空穴，对应电流方向从源极流入。3.四种MOSFET特性对比(1)偏置条件3.四种MOSFET特性对比

(2)输出直流特性增强型nMOS耗尽型nMOS增强型pMOS耗尽型pMOS

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论