微电子概论（第3版）课件2-4-3BJT穿通_第1页
微电子概论（第3版）课件2-4-3BJT穿通_第2页
微电子概论（第3版）课件2-4-3BJT穿通_第3页
微电子概论（第3版）课件2-4-3BJT穿通_第4页
微电子概论（第3版）课件2-4-3BJT穿通_第5页
已阅读5页，还剩2页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》SecondEdition1.BJT的单结击穿电压BVEBO和BVCBO2.4.3晶体管的击穿电压2.涉及两个结的击穿电压BVCEO3.基区穿通目录3.基区穿通(1)基区穿通现象基区穿通与基区宽变效应物理过程类似，只是程度不同。导致CB结势垒宽度增大则基区宽度xB减小反偏VCB增大若VCB增大到尚未发生C-B结击穿，但是使得基区宽度xB→0。这一现象称为基区穿通（Basepunch-through）。3.基区穿通(1)基区穿通现象如果从基区少子扩散电流的计算关系可以直观理解基区穿通的后果。若接近基区穿通程度，导致基区宽度xB→0，则基区少子分布斜率急剧增大导致少子扩散电流InC急剧增大表现为“击穿”，BJT将不能正常工作。→集电极电流IC随之急剧增大3.基区穿通(2)基区穿通电压VPT

使得基区宽度xB→0的VCB称为穿通电压，记为VPT。xB0为基区掺杂结深xjc与发射区掺杂结深xje之差：

如果不考虑正偏BE结势垒区在基区一侧的宽度，若VCB=VPT

，则CB势垒区宽度(xdc)在基区一侧的宽度(xdc)B等于基区宽度xB0。xB0=xjc-xje由此可以计算VPT的值。3.基区穿通解得（忽略Vbi）：例：均匀掺杂基区BJT的VPT根据突变pn结势垒区宽度计算公式若VCB=VPT，则(xdc)B=xB0代入上式例如：若计算得VPT=52V3.基区穿通(3)保证基区穿通电压VPT的要求

BJT设计中根据击穿电压BVCB要求确定集电区的掺杂浓度NC，为了保证器件正常工作，应该保证基区穿通电压VPT不能小于BVCB。

对确定的NC，为了保证VPT达到一定要求，需要基区宽度xB0和基区掺杂浓度NB。不能太小。

在设计BJT时为了提高电流放大系数以及特征

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论