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文档简介

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》ThirdEdition目录1.

pn结交流小信号特性2.3.4pn结交流小信号特性2.小信号电导简化分析3.扩散电容4.

pn结势垒电容5.

pn结电容与应用3.扩散电容(1)扩散电容的定性分析（以n区为例）t=0：在直流偏置V0作用下，n区出现过剩少子空穴δpn(x)对应n区出现正电荷+△Q0(a)n区中正负电荷随结电压的变化由电中性原理，n区电子电荷也必然随之变化-△Q0，n区保持电中性。3.扩散电容(1)扩散电容的定性分析（以n区为例）t=t1：正偏电压Va↑导致pn(x=0)↑

n区少子空穴分布随之发生变化(a)n区中正负电荷随结电压的变化n区新增加的少子空穴正电荷为d(△Q0)n区少子空穴正电荷为△Q0+d(△Q0)3.扩散电容(1)扩散电容的定性分析（以n区为例）t=t2：正偏电压Va↓导致pn(x=0)↓

n区少子空穴分布随之发生变化(a)n区中正负电荷随结电压的变化3.扩散电容(1)扩散电容的定性分析（以n区为例）t=t2：正偏电压Va↓导致pn(x=0)↓

n区少子空穴分布随之发生变化(a)n区中正负电荷随结电压的变化导致n区少子空穴正电荷减少成为△Q0-d(△Q0)3.扩散电容(1)扩散电容的定性分析（以n区为例）(b)扩散电容“存储的正、负电荷随着外加电压的变化而变化”是一种“电容效应”。这种电容效应与少子的扩散运动相联系，因此称为扩散电容。3.扩散电容(2)扩散电容计算根据电容的定义，在直流偏置电压V0处计算d△Q/dVa就是扩散电容CD

。因此扩散电容又称为“微分电容”。定量分析可得：式中，τ为少子寿命

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