模拟电子技术试题及参考答案

模拟电子技术试题及参考答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。（）A、错B、对:正确答案：A2.N型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、负离子C、空穴D、正离子正确答案：A3.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。A、错误B、正确;正确答案：A4.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（）A、错B、对:正确答案：A5.本征半导体中掺入五价杂质元素后，生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。（）A、对:B、错正确答案：A6.共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。()A、正确;B、错误正确答案：B7.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：A8.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。（）A、对:B、错正确答案：B9.P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、六价B、三价C、四价D、五价正确答案：B10.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。（）A、错B、对:正确答案：A11.晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。()A、正确;B、错误正确答案：B12.P型半导体中的多数载流子是（）A、正离子B、空穴C、自由电子D、负离子正确答案：B13.集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。（）A、错B、对:正确答案：B14.集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时,运放处于()A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D15.N型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、三价;B、四价;C、六价。D、五价;正确答案：D16.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：B17.双极三极管是一种（）A、电流控制的电流源B、电流控制的电压源C、电压控制的电压源D、电压控制的电流源正确答案：A18.晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。（）A、错B、对:正确答案：A19.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。正确答案：B20.射极输出器的特点是（）A、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大D、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：D21.本征半导体中掺入五价杂质元素，会生成P型半导体，其多子是空穴载流子。A、错误B、正确;正确答案：A22.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。正确答案：A23.晶体三极管的B极是它的()。A、基极B、集电极C、发射极D、栅极正确答案：A24.PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。A、少子扩散B、少子漂移C、多子扩散D、多子漂移正确答案：C25.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。()A、错误B、正确;正确答案：B26.分压式偏置的共射放大电路，若VB点电位偏高，电路易出现（）。A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：B27.理想集成运放的两个重要结论是（）。A、虚短与虚地；B、虚断与虚短；C、断路与短路。正确答案：B28.共发射极放大电路的反馈元件是（）。A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。正确答案：B29.晶体三极管的输出特性曲线上可分为（）A、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区B、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区C、放大区、饱和区和截止区三个分区D、恒流区、放大区和截止区三个分区正确答案：C30.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的（）在漏源极之间电场作用下形成的。A、电子；B、电子和空穴。C、空穴；正确答案：A31.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是（）两个重要概念。A、虚短和虚地B、线性和非线性C、虚断和虚地D、虚短和虚断正确答案：D32.国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（）。A、双列直插式。B、圆壳式；C、扁平式；正确答案：A33.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿，不会损坏二极管。（）A、对:B、错正确答案：B34.基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。A、截止区；B、饱和区；C、死区。正确答案：B35.集成运放电路采用直接耦合方式是因为()A、可防止交越失真的产生B、可获得很大的放大倍数C、集成工艺难于制造大容量电容D、可最大限度的减小零点漂移正确答案：C36.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()A、减轻前级或信号源负荷。B、带负载能力强;C、带负载能力差;正确答案：B37.单极型半导体器件是()。A、双极型三极管B、场效应管C、稳压管D、二极管正确答案：B38.差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。()A、正确;B、错误正确答案：A39.集成运放的非线性应用存在（）现象。A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。正确答案：B40.晶体三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率PCM;D、管子的电流放大倍数。正确答案：C41.PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、少子扩散B、多子漂移C、多子扩散D、少子漂移正确答案：C42.基本放大电路中的主要放大对象是（）。A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。正确答案：B43.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。A、交越B、截止C、饱和D、频率正确答案：C44.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。（）A、对:B、错正确答案：B45.基极电流iB的数值较小时,易引起静态工作点Q接近()。A、截止区;B、饱和区;C、死区D、非线性区正确答案：A46.差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（）A、对:B、错正确答案：A47.若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。A、正确;B、错误正确答案：A48.晶体三极管的极是它的()。A、集电极B、发射极C、基极D、栅极正确答案：B49.射极输出器的特点是()A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案：A50.NPN型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。A、发射结反偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结正偏、集电结正偏正确答案：B51.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。A、正确;B、错误正确答案：B52.共集放大电路的特点是()A、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大C、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小D、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案：B53.N型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、六价B、三价C、四价D、五价正确答案：D54.PNP型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。A、发射结反偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结反偏正确答案：C55.理想集成运放的输入电阻为（）。A、不定。B、∞；C、0；正确答案：B56.如果两个信号,它们的大小相等,相位相反,则它们是()信号。A、共模B、模拟C、差模正确答案：C57.晶体三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的电流放大倍数。正确答案：C58.放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。（）A、对:B、错正确答案：B59.绝缘栅型场效应管的输入电流()。A、为零B、无法判断C、较小D、较大正确答案：A60.若使晶体三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;C、发射结反偏、集电结反偏;D、发射结反偏、集电结正偏。正确答案：A61.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。A、等腰三角波；B、仍为正弦波。C、矩形方波；D、正弦半波；正确答案：D62.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形底部出现失真为（）失真。A、饱和B、交越C、频率D、截止正确答案：A63.稳压二极管的正常工作状态是()。A、导通状态;B、任意状态。C、截止状态;D、反向击穿状态;正确答案：D64.放大电路的集电极电流超过极限值ICM，就会造成管子烧损。（错）A、错B、对:正确答案：A65.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、交流成分B、直流成分C、交直流成分均有正确答案：C66.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（）A、错B、对:正确答案：B67.普通放大电路中存在的失真均为交越失真。()A、正确;B、错误正确答案：B68.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。()A、正确;B、错误正确答案：A69.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。正确答案：A70.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形底部出现失真为()失真。A、饱和B、交越C、截止D、频率正确答案：A71.共发射极放大电路的反馈元件是()。A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。正确答案：B72.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。A、错误B、正确;正确答案：B73.微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。()A、错误B、正确;正确答案：A74.差分放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。A、错误B、正确;正确答案：B75.理想集成运放的两个重要结论是()。A、虚断与虚短;B、断路与短路。C、虚短与虚地;正确答案：A76.场效应管是一种（）A、电流控制的电压源B、电压控制的电流源C、电流控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B77.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是()。A、虚地;B、虚短;C、虚断。正确答案：B78.射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（）A、对:B、错正确答案：B79.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）A、对:B、错正确答案：B80.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（）A、错B、对:正确答案：A81.射极输出器是典型的（）。A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。C、电流串联负反馈；正确答案：B82.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、饱和失真B、截止失真C、晶体管被烧损正确答案：A83.集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（）A、错B、对:正确答案：A84.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。正确答案：B85.P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、五价;B、三价;C、六价。D、四价;正确答案：B86.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。()A、错误B、正确;正确答案：A87.若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结正偏。B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；正确答案：B88.场效应管的极是它的()。A、源极B、发射极C、漏极D、栅极正确答案：D89.绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、较小；B、较大；C、为零；D、无法判断。正确答案：C90.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）。A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。正确答案：B91.正常工作在反向击穿区的特殊二极管是（）。A、光电二极管B、